产品详细介绍真空原位分析表征系统是为红外光谱吸附态表征和催化剂酸性测定设计的专用真空系统，配有石英红外吸收池，可以与Bruker、Nicolet、PE、Shimadzu、Jasco、Varian\Bio-Rad等主要红外光谱仪连接使用，进行氨、吡啶、一氧化碳、一氧化氮、甲醇、乙醇等小分子化合物的化学吸附测定。具体应用吸附态研究和催化剂的表征　　红外光谱已经广泛应用于催化剂表面性质的研究，其中最有效和广泛应用的是研究吸附在催化剂表面的所谓“探针分子”的红外光谱， 如：NO、CO、CO2、NH3、C3H5N等，, 它可以提供在催化剂表面存在的“活性中心”信息。用这种方法可以表征催化剂表面暴露的原子或离子, 更深入地揭示表面结构的信息。与其它方法相比较, 这样的红外研究所获得的信息只限于探针分子（或反应物分子）可以接近或势垒所允许的催化剂工作表面。 CO吸附态研究　　由于CO具有电子受授性质，未充满的空轨道很容易同过渡金属相互作用。CO同许多重要的催化反应有密切关系。如羰基合成、水煤气合成、氧化等。并且具有很高的红外消光系数。因此, 在过渡金属表面吸附态的研究是一个十分广泛的研究课题。 双金属原子簇催化剂的研究（红外光谱方法研究催化剂表面组成和相互作用）利用两种气体混合物吸附在双组元过渡金属催化剂上通过红外光谱侧其吸附在不同组元上吸收带强度的方法可以测定双金属载体催化剂的表面组成。例如：CO和NO混合气吸附在Pt-Ru/SiO2上的红外光谱测定Pt-Ru/SiO2催化剂的表面组成。催化剂红外酸性测定 氧化物表面酸性的测定　　酸性中心一般看作是氧化物催化剂表面的活性中心。在催化裂化、异构化、聚合等反应中烃类分子和表面酸性中心相互作用形成正碳离子, 是反应的中间化合物。正碳离子理论可以成功地解释烃类在氧化物表面上的反应, 也对酸性中心的存在提供了强有力的证明。为了进一步表征固体酸性催化剂的性质, 需要测定表面酸性中心的类型（L酸、B酸）、强度和酸量。利用红外光谱研究表面酸性常常利用氨、吡啶、三甲基胺、正丁胺等碱性吸附质, 其中应用比较广泛的是吡啶和氨利用红外光谱研究固体酸。 氧化物表面羟基的研究 红外光谱应用于反应于反应动态学研究 催化剂原位表征高真空系统解决的问题　　由于红外光谱方法本身存在一定的局限性。　　1) 利用透射方法研究载体催化剂, 由于大部分载体低于1000cm, 就不透明了,所以很难获得这一范围的许多重要信息。　　2) 金属粒子不同的暴露表面边、角、阶梯、相间界面线等,分子吸附在所有这些中心上的光谱都可对测得的光谱有贡献, 因而解释起来有困难。　　3) 由于催化反应过程中, 在催化剂表面上反应中间物浓度一般都很低,寿命很短（尤其是反应活性的承担者）, 红外光谱的灵敏度和速度不够高。　　4) 红外光谱只适用于有红外活性的物质。　　随着光谱技术的发展, 这些局限性将通过真空系统克服。系统基本情况　　一套用于催化剂原位表征的真空装置及红外原位测量系统，配备红外吸收池统。 提高真空系统的性能使其在较短的时间内达到测量需要的中高真空度。主要技术指标　　1. 样品处理开始后样品池中真空度应在30 分钟内达到10-5 Torr；　　2. 样品测量过程中各样品可同时或分别进行吸附或脱附探针分子；　　3. 由于测量所需探针分子为酸性或碱性分子，高硼硅玻璃材质避免了相互污染；　　4、真空处理系统由机械泵与玻璃四级扩散泵串联组合抽气，达到客户对测试池中高真空的要求，抽速快，体积小,低噪音，操作简单，使用方便的特点,并且价格适中。　　5、低真空部分主要是抽出系统中的高浓度气体或吸附的残余气体。　　6、各部分节门选用高硼硅玻璃节门，满足系统高真空的要求，透明性操作，便于调试。　　7、真空测量仪使用数显高精密真空计。　　8、本系统配备透过式石英红外吸收池，采用透射模式，可对样品进行陪烧、流动氧化还原、抽空脱气、吸附反应等处理过程，可随时移入或移出到红外光谱仪的光路中进行实验，也可利用配备的延长管路进行原位表征和实验。其加热方式可采用程序升温方法控制温度的升降，也可使用调压变压器对温度的升降进行控制，使用温度可以高达450度，标准配置的吸收池窗口为CaF2，工作区间为4000—1200波数之间，用户也可按照需要自性配置其他材料的窗口。　　9. 样品测量过程中各样品可同时或分别进行预处理、吸附、脱附探针分子或更换样品。　　10. 波纹管更换方便。　　11．为满足客户的要求真空系统可做相应改变。配置单序号 设备名称 数量高真空装置 1.1 机械泵 1 1.2 玻璃油扩散泵 1 1.3 真空计 1 1.4 压力规表头 1 1.5 吸附阱、冷却室、管道、真空工作架、玻璃节门、电控标准连接件等 1测量系统 2.1 石英样品池 1 2.2 温控装置 1 2.3 操作手册 1

