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一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法,采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成 SnSe2,并通过 沉积载气带入下游温区,在衬底上沉
华中科技大学 2021-04-14
基于聚焦电流法的减小视电阻率测量误差的系统和方法
本发明公开了一种基于聚焦电流法的减小视电阻率测量误差的 系统和方法,该系统包括反馈控制电路、驱动电路、测量电路、测量 电极、屏蔽电极所构成。在地质前探中,在护盾的前部和尾部分别设 置屏蔽电极和测量电极,并且在前部和尾部的同一圆周线上设置成对 的电压监测点,驱动电路分别给屏蔽电极和测量电极通电流,测量电 路测量各对电压监测点的电位差ΔV,反馈控制电路根据所测得的电位 差,反馈调节的电流,使各点V的总体相对变化Σai(ΔVi)<sup>2</sup> 最小,从而维持屏蔽电极与测量
华中科技大学 2021-04-14
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法,成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片,展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用,该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm,比块体VS 2 材料的层间距(0.575 nm)增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷,丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点,层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构,从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能(∆ G H )。HER测试结果表明,该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能,具有较小的塔菲尔斜率(36 mV dec −1 )、具有较低的过电位(-43 mV@10 mA cm −2 )和良好的稳定性(60 h)。此外,通过第一性原理计算的结果表明,层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H (-0.044 eV),媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且,层间距的宽化可以降低缺陷形成能,使材料更易形成缺陷。这里,理论计算结果和实验相一致,较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控,可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路,为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学 2021-04-13
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法, 包括以下步骤:(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液,将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液,再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌,极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液;(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液;(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体,从而在
华中科技大学 2021-04-14
一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉及用途
本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉,该发明首先将配好的原料进行感应熔炼,制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片;将制得的速凝片进行氢破碎,脱氢后得到粗破碎磁粉;然后在惰性气体保护气氛下,进行气流磨,得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉;然后将磁粉放入管式炉中,通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气,即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果,具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。
浙江大学 2021-04-13
基于数字相敏解调和虚拟电感技术的非接触式流体电阻抗测量装置
本实用新型公开了一种基于数字相敏解调和虚拟电感技术的非接触式流体电阻抗测量装置,包括绝缘测量管道、激励电极、检测电极、金属屏蔽罩、虚拟电感模块、信号处理与通讯模块以及微型计算机。信号处理与通讯模块产生特定频率的交流激励信号通过激励电极,在串联谐振状态下,利用虚拟电感模块产生的感抗消除电极与流体通过绝缘管道形成耦合电容容抗的影响,使检测电路的总阻抗等于管道内流体的等效阻抗;然后将检测信号进行数字相敏解调,获取流体电阻抗的实部信息和虚部信息。本实用新型为解决管道中流体的电阻抗测量问题提供了一种可行途径,具有传感器结构简单、非侵入、电感值可调、对管道内流体流动无影响等优点。
浙江大学 2021-04-13
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法,该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4,M代表Cu、Ti、Sn、Al;其是以组成阳离子的氧化物为起始原料,球磨,经过多次煅烧,加入有机粘结剂造粒成型后,烧制而成,烧成片状样品后,两端面上银电极,电极烧渗后,在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料,在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学 2021-01-12
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法,所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成,其中所述 内电极材质为贱金属镍,所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果:(1)本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺;(2)本发明采用贱金属 Ni 为内电极,可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本;(3)采用传统的固相烧 结方法,端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学 2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法,所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成,其中所述 内电极材质为贱金属镍,所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果:(1)本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺;(2)本发明采用贱金属 Ni 为内电极,可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本;(3)采用传统的固相烧 结方法,端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学 2021-04-14
GZX92A绝缘电阻表检定装置 兆欧表检定装置
产品详细介绍  /////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 绝缘电阻表(兆欧表)是国家强制检定计量器具,其检定规程为JJG622-89。检定装置的主要标准器为高压高阻箱和高压电压表。GZX92A型绝缘电阻表检定装置将高压高阻箱(高阻输出部分)和高压数字电压表(电压输入部分)合为一体。 检定装置中电阻输出部分的测量上限为200GΩ,标称工作电压为5kV。该装置设计有独立的泄漏屏蔽端钮和接地端钮,在测量过程中无明显不稳定及短路、开路现象。满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程和JJG166-93直流电阻器检定规程的要求。可用于各种型号的指针式绝缘电阻表的检定。 检定装置中电阻输出部分选用获得专利的滚动式高压开关,使用10万次后仍可满足检定规程的要求。其具有较长的技术寿命和机械寿命。检定装置中电压测量部分的标称测量电压为5kV,输入阻抗≥10GΩ。本装置能测量兆欧表的开路电压、中值电压和峰值电压。 二、主要技术参数 1. 电阻输出(高压高阻箱)部分 1.1 电阻输出部分的准确度等级及工作电压(电流)    阻值   100GΩ ×10GΩ ×1GΩ ×100MΩ ×10MΩ ×1MΩ 准确度等级 5 5 2 1 0.5 0.2 标称电压 5000V 5000V 5000V 5000V 2500V 1000V   阻值   ×100kΩ ×10kΩ ×1kΩ ×100Ω 准确度等级 0.2 0.2 0.2 0.2 标称电流 1mA 8mA 20mA 50mA   1.2 调节范围:100Ω~200GΩ,调节细度为100Ω 1.3 使用环境条件 1.3.1 参考温度范围:20~25℃    1.3.2 标称使用温度范围:18~28℃        1.3.3 参考湿度范围:40~60% 1.3.4 标称使用湿度范围:25~75% 1.4 电阻变差极限:在参考条件下,由单一影响量发生变化所引起的变差 影响量别   标称使用范围 允许的变差 环境温度 18~28℃ a/2 % 相对湿度 25%~75% ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a% 工作电压 (1~1/5)标称电压 ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a%   ★ a为检定装置中电阻输出部分电阻盘准确度等级(各电阻盘a值不同) 1.5 绝缘电阻:检定装置中电阻输出部分的电路与电路无电气连接的任何其它外部金属间的绝缘电阻,在标称电压下测得的电阻值不小于5TΩ。 1.6  绝缘强度:检定装置中电阻输出部分的电路与测试用参考接地点之间,应能承受频率为45~65Hz的实际正弦交流电压11kV并历时1min的试验,而不出现击穿与飞弧现象。 1.7 检定装置中电阻输出部分输出端的残余电阻应<0.1Ω,其变差<0.01Ω。 1.8 外形尺寸:442mm×270mm×145mm 1.9 重量:<5kg 2.电压测量(高压直流数字电压表)部分 2.1 测量范围:0~5500V 2.2 准确度:±(1%读数±1个字) 2.3 供电电源:DC9V 2.4 输入电阻:≥10GΩ 2.5 显示:四位半、液晶显示 2.6 峰值电压测量回路满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程中图3的要求。  
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
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