产品详细介绍

技术亮点 ❖ 单轴/双轴测量； ❖ 超宽测量范围：±180°； ❖ 卓越的测量精度，0.01°（全量程）； ❖ 工业级可靠性设计； ❖ 符合严苛工业环境应用要求； ❖ 多种标准输出接口，便于系统集成与扩展。   应用范围 该系列产品特别适用于：建筑结构健康监测（古建筑、历史遗迹、危房等）、工业自动化控制系统以及高精度角度测量应用场景需要长期稳定监测的工业现场。   产品介绍 STS标准输出型倾角传感器是瑞惯科技专注于工业自动化控制领域而研发的产品。该产品采用紧凑型工业设计，配备RS485/RS232标准串行通信接口，集成高性能MEMS倾角传感单元和24位高精度差分A/D转换器，结合五阶数字滤波算法，可实现水平面倾斜角与俯仰角的高精度测量。 凭借其优异的测量精度、可靠的工业级性能和灵活的配置方案，STS标准输出型倾角传感器已成为工业测量领域的高性能解决方案。   性能参数 STS 条件 参数 测量范围 - ±10° ±30° ±60° ±90° ±180° 测量轴   - X Y轴 X Y轴 X Y轴 X Y轴 X轴 分辨率1） - 0.001° 精度 最大绝对误差2） 室温 0.01° 0.01° 0.015° 0.02° 0.02° 均方根值误差3） 室温 0.008° 0.008° 0.008° 0.009° 0.009° 零点温度系数4） -40～85℃ ±0.0005°/℃ 灵敏度温度系数5） -40～85℃ ≤0.01%/℃ 上电启动时间   0.5S 响应频率 20Hz 输出信号 TTL / RS232 / RS485可选 通信协议 串口通讯协议 / MODBUS RTU协议 可选 电磁兼容性 依照EN61000和GBT17626 平均无故障工作时间 ≥99000小时/次 绝缘电阻 ≥100兆欧 抗冲击 100g@11ms、三轴向(半正弦波) 抗振动 10grms、10～1000Hz 防水等级 IP67 电缆线 标配2米M12航空插头带PVC屏蔽电缆线，线重≤120g 重量 ≤150g(不含电缆线) 1) 分辨率：在有效量程内可识别的最小角度变化量，反映其对微小倾角波动的监测能力。 2) 最大绝对误差（MAE）：全量程范围内，对多个标准角度点进行测量，各测量值与实际角度值偏差绝对值的最大值。该参数表征产品在最不利情况下的测量偏差极限。 3) 均方根误差（RMSE）：量程范围内，对固定角度点进行多次重复测量（采样次数≥16次），计算各测量值与实际角度值偏差的均方根值。该参数反映测量结果的重复性与稳定性，是评估系统随机误差的重要指标。 4) 零点温度系数：传感器在零输入状态下，其输出值随温度变化的比率，定义为额定工作温度范围内零点偏移量与常温基准值的比值。   5) 灵敏度温度系数：传感器满量程输出值随温度变化的稳定性指标，表征额定温度范围内灵敏度相对于常温参考值的漂移率。

研究团队发展了独特的液态金属旋涂工艺，制成了金属钠薄膜，首次揭示了金属钠膜的优异光波段等离激元特性。

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本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题，在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上，从市场需求及产业化的角度，优选具有显著分子间相互作用力的体 系，开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究，获得一套稳定可靠的产业化工艺参数，制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品，打破该产品国外垄断的局面。

本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑 薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液 体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处 理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本 发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理 改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高 器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的

本发明公开了一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法。该方法在传统的 PbI2 前驱体 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶剂中的溶解性，以免在旋涂时形成不均匀的晶核，影响钙钛矿 生长的均匀性。在空气中 100℃烧结 5 分钟后，往钙钛矿层上刮涂上一种含有 CH3NH3I 的碳浆，在空气 中 100℃烘干，再次刮涂上一层不含 CH3NH3I 的碳浆以降低器件电阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均匀滴在碳电极上

本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该

一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料 与器件制备领域，解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底

本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条；微流控芯片基片制作有微沟道 和分布于微沟道两侧的电极凹槽；微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口，进样口、出样 口与微沟道两端连通，银浆注入口与电极凹槽连通；玻璃基片和微流控芯片基片键合，?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单，成本低廉