产品详细介绍 小型真空碳管炉  产品编号：52310445116  ◎产品说明  设备技术：  本电炉为周期作业式，广泛用于功能陶瓷、光学材料、碳复合材料、硬质合金、粉末治金等高温下进行烧结处理，也可在充气保护下成型烧结。  技术参数：  1、型号：ZT-18-22  2、额定功率：18KW  3、额定温度：2200℃  仪表控温精度：正负1℃  5、控温方式：钨铼热电偶+红外衣  工作区尺寸：直径80x100mm  7、冷态极限真空度：5x10-3 Pa  8、压升率：2Pa/h  9、电源电压：380V 50Hz 单相  10、充气压力：<0.03Mpa（可充氮气、氩气）  11、发热元件：石墨管（高纯石墨）  结构与说明：  1、炉体：采用双层水夹层结构，"内层为不锈钢（1Gr18N9Ti）抛光。上、下法兰组焊筒形结构，法兰平面开设封闭槽。采用“0”圈真空密封，并设有水冷装置（防止因温度过高“0”圈老化）。开设有抽气、热电偶、红外仪等。  2、炉盖：采用双层水夹层封头结构，设有观察窗，屏蔽锁紧、开启装置，并通水冷。  3、炉底：采用双层水夹层封头结构，设有电极引出装置，支撑平台等，并设有水冷装置。  4、炉架：山型钢及钢板组焊成箱式结构，炉体安装放在箱体内，美观大方。  5、真空系统：又一台K-100扩散泵配冷阱，一台2XZ-8D直联泵、手动高真空蝶阀、真空压力表（Pa）、充气阀、放气阀和真空管路等组成，扩散泵采用金属波纹软管快速接头联接（减缓震动），真空度的测量采用数显复合真空计。  6、控制系统PLC控制：控制系统是由我公司自行开发人机对话操软件，画面显示友好，操作简单，要以炉内工况进行实时监测，软件彩色模拟屏显示，加热升温显示及真空阀门的控制都集成到电脑上操作，现场也可以手动操作，需要电脑操作时，直联由232接口连接到笔记本电脑上启动软件，可检测到各种状态，也可通过485通讯连接到办公室操作，本设备可采纳温度、真空度曲线和烧结时间，方便用户根据历史曲线分析烧结工艺。控温方式为1300℃以下热电偶升温。1000℃-2200℃红外仪表自动控制。压力控制可采用手动及自动方式。控制系统上设有过流、超温及断水等分类报警功能。  7、气路系统：整个系统中设有1个j进气口、1个放气口、可冲气氛。  8、电气控制：采用各种管道阀等相关装置组成，具有断水声光报警自动切断电源能。  9、变压器及连接电缆：采用与之相匹配的变压器及连接电缆。  10、发热元件及隔热屏：发热元件采用高纯石墨加工成圆筒形结构，隔热屏采用石墨复合材料、碳毡、石墨毡，保温性能好、加热均匀、辐射面大、耐冲击性好，可快速加热和冷却。保温层和发热分体，易维护和取装，保温套外用不锈钢框架支撑，固定。 

一、产品描述   真空炉产品主要针对实验室的日常应用开发，优质的炉膛材料和稳定的温度控制系统，可保证实验数据的可靠性；产品采用高纯氧化铝材料作为炉膛材料，选用质优的硅钼棒发热元件作为发热体，温度控制器采用微电脑PID控制模块，可实现精确的控温和恒温要求。可应用于金属材料、石墨材料、锂电材料、晶体材料等新材料领域；双炉门结构设计，内炉门隔热，外炉门法兰密封，优质的炉膛材料和稳定的温度控制系统可保证长期的可靠性。 二、产品特点 1、 炉膛材料选用进口轻质高纯氧化铝陶瓷材料，硬度高、高温不掉粉，高温烧结无挥发，环保安全，符合国际行业标准 2、 发热体采用优质硅钼棒，可承受负荷大，稳定且使用寿命长；硅钼棒均匀的排列在炉膛两侧，温场均匀性好 3、 升温速度快，温度均匀性好，80分钟可升到1600℃，较行业内同规格电炉烧结效率提高3倍以上，安全高效 4、 控温精度高，冲温小，具有温度补偿和温度校正功能，控温精度为±1℃ 5、 采用智能PID控温仪表，具有程序功能，可设定升温曲线，可编30个程序段 6、 一体式结构，双层外壳，水冷结构，出色的外观设计，美观、大方 7、 电子元器件均采用德力西产品，带有漏电保护功能，安全可靠 8、 本机对工作过程中的超温会发出报警信号，并自动完成保护动作 9、当仪表程序设定完成后，只要按下运行按钮，接下来的工作会自动完成 10、可选配大屏幕无纸记录仪或者RS232通讯接口，实现对升温曲线的实时记录，并带有存储卡可对实验数据进行分析和打印

