高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
三维高分辨电阻率勘探及直接成像技术
项目简介用直流电阻率法的单极-偶极装置在全测区形成相互交错的正交观测系统;应用该三 维高分辨电阻率勘探及直接成像方法可以克服现有二维高分辨电阻率勘探方法由于旁侧 效应引起的洞道定位不准,和洞道形状不确定的问题。较一般的三维高密度电阻率勘探 对地下洞道的敏感性高,真正实现了对地下分析分辨单元的多次覆盖测量。 性能指标 具有较强的抗干扰和剔除静态偏移的能力,易于实现测区的滚动测量和无缝衔接。 三
江苏大学 2021-04-14
一种皮肤电阻变异性在线监测仪
成果创新点 可用于医疗监测、运动状态评估、测谎仪等。 对皮肤电阻进行检测,可帮助了解自身的自主神经健 康状况,及时治疗。运动员可以通过皮肤电阻变异性检测 装置了解自身交感神经的活跃度,从而了解自身状况是否 适合运动、剧烈运动后是否得到充分休息。当人说谎时, 交感神经活跃度会不自主地提高,造成皮肤电阻下降,这 些数据可以在仪器上直观地呈现。 相对目前主流侵入性检测,本技术无需 24 小时动态
中国科学技术大学 2021-04-14
一种皮肤电阻变异性在线监测仪
可用于医疗监测、运动状态评估、测谎仪等。 对皮肤电阻进行检测,可帮助了解自身的自主神经健康状况,及时治疗。运动员可以通过皮肤电阻变异性检测装置了解自身交感神经的活跃度,从而了解自身状况是否适合运动、剧烈运动后是否得到充分休息。当人说谎时,交感神经活跃度会不自主地提高,造成皮肤电阻下降,这些数据可以在仪器上直观地呈现。相对目前主流侵入性检测,本技术无需24 小时动态连续检测,无需限制测试者的活动;设备简单,容易测量。采样频率为 10Hz,远大于市面上其他的皮肤电阻采集器,可连续工作达 5 小时。数据无线传输,受测者在测试过程中可从事的活动类型不再受限;数据采集中不需变换档位,数据采集连贯无跳变。装置嵌入分析程序,无需专业医护人员,即可直观了解自主神经系统的健康情况。
中国科学技术大学 2023-05-17
一种双地网接地电阻的测量方法
本新技术成果(发明专利:201010238708.2)针对高土壤电阻率地区采用外引地网来降低接地电阻时因主网和辅网相隔离较远的难以测量的现实问题,基于原创性且国际先进水平的理论成果,自主研发一种双地网接地系统接地电阻的测量方法。该方法计算简便,物理意义明显,克服工程应用中测量双地网布线麻烦的难点。目前,该测量方法已经得到了广泛的验证,显示出明显的效果。 该测量方法具有国际先进水平,可控性强、准确度高,填补了可信性自动验证的空白,有着广阔的应用领域。
西南交通大学 2016-06-27
PT100型号薄膜铂电阻低温温度计PI封装
北京锦正茂科技有限公司 2022-03-26
电输运性质测量系统霍尔效应测试电阻测量仪器
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!  
