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真空热压烧结炉材料真空烧结成型实验炉
北京锦正茂科技有限公司
2022-01-25
超高真空光纤馈通法兰 KF25 KF40真空 密封法兰馈通 过真空装置
北京锦正茂科技有限公司
2022-11-17
维意真空小型桌面磁控溅射镀膜机支持定制
MS-246小型多靶磁控溅射镀膜机
真空腔室：1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，上开盖和前开门结构；真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；极限真空：优于8✕10-5Pa（设备空载抽真空24h）；真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；升降基片台：尺寸直径100mm，高度60～120mm可调，旋转0～20r/min可调，可加热至300℃（可选水冷功能），可选配偏压清洗功能；磁控靶：直径2英寸2只（可升级成3只），兼容直流和射频，可以溅射磁性材料的靶材；溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；质量流量计：10sccm、50sccm质量流量控制器各1套；膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空；整机尺寸：L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架，预留1个CF35法兰接口。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
维意真空小型桌面热蒸发镀膜机支持定制
EV-246小型电阻蒸发镀膜机真空腔室：1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质，氩弧焊接，上开盖和前开门结构；真空系统：机械泵+分子泵（进口和国产可选）；极限真空：优于8✕10-5Pa（设备空载抽真空24h）；真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；基片台：可拆卸式，尺寸60✕60mm，旋转0～20r/min可调，可加热至300℃（可选水冷功能）；蒸发源及电源：水冷铜电极3组，逆变式蒸发电源，功率2KW，配源间防污隔板；膜厚监控仪：采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚；控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空；整机尺寸：L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架，预留1个CF35法兰接口。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
高真空密封光纤馈通定制配套的真空法兰盘
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-03
锦正茂高真空密封光纤馈通法兰过真空装置
北京锦正茂科技有限公司
2022-07-01
高真空接头 2.92 高精密真空射频 SMA连接器
高真空接头 2.92 高精密真空射频 SMA连接器
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作为北京高科技企业，锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。
锦正茂始终秉承“诚信、合作、创造、共赢”的经营理念，将现代化管理技术引入到产品生产与管理中，通过新的军民融合平台建设，形成具有一定市场竞争优势的高科技企业；其次，公司逐步形成以现代化高科技产业化带动企业价值增张的商业模式，坚持“与时俱进，科技创新”的思路，彰显业务的核心优势，共创新的战略制高点。
公司目前拥有各类技术人员30余名，其中产品研发工程师10余名（高级工程师4名）、工艺工程师3名、检测工程师2名，售后服务工程师3名。已形成完整的设计、生产、安装、调试、维修及相关配套服务的专业化的人才队伍。承接大、中、小型仪器仪表的设计、生产、安装、调试、维修业务。
北京锦正茂科技有限公司
2022-09-28
VFT光纤过高真空密封装置配套的真空法兰盘
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-18
一种激光触发真空开关及开关系统
本发明公开了一种激光触发真空开关及其触发系统装置。激光 触发真空开关包括密闭壳体、第一电极主件、第二电极主件。第一电 极主件包括燃弧电极、第一电极法兰、第一电极平台、聚焦镜。第二 电极主件包括燃弧电极、第二电极法兰、第二电极平台、靶电极。触 发系统装置主要包括计算机、转换器、开关电路板、激光器和激光触 发真空开关。激光触发真空开关的工作电压高达 30kV，工作电流高达 500kA，不存在以往电脉冲触发高压隔离困难、触发稳定性差、使用寿 命短等问题，能有效降低激光触发能量，改善开关器件的延时与抖动。触
华中科技大学
2021-04-14
一种微机电系统的圆片级真空封装方法
一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级 MEMS
华中科技大学
2021-04-14