MS-246小型多靶磁控溅射镀膜机 真空腔室：1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，上开盖和前开门结构；真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；极限真空：优于8✕10-5Pa（设备空载抽真空24h）；真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；升降基片台：尺寸直径100mm，高度60～120mm可调，旋转0～20r/min可调，可加热至300℃（可选水冷功能），可选配偏压清洗功能；磁控靶：直径2英寸2只（可升级成3只），兼容直流和射频，可以溅射磁性材料的靶材；溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；质量流量计：10sccm、50sccm质量流量控制器各1套；膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空；整机尺寸：L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架，预留1个CF35法兰接口。

EV-246小型电阻蒸发镀膜机真空腔室：1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，上开盖和前开门结构；真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；极限真空：优于8✕10-5Pa（设备空载抽真空24h）；真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；基片台：可拆卸式，尺寸60✕60mm，旋转0～20r/min可调，可加热至300℃（可选水冷功能）；蒸发源及电源：水冷铜电极3组，逆变式蒸发电源，功率2KW，配源间防污隔板；膜厚监控仪：采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚；控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空；整机尺寸：L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架，预留1个CF35法兰接口。

中国发明专利ZL202210046308.4：采用无乳化剂、无有机交联剂的微流控法制备规整球形的海洋高分子微球，微球实心或空心、粒径（200纳米-50微米）、微观结构可控可调，可作为吸附材料、药物香精等载体材料的应用。

产品详细介绍杜甫仪器'SHB－95型真空泵'循环水真空泵'循环水式真空泵该泵是以循环水作为工作流体的喷射泵，是利用流体产生负压而设计的一种新型真空抽气泵，同时还能向反应装置中提供循环冷却水，特点是在于水压不足或缺水源的实验室更显之优越，此泵广泛用于蒸发，蒸馏，干燥，过滤减压，升华等，是大专院校，医药化工，食品加工等实验室的理想设备。(1)一机单表多管作业，设有五个抽气头。可单独或并联使用。(2)外壳采用不锈钢或防腐材质两种，噪音低，寿命长。(3)吸收有害气体机物质，利于环保。(4)节水，节能。杜甫仪器'SHB－95型真空泵'循环水真空泵'循环水式真空泵(1)一机单表多管作业，设有五个抽气头。可单独或并联使用。(2)外壳采用不锈钢或防腐材质两种，噪音低，寿命长。(3)吸收有害气体机物质，利于环保。(4)节水，节能。本机5抽头，可单独或并联使用，装有1个真空表,专配50L旋转蒸发器，双层玻璃反应釜，低温冷却液循环泵 ，可为用户配置五联通及优质专用真空管。因为专业，所以保证质量；因为专一，所以价格优惠。本产品经广大用户使用后，得到高度评价和认可。随时欢迎您的垂询与合作。

本发明公开了一种基于微流控技术的柔性电子制作方法，其包 括以下步骤：提供一个同轴针头；提供柔性聚合基底材料，并在所述 柔性聚合基底材料内添加表面活性剂以形成柔性组合物；提供平板， 并在所述平板的表面上涂一层预定厚度的所述柔性组合物；将所述柔 性组合物及导电液体分别置于两个微型泵内，并将两个所述微型泵的 出口分别连接于所述同轴针头；先后开启收容有所述导电液体的微型 泵及收容有所述柔性组合物的微型泵，并基于微流控技术分别控制两 个所述微型泵的压力及流量；待所述同轴针头内的所述柔性组合物与 所述导电液体之

纳微胶囊技术即将活性物质（芯或内相）用各种天然的 或合成的高分子化合物连续薄膜（壁或外相）完全包覆起 来，而对目的物的原有化学性质丝毫无损，然后逐渐地通过 某些外部刺激或缓释作用使目的物的功能再次在外部呈现出 来，或者依靠囊壁的屏蔽作用起到保护芯材的作用。 鉴于纳微胶囊化技术带来的实用价值及其在众多领域中 的应用前景，已经越来越受到人们的关注，目前对纳微胶囊 化技术的研究主要集中在开发性能更优的纳微胶囊产品、新 的纳微胶囊制备方法、更佳的乳化方法、更合适的壁材以及 纳微胶囊性能的评价方法等。此外，为了从理论上对微胶囊 的研制进行指导，人们通过建立数学模型并运用先进的检测 手段对纳微胶囊的形成机理、芯材的释放机理进行了更深入 的研究。我国研究人员对微胶囊技术的研究虽然起步较晚，但已取得了很大的进步，在医药、食品、染 料、涂料、纺织、细胞移植等领域进行了一定的实际应用和较深入的研究，不过与国外相比还存在较大 差距，特别是对成囊机理的分析，新技术、新设备的开发，药物控释、缓释及靶向释放等方面的研究还 很不足。 本项目组已研发出多款纳微胶囊技术： 1. 多壁材纳微胶囊技术：采用酪蛋白

磁流变液是一种机敏材料，在外加磁场的作用下，液体的粘度发生很大的变化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件，它们可以用于车辆悬挂系统，土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力，且

已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。