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少层石墨双炔薄膜制备
以石墨烯为模板的少层石墨双炔薄膜的液相范德华外延生长法。以原子级平整的二维石墨烯为基底，采用极低的单体浓度（0.04 mM），在室温下进行偶联反应，通过溶液相范德华外延的方法，成功制备得到了大面积均匀连续的高质量、少层石墨双炔薄膜，高分辨透射电镜和光谱表征证实了其高质量单晶结构。该石墨双炔薄膜为ABC堆垛的三层结构，电子衍射显示石墨双炔/石墨烯薄膜具有两套单晶衍射点，分别对应于石墨双炔和石墨烯的单晶衍射图案，结果表明生长在石墨烯上的石墨双炔与下层石墨烯的晶格取向夹角为14°。
北京大学
2021-04-11
论坛观点聚焦 | 平行论坛：标准引领的“双一流”建设
5月23-25日，建设教育强国·高等教育改革发展论坛在长春举行。高水平大学书记校长、顶尖专家学者、创新型企业家等，齐聚一堂，共同开展教育领域重点难点问题大讨论，促进最活跃、最前沿思想的“交流碰撞”，实现“同题共答”、经验共享。
中国高等教育学会
2025-06-06
石墨烯基透明导电薄膜、复合导热膜及吸附材料
将石墨烯进行二维或三维组装，制备透明可导电薄膜、复合导热膜及吸附材 料技术。
上海理工大学
2021-01-12
一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学
2021-04-14
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
本发明公开了一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2向管式炉中通入惰性气体；S3 对管式炉进行升温处理使其达到750℃～1000℃并保持 10 分钟～50 分钟，向管式炉中通入氢气，并对金属镍片衬底进行热处理；S4 向管式炉中通入流量为 20sccm～100sccm 的碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解以及镍片溶碳后同时生长石墨烯和非晶碳薄膜；S5 对管式炉进行降温处理，并将生长有石墨烯和非晶碳薄膜的镍片
华中科技大学
2021-04-14
一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1：对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2：向所述管式炉中通入惰性气体；S3：对所述管式炉进行升温处理使其达到 600℃-720℃，向所述管式炉中通入氢气，并对所述金属镍片衬底进行热处理；S4：向所述管式炉中通入碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解后生长非晶碳薄膜；S5：对所述管式炉进行降温处理，并将生长有非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜。采用本
华中科技大学
2021-04-14
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;
华中科技大学
2021-04-14
一种大面积的米级碳纳米管/石墨烯薄膜
本项目主要涉及到一种大面积的米级碳纳米管/石墨烯薄膜。本技术产品可应用于智能电发热材料， 超轻薄防弹衣材料，电磁屏蔽膜，防火耐腐蚀衣服及涂料，手机散热材料，复合结构材料等。本技术产品 具有世界最轻，最薄，超柔软可揉搓，高导电导热的性能，并且具有量产性强，成本低廉的优势。在数十 个行业领域具有可革命性的替代能力。本次主要介绍该材料在短期内可迅速成果转化的智能电加热及散热 方面的技术应用。 缚，真正保持了纯天然的特性，使产品的质量迈上一个新台阶。 本技术成果已经工业化应用的有高纯度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 苍子油、澳洲茶树精油等；应用领域涉及石化、化工、食品、医药、日化、香料等行业。产品的提纯用普 通的蒸馏方法或者分子蒸馏难以达到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 联用技术在热敏性物料的精细分离提纯中具有十分广阔的市场。对投资者要求：从事热敏性组分分离的企 业，研究所及设备生产厂家。
中山大学
2021-04-10
一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴
本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均
华中科技大学
2021-01-12