碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。

碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管 - 硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备 p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管 - 硅还是石墨烯 - 硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。

南方科技大学化学系副教授何凤课题组在能源领域顶级期刊Joule发表最新研究成果，介绍了团队合成的一种定位三氟甲基取代的高效有机太阳能电池受体材料，该材料可通过H/J聚集的协同作用形成具有更多电子跳跃传输结点的三维网络结构，可极大改善电荷在分子间的传输，大幅提高器件性能。 在该研究中，团队成功地将三氟甲基引入到稠环电子受体中，得到了超窄带隙受体BTIC-CF3–γ，并将其应用于太阳能电子器件中，极大地提高了器件的能量转换效率，充分体现出光谱红移和超窄带隙的优势，在多元体系、半透明器件和叠层器件应用方面展示出非常有潜力的前景。更重要的是，BTIC-CF3–γ的单晶结构有助于研究人员从分子层面理解这类分子的堆积形式以及分子间相互作用，也为进一步设计新的高性能材料提供了有利的依据和指导。

HMDS真空预处理烘箱产品用途:该产品主要用于半导体行业，HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。     一、产品规格： 型号：BD/HMDS-6090   内形尺寸：450×450×450     型号：BD/HMDS-6210   内形尺寸：560×640×600   二、 技术参数： 1、控温范围：RT+10～250℃  2、温度分辨率：0.1℃     3、温度波动度：±1℃ 4、达到真空度：小于133Pa 5、真空度：100Pa～100000Pa 6、定时范围：1～9999min 7、工作室材料：316L 8、样品架：2块、3块 9、真空泵：4L/S 10、电源电压：220V/50Hz、380V/50Hz三相五线制 11、总功率：3000W、4500W 三、产品特点： 1、外壳采用冷轧钢板制造，表面静电喷塑。内胆、样品机、连接管路均采用优质不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。 2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。 3、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 四、HMDS预处理系统操作流程： 1、首先确定烘箱工作温度； 2、预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分; 3、再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应; 4、当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。 五、控制系统： 1、7.0英寸维纶彩色触摸屏，三菱PLC控制器； 2、富士微电脑双数显温度PID控制器，控温精确可靠； 六、保护系统： 1、漏电保护； 2、超温保护； 3、缺液保护；              七、设备使用条件： 1、环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃） 2、环境湿度：≤85%R.H 3、操作环境需要室内通风良好,机器放置前后左右各80公分不可放置东西; 八、HMDS真空预处理烘箱服务承诺： 保修十二个月，免费送货上门,在对该设备安装调试结束后,在用户现场对相关技术人员免费做相应的操作培训,人数不限。

（专利号：ZL 201510044649.8） 简介：本发明公开了一种光伏‑光热‑热电与烘烤一体化太阳能利用装置，属于太阳能利用领域。本发明的太阳能利用装置，包括支撑机构、反射机构、光热转化机构和热水存储机构，支撑机构上固连有反射机构，用于将太阳光反射到光热转化机构上，该光热转化机构固定于支撑机构的顶部固定框上，且光热转化机构为双效集热器和太阳能烘烤箱，双效集热器用于光热发电以及对热水存储机构供热，太阳能烘烤箱用于对放置的物品进行烘烤。本方案通过各个机构间的有机结合，实现了光伏发电、光热制热水、温差发电和光热烘烤的有机组合，增加了太阳能的利用率，且双效集热器的集热速度快、发电量足，太阳能烘烤箱的烘烤效果好，装置的集成性能高。  

所属领域：家用电器 项目中全直流空调器通过对每块太阳能电池模组标配一个太阳能控制器，实现每块太阳能电池板 都能跟踪到最大功率点。通过将太阳能控制器进行小型化、模块化、标准化的设计，使其可以直接安 装于太阳能模组上，实现分布式独立控制。利用蓄电池一方面可以作为短时间内的直接电源，在长时 间内主要的用途是平滑太阳能发电的功率波动，让太阳能侧的功率在加入蓄电池后变得输出平稳。基于太阳能电池和蓄电池、市电混合使用的，太阳能发电被优先利用的混合能源空调器系统。太 阳能电池板面积 4m2 光伏电池板功率 600W 蓄电池。空调器主要技术指标可以达到制冷量：3.5kW（0.35—4.2kW）制热量：4.7kW（0.4—5.2kW）制冷剂：R410A 能效比 SEER: 5.6 （GB 21455）。

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO₂薄膜、2)在有 SiO₂层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO₂，将光刻的图形转移到 SiO₂层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微

晶硅光伏组件生产完成之后，必须经过外观检测，以确定是否有虚焊、碎片、异物等外观缺陷。一般而言，外观检测都是人工完成，具有工作烦累、容易出错等问题。晶硅光伏组件还要经历电致发光（ EL）测试，以确定是否有裂纹、黑芯片、硅片杂质缺陷、电极缺陷、片源不一致等问题。一般而言，这部分的检测都在设备中进行，目前的设备只能得到整个组件的 EL 测试图像，需要人工针对该图像进行缺陷分析，强烈依赖于检测人员的技术能力和责任心。本产品是晶硅光伏领域专家与机器视觉公司合作开发，将晶硅光伏组件的

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面