实验原理   金属中存在大量的自由电子，但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量，这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作，很多电子器件都与电子发射有关，因此研究这种材料的物理性质，对提高材料的性能是十分重要的。另外本实验还可以利用磁控法测量电子荷质比，研究真空中电子能量遵从费米-狄拉克分布。   仪器概述 本实验装置的核心部件是一只理想（真空）二极管和套在理想二极管外的通电螺线管线圈。本实验通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管阴极材料，阳极做成与阴极共轴的圆柱，把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验，综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法、补偿测量法和磁控法等基本方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此，这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座：理想真空二极管插在独立的管座之上，并且配有透明的亚克力保护罩，既可以直观的观察真空二极管的工作状态，还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图，可以使得学生更好的理解整个实验原理。   精确的阳极电流测量模块：阳极电流测量模块采用微安级电流放大器，采用四位半数显表，测量范围可达0.1uA~20mA，可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块：阳极电压输出采用线性电源，输出幅度达到0~160.0V，可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口：每个实验电源都配置模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验一：金属电子逸出功的测定 表1：在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值，作　lgIa～√Ua 图，得到不同温度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同温度T时所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根据表2作 lg( I / T2) ～1/T 图，求直线斜率 m 直线斜率：m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函数）eφ = 4.53 eV 与逸出功（功函数）公认值　eφ=4.54eV　相比的相对误差：Er = 0.33%   实验二：电子在径向电场和轴向磁场中的运动（磁控法测量电子荷质比）   实验三：费米-狄拉克分布的研究     实验四：理想真空二极管的伏安特性   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二极管盒   BEM-5716    螺线管线圈   BC-105236    连接导线，2mm护套香蕉插头，红   BC-105238   【2】 连接导线，2mm护套香蕉插头，黑   BC-105239   【2】 连接导线，4mm香蕉插头，红   BC-105084    连接导线，4mm香蕉插头，黑   BC-105083    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 红   BC-105074    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 黑   BC-105073    电源线   BC-105075    用户手册   CD-M-BEX-8510B  

多电平逆变器在中高压交流电机调速、分布式发电、静止无功补偿、新型直流输电等领域有良好的应用前景，已成为当前电力电子技术中备受人们关注的重要研究热点。传统电容钳位型多电平逆变器存在电容电压不平衡问题，且在分布式发电场合一般需要两级变流，损耗较大。本发明提出一种桥式模块化开关电容型五电平自平衡逆变器，将开关电容模块与电容箝位电路有机结合起来，实现宽变比电压输出和电容电压的自平衡，且容易实现电压的模块化扩展。与传统五电平逆变器相比，上述逆变器减少了电路元件数目，实现了多电平逆变器的升压输出，减少了中高压逆变器设计中升压变压器的变比，节约了成本，解决了母线电容电压不平衡的问题，提高了输出波形质量，有效降低了谐波含量，具有高效高功率密度的优势。同时，由于结构上的完美对称性，具有去共模电压的特征。

Technical parameters: (1) SRM (Switched Reluctance Motor) for medical centrifuge Power rating: 0.25~2kW or Customizable Rotational speed: 0~16000rpm or Customizable Efficiency: > 85% (2) Controller Power: 0.25~2kW or Customizable Voltage:110~380VAC, 50~60Hz System efficiency: > 80% Speed range: 0~16000rpm or Customizable Starting torque: 3TN Locked-rotor torque: 4TN Contact Information: Prof. Jun Cai, Novel Motor Drive and Control Research Team, C-MEIC, Nanjing University of Information Science and Technology Email: j.cai@nuist.edu.cn

本发明公开了一种具有新型定转子结构的轴向磁通开关磁阻电 机，该定转子机构包括同轴安装的定子以及转子，其中定子包括定子 齿部、定子轭部；定子齿部由有取向硅钢片叠压而成，其取向方向沿定子机构的轴向方向；定子轭部采用无取向硅钢片沿所子机构的轴向 方向叠压而成，无取向钢片之间留有空隙用于安装定子齿部；转子由 沿硅钢片沿定子机构的径向方向叠压。按照本发明，能够充分利用其 轧制方向上高导磁性，有效降低了电枢电流及电机损耗，而定转子的 模块化设计在利用有取向硅钢片轧制方向上高导磁特性的同时也避免 了传统轴向电机铁

