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脊柱肿瘤射频消融适形治疗的温度场研究
北京工业大学 2021-04-14
基于Z型六角铁氧体的射频识别天线
本发明公开了一种基于Z型六角铁氧体的射频识别天线,该天线具有至少一层Z型六角铁氧体基片1,一层空气层2,和一个金属基片3,和一个金属反射腔4,和金属接地面5,和一个变形金属微带线6,及射频识别芯片9。本发明采用各向异性六角铁氧体,在保证增益的前提下,有效地实现天线尺寸的小型化。
西南交通大学 2016-10-20
面向 5G 通信基站用氮化镓基射频器件
(一)项目背景 当前以硅、砷化镓为代表的第一和二代半导体接近其物理极限,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点,也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。氮化镓(GaN)特别适合制作高频、高效、高温、高压的大功率微波器件,是下一代通信、雷达、制导等电子装备向更大功率、更高频率、更小体积和抗恶劣环境(高温抗辐照)方向发展的关键技术。 目前氮化镓基射频器件已接近于商用,需解决从走出实验室到小量中试的最后“1 公里”,重点攻克其在可靠性工艺和量产稳定性的瓶颈。 以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点,也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。 半导体作为信息时代的“粮食”,将成为 5G 基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等“新基建”七大领域发展的支柱性产业。而氮化镓为代表的宽禁带半导体先进电子器件,凭借其高效、高压、高温等优势,将在“新基建”中大放异彩,可以弥补传统半导体器件的技术瓶颈,满足更高性能器件要求。 (二)项目简介 5G 要求更高的数据传输速率,发射机的效率会出现指数级的下降。这种下降可以使用包络跟踪技术来修复,该技术已经在较新的 4G/LTE 基站以及蜂窝电话中采用。基站中的包络跟踪需要高速,高功率和高电压,这些只有使用 GaN 技术才能实现。诸如 GaN 助力运营商和基站 OEM 等实现了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大规模 MIMO 的目标。 GaN 可以说为 5Gsub-6-GHz 大规模 MIMO 基站应用提供了众多优势:1、在 3.5GHz 及以上频率下表现良好,对比其他产品优势明显。2、GaN 的特性能转化为高输出功率,宽带宽和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 输出功率下的平均效率达到 50%至 60%,明显降低了发射功耗。3、在高频和宽带宽下的效率意味着大规模 MIMO 系统可以更紧凑。4、可在较高的工作温度下可靠运行,这意味着它可以使用更小的散热器。 根据 Strategy Analytics 的数据,预计 5G 移动连接将从 2019 年的 500 万增长到 2023 年的近 6 亿。所以需求还将不断上涨。 根据Strategy Analytics的数据,预计5G移动连接将从2019年的500万增长到2023年的近6亿。所以需求还将不断上涨。 Efficient Power Conversion 的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow 讨论5G时也说道:“基站中的包络跟踪需要高速,高功率和高电压,这些只有使用GaN技术才能实现。根据Yole Development公司发布的2018年度报告数据显示,随着全球整体数据流量的激增,我国5G产业将迎来大规模的需求增长。预计到2022年,我国5G基站规模将达到千亿市场,5G基站数量将达百万个。所以未来氮化镓基射频器件是5G通信基站收发端的核心。 氮化镓基射频器件是华为和中兴发展 5G 通信产业的核心器件,西安电子科技大学氮化镓射频器件研究团队自 2016 年起就与华为西安研究所、中兴西安研究所等国内主流5G通信公司协同攻关开展氮化镓基射频器件的研究,目前承担的流片服务项目合计约 500 万元。 2017 年,西安电子科技大学与西安市高新区、西电电气集团等联合成立“陕西半导体先导技术中心”,中心致力于推动陕西第三代半导体产业发展,促进以氮化镓为代表的射频器件、功率器件等加速产业化,2019 年团队向陕西半导体先导技术中心转让专利 35 项,作价 2000 万元,双方正在联合推进搭建第三代半导体中试平台,平台将会立足西安,服务全国,提升氮化镓基射频器件量产工艺可靠性,实现相关技术成果转化。 (三)关键技术 本项目由西安电子科技大学作为技术攻关的主要单位,制定技术路线,保障国家重大科技专项“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移动通信 GaN 芯片可靠性机理研究”研究,与华为和中兴联合开展工程合作项目实施,加快解决器件工艺可靠性工程问题,重点开展氮化镓微波功率与太赫兹器件工程技术研究,突破高性能低缺陷外延材料生长、高效率高可靠氮化镓微波功率器件工艺技术等关键瓶颈问题,协助规模量产高效率 S-Ku 波段典型氮化镓功率器件和模块、5G 基站核心射频模块。
西安电子科技大学 2023-07-12
环境友好型射频天线基站用ASA天线罩
该成果采用具有核-壳结构的丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸丁酯三元共聚物(ASA)与苯乙烯- 丙烯腈无规共聚物(AS树脂)、助剂等共混制得具有特殊复杂结构和性能优良的树脂。和传统的ABS树脂相比,ASA树脂结构中采用主链结构中不含有双键的聚丙烯酸丁酯橡胶替代了ABS树脂中的丁二烯橡胶,使得ASA树脂具有优异的耐候性能、耐低温性能、耐高温性能,良好的加工性能、尺寸稳定性、表面光泽度和耐溶剂性能,一定的强度和刚度。ASA树脂上述独特的性能,使得其在户外长期使用具有明显的优势,尤其是取代ABS树脂在户外使
南京工业大学 2021-01-12
一套快速检测苹果枝条内轮纹病菌侵染量的简易方法
本发明公开了一套快速检测苹果枝条内轮纹病菌侵染量的简易方法,涉及植物体内病原菌侵染量的快速检测技术。本发明适用于检测基部直径不超过3厘米活体苹果枝条的带菌量。具体方法为在待检测枝条的基部环剥皮层,宽度2~10毫米;用有效成份含量60g/L~100g/L的百草枯药液浸泡吸水纸、脱脂棉、棉线或布条,取出沥干后,缠绕在环剥口处,用胶带或塑料膜包严;从处理后的第3天开始,检查记录处理枝条上发生病变和未发生
青岛农业大学 2021-01-12
一套早期检测苹果果实内潜伏轮纹病菌的组织学方法
本发明公开了一套早期检测苹果果实内潜伏轮纹病菌的组织学方法,涉及植物组织内病原菌检测领域。本方法适用于调查苹果果实内潜带轮纹病菌的皮孔数量。具体方法为:对于欲检测的苹果果实或果实组织在不低于100℃的温度蒸煮10分钟以上,剥取表皮;剥取的表皮经1%~15%的次氯酸钠透明5~20分钟,1%~30%氢氧化钾或氢氧化钠浸泡3~5分钟,0.1%~3%的苯胺蓝水溶液染色3~5分钟,用20%~80%的甘油作浮
青岛农业大学 2021-01-12
肉及肉制品中食源性致病菌的生长及热失火模型的研究
主要研究了食源性致病菌(以肠炎沙门氏菌和单增李斯特菌为主,此外还有大肠杆菌 O157:H7 和空肠弯曲杆菌)生长和致死预测微生物模型研究。研究涉及:预测微生物模型,致病菌检测与控制,微生物胁迫抗性等内容。系统研究了在模拟的储藏温度和热处理方式下两种致病菌在模拟食品基质系统和真实食品中的生长,热致死、损伤和修复动态变化情况。研究结果表明两种致病菌在液体、固体的模拟系统中以及真实的食品中呈现不同的热杀死动态学曲线。基于模拟系统建立的生长和热致死模型并不能很好的应用于预测肉及肉制品中致病菌的真实状态。此外
上海理工大学 2021-01-12
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件,能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
基于 QPSK 信号调制的射频水印嵌入和提取方法及系统
本发明公开了一种基于 QPSK 信号调制的射频水印嵌入和提取 方法,方法包括以下步骤:射频水印信号嵌入步骤:将水印信号转化 为水印码元序列并和分段后的载体码元序列根据各自的信号幅度进行 叠加,叠加后进行 QPSK 调制发射;射频信号的解调步骤:将收到的 QPSK 信号进过降频、归一化处理得到的信号对比标准星座图,得到 载体码元;射频水印信号提取步骤:将归一化采样信号与载体码元的 差值作为水印提取的原始数据,从此数据中解调出水印实部和虚部的 两路水印,在通过符号函数判决水印结果。本发明还提供了实现上述 方法的系统。本发明通过在底层的物理信号中添加射频水印信号,丰 富了数字水印隐藏方法。
华中科技大学 2021-04-11
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