本发明公开了一种磁纺制备导电聚合物微纳米纤维的方法，包括以下步骤：(1)搭建磁纺装置：所述磁纺装置包括带有永磁铁的旋转收集圆盘；(2)配制纺丝前躯体溶液：磁性纳米颗粒、高分子聚合物和导电聚合物混合溶于有机溶剂配溶液；(3)利用磁纺装置制备导电聚合物微纳米复合纤维：将纺丝前躯体溶液注入给料装置中，开启给料装置，纺丝喷头喷射口处的液滴在磁场力的作用下形成射流与永磁铁搭连成桥，打开直流无刷电机带动收集圆盘旋转，在磁场力作用下铁磁流体射流不断被拉出，在收集圆盘的竖直支柱间缠绕形成合导电聚合物微纳米纤维。该方法无需高压电作用，降低了生产成本和安全隐患，纤维排布有序，适合大规模生产，具有很好的应用前景。

产品详细介绍：电化学加工（宏微二级驱动）工作台主要应用于电化学加工方面，具有X-Y-Z方向三维宏动和X-Y-Z方向三维微动。宏动平台采用步进电机结合高品质滚珠丝杆。微动平台由三台压电陶瓷致动器驱动的一维纳米级精密定位工作台MPT-1JRL003通过连接板组合而成。　　在驱动中，首先采用步进电机驱动的大行程、低分辨率的机构进行粗定位,实现大行程范围内快速地微米级定位精度，然后采用压电陶瓷驱动小行程、高分辨率的微动工作台在微米级行程范围实现对粗定位平台的纳米级误差补偿。 　

XM-847细胞超微立体结构模型   XM-847细胞超微立体结构模型为立方形半模式细胞立体的超微结构，细胞三面剖开细胞膜，切开细胞核的1/4部分。暴露各种细胞器及核的结构，主要的细胞器有线粒体，粗面及滑面内质网，高尔基体，中心粒等，细胞核切面显示核膜、染色质和核仁，同时还显示核糖体、溶酶体，微丝、微管、分泌泡等。此外，细胞膜还显示微绒毛（已切除）及基底膜內褶等结构。 尺寸：36×27×52cm 材质：PVC材料

产品详细介绍品牌：久滨型号：JB-250A名称：陶瓷乳钵式微粉研磨机一、产品概述：　　JB-250A型陶瓷乳钵式微粉研磨机，主要用于替代国内生产中手工研磨或高等院校的物料研磨实验，可广泛用于化工、电子、制药、冶金等行业的超硬颗粒或微粉研磨，粉末细度可达纳米级，是一款高效节省人工的自动化研磨设备。二、技术参数：1、乳钵口径：250mm2、最大研磨量：300g/次3、研棒转速：120rpm4、研钵转速：10rpm5、研棒功率：60w6、研钵功率：40w7、研钵材质：高铝陶瓷8、研棒棒头材质：高铝陶瓷9、运行时间控制：自动设定10、长X宽X高：500*500*920mm11、重量：35kg12、电压：220V  50/60HZ三、适用条件：1、研磨颗粒要求：颗粒硬度没有限制，颗粒大小≤0.5mm；2、研磨方式：可干磨也可湿磨；

产品详细介绍品牌：久滨型号：JB-250A名称：陶瓷乳钵式微粉研磨机一、产品概述：　　JB-250A型陶瓷乳钵式微粉研磨机，主要用于替代国内生产中手工研磨或高等院校的物料研磨实验，可广泛用于化工、电子、制药、冶金等行业的超硬颗粒或微粉研磨，粉末细度可达纳米级，是一款高效节省人工的自动化研磨设备。二、技术参数：1、乳钵口径：250mm2、最大研磨量：300g/次3、研棒转速：120rpm4、研钵转速：10rpm5、研棒功率：60w6、研钵功率：40w7、研钵材质：高铝陶瓷8、研棒棒头材质：高铝陶瓷9、运行时间控制：自动设定10、长X宽X高：500*500*920mm11、重量：35kg12、电压：220V  50/60HZ三、适用条件：1、研磨颗粒要求：颗粒硬度没有限制，颗粒大小≤0.5mm；2、研磨方式：可干磨也可湿磨；

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

本发明公开了一种面向中高压智能配电网的电力电子变压器，包括位于高压侧的模块化多电平变流器、中间侧的输入串联输出并联隔离型ＤＣ?ＤＣ变换器和低压侧的变流器；模块化多电平变流器输出的正极连接第一个隔离型ＤＣ?ＤＣ变换器模块的输入侧逆变桥前一桥臂的中间点，负极连接最后一个隔离型ＤＣ?ＤＣ变换器模块的输入电容负端；相邻两个隔离型ＤＣ?ＤＣ变换器模块的连接方式为前一模块的输入电容负端连接后一模块的逆变桥前一桥臂的中间点。本发明可以避免在ＭＭＣ模块输出电压短路的情况下，ＩＳＯＰ输入电容短路的问题；ＩＳＯＰ模块间采用交错控制的调节方式，使得输入电流纹波减小，有利于降低系统体积；成本较低，便于进一步的推广应用。

本成果以混合自适应 人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见 光的吸收。进一步，使用该结构实现了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜，在可见光 532纳米波长实现211纳米线宽的聚焦光斑，可大大提高共聚焦显微镜分辨率。此成果在2018年12月美国光 学学会旗下光学与光子学新闻（Optics & Photonics News）入选为本年度国际光学重要进展，并对该成果作 了整版报道。已申请国内发明专利一项。 本成果适用于显微显纳成像、激光光刻、光镊等光学聚焦应用相关领域。进一步扩展，可用于光学摄 像及显示技术中的微光学器件。已作为光学探针初步应用于共聚焦成像系统，目前正研制新一代技术拓展 于手机摄像、显示微光学等。