北京锦正茂科技有限公司 2022-03-30
PT100型号薄膜铂电阻低温温度计低温实验
北京锦正茂科技有限公司 2022-06-13
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件,能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
梯度纳米结构TWIP钢的晶体塑性有限元分析
强度和韧性的“倒置关系”是材料研究领域长期存在的难题。大量的实验表明,随着金属材料内部晶粒尺寸的降低,在强度获得提升的同时,韧性将大打折扣。目前,广泛采用的高强材料韧化策略有:(1)改变组分,通过引入和调整材料的多种主要元素,同时激活多种塑性变形机制,高熵合金材料就是采用这种思路;(2)改变微结构,在材料内部引入一种或多种梯度分布的微结构,避免由于特征长度突变带来的性能突变,有效克服金属材料强度和韧性的失配问题,这种材料被称为梯度纳米结构材料。 图1 梯度结构金属材料的类型(摘自:李毅,梯度结构金属材料研究进展,中国材料进展,2016, 35: 658-665)人工制备的梯度纳米金属结构主要包括以下几种:梯度晶粒,梯度位错,梯度孪晶,梯度固溶物,梯度相,以及包含两种以上的梯度混合结构。在已经发展成熟的金属材料内部引入梯度纳米结构,可以进一步提高其强韧性匹配能力。例如,通过表面研磨处理(SMAT)在孪晶诱发塑性(TWIP)钢表面引入大量的塑性变形,使其表面晶粒细化,随着深度的增加,晶粒细化的程度逐渐降低,同时塑性变形也会导致位错演化和孪晶的产生,因此在TWIP钢内部形成了包含梯度晶粒,梯度位错和梯度孪晶的梯度混合结构。这种梯度纳米结构TWIP钢的强度可以提升50%,断裂应变仅从60%下降到52%,具有更高的强韧性匹配能力。目前,关于梯度纳米结构TWIP钢的研究集中于实验,反映物理机制的本构模型研究还鲜见报道。西南交通大学力学与工程学院张旭教授与德国马普钢铁所、中国钢铁研究总院等机构开展合作,指导博士生陆晓翀发展出考虑位错滑移和变形孪晶等物理机制的微结构尺寸相关晶体塑性本构模型。依托DAMASK平台将该模型移植有限元,并对梯度纳米结构TWIP钢的单轴拉伸变形行为展开模拟,揭示了其微结构演化与宏观性能之间的关系,量化了不同梯度结构对材料强韧性的贡献。相关研究工作已在金属材料与固体力学交叉领域顶级期刊《International Journal of Plasticity》上在线发表,论文题目为Crystal plasticity finite element analysis of gradient nanostructured TWIP steel。 论文链接: https://doi.org/10.1016/j.ijplas.2020.102703作者首先使用不同晶粒尺寸Fe-15Mn-2Al-2Si-0.7C (wt.%) TWIP钢的单拉实验数据验证该模型的合理性,结果表明该模型对不同尺寸下的应力应变响应和应变强化行为都可以较好地描述,特别是细晶TWIP钢硬化率曲线中的up-turn效应。通过对内变量演化的分析及对比性模拟,作者发现这种up-turn效应源自于细晶中显著的背应力。 图2 对比不同晶粒尺寸TWIP钢的单拉实验和模拟结果由于梯度纳米结构TWIP钢的微结构十分复杂,晶粒数目众多,通过采用三维均匀化方法,建立了宏观试样尺寸的有限元模型。通过对每层单元赋予不同的晶粒尺寸,初始位错密度和孪晶体积分数,离散地描述材料内部微结构的梯度分布,并通过梯度网格划分方法进一步减少单元数目。对于材料表层微结构变化剧烈的区域,采用密度较高的网格,以保证更加精确地描述微结构的梯度变化。 图3三维均匀化方法示意图作者利用发展的晶体塑性模型,对均匀和梯度纳米结构的Fe-10Mn-0.5C-3Ni (wt.%) TWIP钢的单拉变形行为进行模拟。结果表明,在合理描述均匀结构TWIP钢应力-应变响应的基础上,通过引入微结构的梯度分布,无需修改任何参数就可以较好地描述梯度纳米结构TWIP钢的单拉力学行为。通过对比变形云图,作者发现均匀和梯度纳米结构TWIP钢的表面都会变的粗糙不平,但梯度纳米结构的表面粗糙度更加明显,产生的应变局域化形成了两个凹陷区,且凹陷区在垂直于平面方向也会发生收缩。随着深度的增加,收缩程度逐渐降低。通过对比性模拟,作者发现表面凹陷区的出现就是梯度纳米结构TWIP钢韧性略微下降的原因。而应变局域化的产生与表面纳米层晶粒的应变强化能力有关,提高表面纳米晶的硬化能力,就可以抑制表面凹陷区的出现和韧性的下降。此外,作者通过分析不同层位错密度的演化,进一步证实了上述观点。作者还通过对比性模拟量化了不同梯度结构对材料强韧性的贡献。结果表明:强度的提升源于梯度位错结构,梯度晶粒和梯度孪晶结构有助于保持材料的应变强化能力。 图4 均匀结构和梯度纳米结构TWIP钢的模拟结果对比分析。
西南交通大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 11 12 13
  • ...
  • 19 20 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1