产品详细介绍产品简介BT系列双远心镜头是机器视觉高精度检测、精密测量的关键组件。根据型号列表，可以根据要求快速查询与之相匹配的相机，例如BT-2364代表相机的CCD尺寸最大为2/3″，其可观测到的视野大小为64x48mm。BT系列双远心镜头产品特点● 兼容高分辨率/小像元尺寸的相机，如500万像素， 2/3″的相机；● 远心度小，分辨率高，低于0.1％的畸变；● 在景深范围内没有放大倍率的变化；● 像方和物方双远心设计，光透射率高；● 标准C接口，最高可支持2/3″成像靶面工业相机。应用实例喷砂金属面字符检测 手机外壳背面字符缺陷检测 普通工业镜头拍摄效果 双远心镜头拍摄效果检测手机外壳背面字符缺陷 金属表面砂砾在光线照射下会产生漫反射光晕，影响字符和背景的对比度， 造成字符聚焦不清，增加检测难度。 平行光入射，成像不受漫反射的影响，清晰聚焦，在后期字符检测、识别时变得简易、高效。硅钢片铁芯尺寸测量 硅钢片检测  普通工业镜头拍摄效果  双远心镜头拍摄效果测量硅钢片铁芯外形尺寸 普通镜头景深太小，内边缘会产生纵向视差，影响测量精度；金属边缘会发生杂散光反射现象，产生虚影，无法精确提取轮廓边缘；在视场70%的区域和中心区域会存在1%左右的无规则畸变，会影响测量精度。无纵向和横向视差，可彻底解决视差问题；平行光入射，可避免各种杂散光反射，提高图片边缘锐度；系统畸变小于0.08%，可最大程度减小畸变对测量精度的影响。手机屏幕尺寸、瑕疵检测 手机边框检测  远心镜头检测检测手机屏幕、边框是否有划痕，测量屏幕外形尺寸。 由于手机边框反光，普通镜头无法检测到微小缺陷，双远心镜头平行光入射，检测结果不受杂散光影响。由于手机屏幕透明透光，普通镜头无法检测到细小划痕，双远心镜头平行光入射，细小特征提取对比高。 手机屏幕透明透光、边框反光，使用普通镜头进行尺寸测量，屏幕和边框的过渡区域会因二次反射形成漫反射带，造成边界提取精度不高，使用双远心镜头只有一条过渡带，测量精度高，便于后期算法处理。检测橡胶密封圈内外径尺寸 一般成像系统存在3%或以上的畸变，由其在视场边缘区域，会造成外形轮廓变形失真；同时由于景深小，拍摄图片不清晰，都影响测量精度。 双远心镜头景深大，畸变小（一般控制在0.1%以内），图片边缘清晰，测量精度高。 性能参数①物距：前端物镜到物体的距离。使用时将其设定在标准值的±3%之内可达到最佳分辨率和最低畸变。②远心度：镜头主射线的最大斜率。③景深：虽位于景深边缘的图像测量数据仍然有效，但要获得清晰的图像，应尽量采用标称景深的一半。物距、景深可根据客户具体需要进行适当调整。

产品详细介绍HB796型直流信号源，是在我公司二十多年的仪器生产经验基础上，并采用了先进的电子技术，汲取了大量的现场工作经验，自主开发推出的新一代双通道直流信号源。 仪器具有独立电流、电压、电阻输出功能，可专门用于校验热工二次仪表，其采用高精度D/A转换技术，全数字化设定，操作方便快捷，提高校准效率，是一款得力工具。         主要技术指标   输出       输出量程       准确度    分辨力    负载电阻 电压       10.0000V       ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  0.1mV     ≥5kΩ        25.0000V       ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  0.1mV     ≥10kΩ        50mV      ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  5μV       ≥2MΩ        100mV    ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  10μV     ≥5MΩ 热电偶    10种TC ℃   见下表    0.1℃      ≥5MΩ 电流       25.0000mA     ±(0.03％RD ＋0.02％F.S)  10μA     ＜750Ω 电阻       1~400.000Ω  ±(0.05%F.S+50mΩ)   10mΩ    --- 热电阻    4种RTD ℃  见下表    0.1℃      --- 24V DC   ±2％F.S（输出200mA时）      ---   热电阻准确度指标 热电阻    输出范围       准确度    分辨率 Pt10 输出       （－200～850）℃       ±2℃     0.1℃ Pt100      输出       （－200～850）℃       ±0.5℃   0.1℃ Cu50       输出       （－50～150）℃  ±0.5℃   0.1℃ Cu100     输出       （－50～150）℃  ±0.5℃   0.1℃   热电偶准确度指标 热电偶    输出范围       准确度    分辨率 S     输出       （－40～0）℃     ±2℃     0.1℃               （0～1760）℃     ±0.5℃   R     输出       （－40～0）℃     ±1℃     0.1℃               （0～1760）℃     ±0.8℃   B     输出       （250～1820）℃  ±0.5℃   0.1℃ K     输出       （－210～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1200）℃     ±0.2℃   N     输出       （－120～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1300）℃     ±0.1℃   E     输出       （－270～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1000）℃     ±0.2℃   J      输出       （－210～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～1200）℃     ±0.2℃   T     输出       （－270～0）℃    ±0.5℃   0.1℃               （0～400）℃       ±0.3℃    

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。 

CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。

一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃～850℃后即刻停止加热，使其随炉冷却至500℃～600℃保温3分钟～5分钟，然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100％，结晶性能好，表面均方根粗糙度较低，而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。

声表面波瓦斯传感器具有体积小、灵敏度高、工作稳定、生产成本低、易于集成化和无线化等独特优点，能够有效解决热催化式瓦斯传感器的零点漂移、定期维护难和维护费用高等问题，并且能弥补光学瓦斯传感器的占用空间大、传感占距长和传感分析复杂等不足，能有效提高煤矿瓦斯检测和预警技术，保证煤矿安全。成果获 2012 西安市科学技术奖三等奖；获批国家实用新型专利 1 项。

本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域，涉及一种Fe2O3纳米薄膜卷曲管的制备方法，利用电子束沉积镀膜技术和纳米膜卷曲技术，先制备单质Fe的纳米膜卷曲管结构，然后在空气气氛下退火得到Fe2O3纳米膜卷曲管；其制备工艺简单，操作方便，原理科学，无污染，环境友好，能够有效控制卷曲管的管壁厚度，制备的纳米膜卷曲管长度能达到几百微米。本发明在新能源、气敏、催化、等领域具有重要用途。

本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电

CIGS薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体，其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层，构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被p-n结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速