本发明公开了一种中高压超快速开关及直流断路器，中高压超 快速开关包括两组动触头、两个操动机构、两个开关静触头和两组绝 缘拉杆；每一组动触头包括多个设置于绝缘拉杆上的表带触指动触头；当中高压超快速开关闭合时，表带触指动触头与开关静触头沿着 Y 轴 向 X 轴方向对齐，形成一条通流路径；当中高压超快速开关分断时， 两个操动机构沿着 Y 轴并远离 X 轴方向运动，并带动表带触指动触头 分离，隔断通流路径。本发明动触头采用表带触指，合闸时利用表带 触指自己提供接触压力，结构简单，具有更高的可靠

本发明涉及半导体开关领域，提供了一种反向开关晶体管的触 发电路，包括预充电路、主电路、恒流充电电路和触发控制电路；主 电路包括 RSD 开关和主电容 C0；预充电路用于为 RSD 开关的导通提 供所需要的预充电流，恒流充电电路用于为主电路和预充电路充电， 当充电电压达到预设的电压阈值时，通过触发控制电路发出信号给预 充电路，预充电路发出预充电流给主电路中的 RSD 开关，RSD 开关导 通后主电路中的主电容 C0 放

本实用新型涉及医疗器械技术领域，公开了一种带自锁功能的滑动流量安全开关，包括支架和安装在支架内的滑轮，滑动流量安全开关在关闭位置处设置有限位装置，限位装置安装在支架上。其使用方便，制作成本低，很好的保证了滑动流量安全开关的关闭状态，保证了使用的安全。

本发明公开了一种超声电机驱动的旋转式高速开关阀，包括阀体、上阀芯、阀板和下阀芯；上阀芯和下阀芯均固定在阀体内；阀板设置在阀体内，位于上阀芯和下阀芯之间，能够旋转；阀体具有进油口、回油口和出油口；上阀芯具有至少一个进油通道；下阀芯具有至少一个出油通道；阀板具有至少一个打开通道和至少一个关闭通道；进油通道的进油端与进油口相通；出油通道的出油端与出油口相通；打开通道的进油端与进油通道的出油端相对应，且出油端与出油通道的进油端相对应；关闭通道的进油端与进油通道的出油端相对应，出油端与回油口相对应。本发明无磁滞效应，可使用在磁敏感的场合，兼顾大流量、高压、高频响场合，同时结构简单，寿命长。

该装置克服现有太阳能集热装置不能实现与建筑物的真正集成和一体化，既无法做到有效的防风、防雷，容易造成安全隐患，更难以提高建筑围护结构的保温、隔热水平。使该装置不但使其在外观上实现与建筑一体化，而且在功能上也实现与建筑的一体化，在高效集热的同时，对建筑具有保温隔热作用。所适用的建筑围护  结构类型可以是外墙面或者屋顶，集热装置既可为单个的太阳能集热模块，也可为多个太阳能集热模块组成的集热器阵列。 本装置的优点是： 1.现了集热器与建筑集成，不但实现了外观上的一体化，而且实现了功能上的一体化。 2.高建筑围护结构的冬季保温水平和夏季的隔热水平。 3.护建筑表面，建筑围护结构不与外界环境直接接触，减少太阳能辐射对墙体的照射以及风雨的侵蚀，建筑外表面的温度和湿度变化大大减小，可大幅提高建筑构件的使用寿命。 4.高太阳能集热效率，腔室内空气温度在冬季高于环境温度，集热装置热损失将有所减少，效率有所提高。 本装置所适用的建筑围护结构类型既可以是外墙，包括直立或者倾斜墙面、阳台护栏墙，也可以是屋顶，包括平屋顶或者坡屋顶等；既可以应用于新建建筑中，也可直接应用于既有建筑的墙体或者屋顶节能改造，在添加太阳能热水系统的同时，完成节能改造。

一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封