产品详细介绍 小型真空碳管炉  产品编号：52310445116  ◎产品说明  设备技术：  本电炉为周期作业式，广泛用于功能陶瓷、光学材料、碳复合材料、硬质合金、粉末治金等高温下进行烧结处理，也可在充气保护下成型烧结。  技术参数：  1、型号：ZT-18-22  2、额定功率：18KW  3、额定温度：2200℃  仪表控温精度：正负1℃  5、控温方式：钨铼热电偶+红外衣  工作区尺寸：直径80x100mm  7、冷态极限真空度：5x10-3 Pa  8、压升率：2Pa/h  9、电源电压：380V 50Hz 单相  10、充气压力：<0.03Mpa（可充氮气、氩气）  11、发热元件：石墨管（高纯石墨）  结构与说明：  1、炉体：采用双层水夹层结构，"内层为不锈钢（1Gr18N9Ti）抛光。上、下法兰组焊筒形结构，法兰平面开设封闭槽。采用“0”圈真空密封，并设有水冷装置（防止因温度过高“0”圈老化）。开设有抽气、热电偶、红外仪等。  2、炉盖：采用双层水夹层封头结构，设有观察窗，屏蔽锁紧、开启装置，并通水冷。  3、炉底：采用双层水夹层封头结构，设有电极引出装置，支撑平台等，并设有水冷装置。  4、炉架：山型钢及钢板组焊成箱式结构，炉体安装放在箱体内，美观大方。  5、真空系统：又一台K-100扩散泵配冷阱，一台2XZ-8D直联泵、手动高真空蝶阀、真空压力表（Pa）、充气阀、放气阀和真空管路等组成，扩散泵采用金属波纹软管快速接头联接（减缓震动），真空度的测量采用数显复合真空计。  6、控制系统PLC控制：控制系统是由我公司自行开发人机对话操软件，画面显示友好，操作简单，要以炉内工况进行实时监测，软件彩色模拟屏显示，加热升温显示及真空阀门的控制都集成到电脑上操作，现场也可以手动操作，需要电脑操作时，直联由232接口连接到笔记本电脑上启动软件，可检测到各种状态，也可通过485通讯连接到办公室操作，本设备可采纳温度、真空度曲线和烧结时间，方便用户根据历史曲线分析烧结工艺。控温方式为1300℃以下热电偶升温。1000℃-2200℃红外仪表自动控制。压力控制可采用手动及自动方式。控制系统上设有过流、超温及断水等分类报警功能。  7、气路系统：整个系统中设有1个j进气口、1个放气口、可冲气氛。  8、电气控制：采用各种管道阀等相关装置组成，具有断水声光报警自动切断电源能。  9、变压器及连接电缆：采用与之相匹配的变压器及连接电缆。  10、发热元件及隔热屏：发热元件采用高纯石墨加工成圆筒形结构，隔热屏采用石墨复合材料、碳毡、石墨毡，保温性能好、加热均匀、辐射面大、耐冲击性好，可快速加热和冷却。保温层和发热分体，易维护和取装，保温套外用不锈钢框架支撑，固定。 

