色氨酸在制药、食品和饲料等行业都有广阔的应用前景。本项目采用基因工程、代谢工程等手段对大肠杆菌色氨酸合成代谢途径进行分析调控，构建了高产 色氨酸基因工程菌，并在此基础上通过优化发酵工艺，色氨酸产量可达 40g/L。 

成果简介： 本研究提供了一种基于ATP再生系统和双功能谷胱甘肽合成酶（GshF）的酶法制备谷胱甘肽的方法。在谷胱甘肽合成过程中，经典的酶法是由谷氨酰半胱氨酸合成酶和谷胱甘肽合成酶两步催化完成的。而 GshF可一步催化谷胱甘肽合成，简化的反应步骤，且该酶反馈抑制作用小，非常适合应用于酶法合成谷胱甘肽。酶法合成谷胱甘肽需要大量消耗ATP，通过引入高

大连民族大学生命科学学院曹际娟研发团队成功研发了针对新型冠状病毒的新型检测方法——恒温荧光快速检测法，检测灵敏度可稳定达到1fg/μL（100copies/μL）。该方法较现行通用的RT-PCR法具有快速灵敏、操作简便、成本低廉、易于推广的特点，已顺利通过天津、广州的三家实验室验证测试。此外，还同步研发了安全且无传染性的新型冠状病毒体外转录RNA质控样品，已上报全国标准样品技术委员会申请国家标准样品。研发团队将这些科研成果已无偿提供给具有医疗器械资质的企业用于申报试剂盒生产。 曹际娟研发团队利用技术专长，密切分析国际上公布的新型冠状病毒全基因组序列，开展种内保守性比对、种外同源性比对以及差异位点分析，设计并筛选确定了2 条内引物、2 条外引物及2 条环引物为核心技术，增强了恒温荧光扩增技术的特异性和灵敏度保证。克服试剂紧缺、物流不畅等各种困难，联合多家实验室的资源，成功完成了方法的验证测试。

产品名称：法罗培南钠 分子式：C12H14NNaO5S.2.5H2O 分子量：307.3 外观：类白色结晶性粉末

本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简

ZnO 压敏陶瓷是以 ZnO 粉料为主体，添加微量的其他金属氧化物添加剂(如 Bi2O3,Sb2O3, Co2O3, MnO2, Cr2O3 等)，经过混合、成型后在高温下烧结而成的多晶半导体陶瓷元件。自 1968 年日本松下开发出 ZnO 压敏电阻以来， ZnO 压敏电阻就以其造价低廉、制造方便、非线性系数大、 响应时间快、残压低、电压温度系数小、漏电流小等优良性能，应用广泛于高压输电线路、城市地铁直流供电线路以及铁路电网系统。随着超高电压大功率输变电工程的发展，对输变电设备的安全性和可靠性要求越

产品详细介绍上海汉标电子科技有限公司坐落于上海浦东新区康桥工业区，是一家集科研、生产、销售、服务于一体现代化的经济实体，公司专业生产BX7/BX8滑线变阻器，线饶电阻器，BP系类稳定变阻器，BC1瓷盘变阻器，各类电阻负载箱等电阻类产品，产品广泛使用于各类电力电子、航天、汽车、电气设备（电梯 /变频调速、起重机、铁路、船舶、机床、电焊机等）、通讯、电源、蓄电池、低压电器及各大、中场院校实验室。主营：BX7/BX8滑线变阻器，滑线电阻，线饶电阻器，可变电阻器，BP-300/400/500稳定变阻器，焊机负载箱，BC1瓷盘变阻器，BCW无底盘瓷盘电阻器，RXG20波纹电阻，RXG20铝壳电阻，变阻器，ZB1-ZB4板型电阻，ZX2 ZX12 ZX15 ZX9起重调速电阻器，RT RS RY RZ系类电阻器，大功率电阻箱，电阻负载箱，BX7D滑线式变阻器，滑动变阻器，交流负载箱，直流负载箱，三相负载电阻箱，发电机组负载，电池放电负载箱，放电电阻负载箱，阻性负载箱，感性负载箱，容性负载箱，交直流假负载及各类电子元器件测试负载装置,电子元器件老化车，开关电源老化车，电焊机老化测试台，节能灯老化，荧光灯老化测试，LED老化测试设备，老化电阻，测试电阻，变压器老化测试，扬声器老化测试，UPS负载测试，电源测试台，电焊机老化测试台，各类电子元器件测试台。

实验原理   巨磁电阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。   仪器概述 本实验主要内容包括对巨磁电阻GMR模拟传感器的磁电转换特性、GMR磁阻特性、GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性的测量及探究，对运用GMR模拟传感器测量电流的探究，对GMR梯度传感器的特性探究及应用，以及学习磁记录与磁读出的原理与过程。   仪器特点   独立的实验模块：A、巨磁电阻GMR基本特性测量模块；B、巨磁电阻GMR测量电流模块；C、巨磁电阻GMR梯度传感器测量齿轮的角位移模块；D、巨磁电阻GMR磁卡读写模块。   丰富的实验内容：（1）测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线。（2）测量GMR的磁阻特性曲线。（3）测量GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线。（4）测量通电螺线管的磁场分布曲线。（5）用GMR传感器测量导线电流。（6）用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMR转速（速度）传感器的原理。（7）通过GMR传感器实现磁卡记录与读出的原理。 便捷的数据采集接口：实验电源配置4个模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验1：GMR模拟传感器的磁电转换特性测量   实验2：GMR磁阻特性的测量   实验3：GMR模拟传感器测量电流   部件清单 可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055 直流电压电流表I，2V/20mA   BEM-5056    巨磁电阻基本特性测量模块   BEM-5717    巨磁电阻测量电流模块   BEM-5718    巨磁电阻角位移测量模块   BEM-5719    巨磁电阻磁卡读写模块   BEM-5720    连接导线，香蕉插头，0.8米，红   BC-105084   【4】 连接导线，香蕉插头，0.8米，黑   BC-105083   【4】 连接导线，mini 八针导线   BC-105243    电源线   BC-105075   【2】 用户手册   CD-M-BEX-8511B   

发明公开了一种基于氮化钛材料的新型纳米结构光阴极；所述氮化钛光阴极包括衬底、氮化钛纳米结构层；还涉及了该型氮化钛光阴极的制备方法，及其电场辅助型光阴极测试装置，所述电场辅助型光阴极包括绝缘垫片、金属薄板阳极、上／下电极导线、外加偏压电源。本设计中核心的氮化钛纳米结构具有表面等离激元共振效应，会带来光子吸收增强和局域电场增强，且材料功函数仅约为３．７ｅＶ和导电性优良，有助于光致电子的发射；通过设计氮化钛结构的组成纳米图形和结构参数，可获得与入射激励光波相匹配的等离激元共振，实现可光调控的电子发射。因所述氮化钛材料还具有稳定的物化性质，从而本发明提供了一种可作为稳定、高效率的光阴极。