一、产品描述   真空炉产品主要针对实验室的日常应用开发，优质的炉膛材料和稳定的温度控制系统，可保证实验数据的可靠性；产品采用高纯氧化铝材料作为炉膛材料，选用质优的硅钼棒发热元件作为发热体，温度控制器采用微电脑PID控制模块，可实现精确的控温和恒温要求。可应用于金属材料、石墨材料、锂电材料、晶体材料等新材料领域；双炉门结构设计，内炉门隔热，外炉门法兰密封，优质的炉膛材料和稳定的温度控制系统可保证长期的可靠性。 二、产品特点 1、 炉膛材料选用进口轻质高纯氧化铝陶瓷材料，硬度高、高温不掉粉，高温烧结无挥发，环保安全，符合国际行业标准 2、 发热体采用优质硅钼棒，可承受负荷大，稳定且使用寿命长；硅钼棒均匀的排列在炉膛两侧，温场均匀性好 3、 升温速度快，温度均匀性好，80分钟可升到1600℃，较行业内同规格电炉烧结效率提高3倍以上，安全高效 4、 控温精度高，冲温小，具有温度补偿和温度校正功能，控温精度为±1℃ 5、 采用智能PID控温仪表，具有程序功能，可设定升温曲线，可编30个程序段 6、 一体式结构，双层外壳，水冷结构，出色的外观设计，美观、大方 7、 电子元器件均采用德力西产品，带有漏电保护功能，安全可靠 8、 本机对工作过程中的超温会发出报警信号，并自动完成保护动作 9、当仪表程序设定完成后，只要按下运行按钮，接下来的工作会自动完成 10、可选配大屏幕无纸记录仪或者RS232通讯接口，实现对升温曲线的实时记录，并带有存储卡可对实验数据进行分析和打印

西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究，目前已经开发出AlN/Al、SiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术，目前此项技术已获批国家发明专利1项。

简介：本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65‑80％、聚丙乙烯5‑7％、聚苯乙烯5‑7％、烷基聚氧乙烯醚0.05‑0.5％、乙酰丙酮钛3‑8％、聚乙烯蜡3‑7％、水3‑6％，钼酸铜纳米棒的直径为25‑100nm、长度为0.5‑3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

本发明属于机械工程密封技术领域，特别适用于军工、船舶、航海、航天航空等领域中温度在-40℃下，密封轴径大于 160 mm 的真空密封或正压密封。 本发明所要解决的技术问题是，现有磁性液体密封的方法不能适用于低温大直径条件，因此，提供一种低温大直径磁性液体密封装置，使得低温条件下大直径密封件转动扭矩从 7kg•m 降到 3kg•m，满足实际需要。 本发明的技术方案：根据低温、大直径条件来设计磁性液体密封结构和选择磁性液体的物理参数。 低温大直径磁性液体密封装置包括：小端盖、轴承、极靴、外套、轴套、永磁铁、磁性液体、橡胶密封圈、调节垫片、大端盖、螺钉。安装时先将橡胶密封圈嵌入极靴中， 然后把轴承、极靴、永磁铁、极靴、轴承依次紧靠外套内凸台右侧；将磁性液体均匀地注入轴套上的密封齿后，装入上面已装好的轴承、极靴、永磁铁、极靴、轴承内部，用螺钉将小端盖固定在轴套上，接着将调节垫片和大端盖依次装在轴承右侧，最后用螺钉相连外套和大端盖，这样小端盖、轴承、极靴、永磁铁、极靴、轴承、调节垫片、大端盖之间相互压紧，使密封装置轴向固定，从而磁性液体在磁场的作用下吸附在密封齿的间隙中，形成可靠密封。 本发明中使用磁性液体的基载液选用优质煤油或硅酸盐脂类或二脂类，它们在-40℃时仍具有良好的流动性，磁性液体中磁性颗粒的粒径小于 5 nm，满足低温使用要求。 本发明的有益效果是，由于轴套上设有密封齿及优化的齿形参数，选用优质煤油或硅酸盐脂类或二脂类的基载液和磁性颗粒的粒径小于 5 nm，实现了-40℃时的大直径磁性液体密封，使转动扭矩降低，泄漏率低于 10-11pal·m3/s，使用寿命长，而且装配方法简单，克服了原有密封的弊端。

本发明属于机械工程密封技术领域，特别适用于军工、船舶、航海、航天航空等领域中温度在-40℃下，密封轴径大于160 mm的真空密封或正压密封。 本发明所要解决的技术问题是，现有磁性液体密封的方法不能适用于低温大直径条件，因此，提供一种低温大直径磁性液体密封装置，使得低温条件下大直径密封件转动扭矩从7kg•m降到3kg•m，满足实际需要。 本发明的技术方案：根据低温、大直径条件来设计磁性液体密封结构和选择磁性液体的物理参数。 低温大直径磁性液体密封装置包括：小端盖、轴承、极靴、外套、轴套、永磁铁、磁性液体、橡胶密封圈、调节垫片、大端盖、螺钉。安装时先将橡胶密封圈嵌入极靴中，然后把轴承、极靴、永磁铁、极靴、轴承依次紧靠外套内凸台右侧；将磁性液体均匀地注入轴套上的密封齿后，装入上面已装好的轴承、极靴、永磁铁、极靴、轴承内部，用螺钉将小端盖固定在轴套上，接着将调节垫片和大端盖依次装在轴承右侧，最后用螺钉相连外套和大端盖，这样小端盖、轴承、极靴、永磁铁、极靴、轴承、调节垫片、大端盖之间相互压紧，使密封装置轴向固定，从而磁性液体在磁场的作用下吸附在密封齿的间隙中，形成可靠密封。 本发明中使用磁性液体的基载液选用优质煤油或硅酸盐脂类或二脂类，它们在-40℃时仍具有良好的流动性，磁性液体中磁性颗粒的粒径小于5 nm，满足低温使用要求。 本发明的有益效果是，由于轴套上设有密封齿及优化的齿形参数，选用优质煤油或硅酸盐脂类或二脂类的基载液和磁性颗粒的粒径小于5 nm，实现了-40℃时的大直径磁性液体密封，使转动扭矩降低，泄漏率低于10-11pal·m3/s，使用寿命长，而且装配方法简单，克服了原有密封的弊端。

简介：本发明公开了一种铝酸铈纳米棒电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明铝酸铈纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铝酸铈纳米棒65‑80％、聚乙二醇3‑6％、聚丙乙烯3‑6％、木质素磺酸钠0.05‑0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3‑8％、乙烯‑四氟乙烯共聚物10‑15％，铝酸铈纳米棒的直径为30‑100nm、长度为1‑2μm。本发明提供的铝酸铈纳米棒电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

电子封装用铝基复合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等复合材料。它们采用专利挤压铸造方法制备，该工艺生产成本低、设备投资少、制成的材料致密度高，且对增强体和基体合金几乎没有选择，便于进行材料设计。“金属基复合材料工程技术研究所”在这一工艺上拥有多项发明专利，技术成熟，并具有独立开发新型材料的能力。 本电子封装材料具有低膨胀、高导热、机械强度高等优点，可以与Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持热匹配。与目前常用的W/Cu、Mo/Cu复合材料相比，导热性、热膨胀性能相

本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法，包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连；S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架