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先导中心8 寸平台上制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆
已有样品/n实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调,使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。
中国科学院大学 2021-01-12
锡纳米晶为模板合成具有带隙可调的锡锗合金纳米材料
通过精细调控Ge2+离子前驱体溶液与已制备的锡纳米颗粒反应,合成带隙可调的半导体锡锗合金纳米晶(0.51 eV至0.71 eV)。使用的锡纳米晶模板可以大大降低反应的成核、结晶和生长的反应能垒。与以前报道的反应温度(约300 ℃)相比,课题组的方法可以在较低的温度下(60-180 ℃)得到锡锗合金纳米晶。课题组深入阐明了从锡到锡锗合金纳米晶的相变机理,清晰揭示了从不均匀核壳结构到均匀合金结构的演变过程。
南方科技大学 2021-04-13
一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法
本发明涉及金属材料加工技术领域,具体涉及一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法。包括以下步骤:将超高纯铝板材于50℃~300℃下热轧,道次压下量控制在40%~50%;将热轧后的超高纯铝板材在100~300℃温度下保温0~1小时;然后进行冷轧,道次压下量控制在40%~50%,通过对板材进行道次间空冷、水冷以及冰水冷却控制板材轧制过程的温升,抑制板材的
东南大学 2021-04-14
抗癌药氨鲁米特的三个新共晶化合物
共晶技术是提高化合物水中溶解度的有效手段,通过控制分子间相互作用,在不改变化学结构的情况下,改变原料药的理化性质。本课题合成了3个氨鲁米特新共晶,新共晶的水中溶解度与原料相比,均有明显提高。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 研发背景:氨鲁米特(Aminoglutethimide,3-乙基-3-(4-氨基苯基)-2,6-哌啶二酮)是一种肾上腺皮质激素抑制药及抗肿瘤药。结构:   氨鲁米特的抗癌机理是P450芳香化酶的抑制剂,阻止雄激素转变为雌激素。进而抑制肿瘤细胞的生长。临床适应症是:用于绝经后或卵巢切除后的晚期乳腺癌,对雌激素受体或孕激素受体阳性患者疗效较好。用于皮质醇增多症(柯兴综合征),抑制肾上腺皮质功能。 需要解决的问题:氨鲁米特在水中极微溶解,溶解度约为2mg/ml。属于微溶物质。不仅影响了药物的生物利用度,而且严重影响该药物的新药开发和临床使用效果。 创新性: 本课题合成了3个氨鲁米特新共晶,新共晶的水中溶解度与原料相比,均有明显提高。新共晶结构见图1、图2、图3。 图1氨鲁米特-3,5-二硝基苯甲酸共晶 图2氨鲁米特-间甲基苯甲酸共晶 图3 一种氨鲁米特+2-硝基苯甲酸 技术先进性:共晶技术是提高化合物水中溶解度的有效手段,通过控制分子间相互作用,在不改变化学结构的情况下,改变原料药的理化性质。共晶体使活性药物成分(API)除了物理化学性质外,其流动性、化学稳定性、压缩性和吸湿性也发生变化。共晶体成为一种潜在的新药固体形式,有很好的开发和应用前景[1-3]。 推广应用价值:提高药物水中溶解度的方法很多,共晶技术是其中比较有效的一种手段,该合成技术不需要特殊条件和设备,成本低、容易实现。具有开发成新药的市场应用前景。 本课题合成的三个氨鲁米特新共晶的溶解度与国外文献报道氨鲁米特共晶溶解度对比情况,见表2。 表2 三个氨鲁米特新共晶与国外文献报道情况对比 化合物名称 水中溶解度 (mg/mL) 水中溶解度提高倍数(倍) 氨鲁米特原料药 2.025   氨鲁米特-3,5-二硝基苯甲酸共晶 (AG-DNBA)# 6.064 3 氨鲁米特-间甲基苯甲酸共晶 (AG-m-TA)# 3.660 1.8 氨鲁米特-2-硝基苯甲酸共晶 (AG-2-NTA)#   6.0 3 氨鲁米特-咖啡因共晶 (AMG-CAF)* 6.0 3 氨鲁米特-尼古丁共晶 (AMG-NIC)* 5.5 2.75 氨鲁米特-乙酰胺共晶 (AMG-NIC)* 4.8 1.9   注:#是本课题组合成的氨鲁米特共晶水中溶解度情况。 *是文献报道合成的氨鲁米特共晶水中溶解度情况[4]。
北京理工大学 2022-08-17
北京工业大学在晶界滑动塑性原子机制方面取得重要进展
北京工业大学在晶界滑动塑性原子机制方面取得重要进展,北京工业大学以第一完成单位在Science上发表了首篇论文——Tracking the sliding of grain boundaries at the atomic scale(原子尺度追踪晶界滑动)。
北京工业大学 2022-05-26
一种利用压力来调控贵金属纳米材料晶相含量的新策略
自然界中,贵金属金(Au)的块体只能以其热力学稳定结构面心立方(fcc)相存在。只有在纳米尺度,利用湿法化学合成方法,人们才能获得具有独特光学性质的,密排六方hcp-4H结构的Au纳米材料。虽然通过配体交换或外延生长贵金属的方式,可以在溶液中诱导4H相的Au变为fcc结构,获得更多的结构信息。但是,具体的结构性质和相转变过程仍然无法确定。本工作利用金刚石对顶砧(DAC)技术对4H相的Au纳米材料进行研究,探索其结构和相变过程,达到高压贵金属相工程的目的。 高压X射线衍射表明,压力在1.2 – 26.1 GPa之间,Au的4H结构逐渐转变为fcc相。同时,该过程的不可逆性使得贵金属高压相工程成为了可能。即通过控制最高压力,获得不同4H/fcc相含量的Au纳米材料。同时,相比纯4H相的Au纳米带,具有4H与fcc相交替多相结构的4H/fcc Au纳米棒更容易发生高压相变。这主要是由于4H/fcc多相Au纳米棒中大量相边界提供的相变成核位点,可以促进4H-fcc的相变过程。此外,课题组通过高分辨透射电子显微技术和密度泛函理论(DFT)计算的结合,首次观测到了原子尺度的Au相变路径。发现Au由4H-fcc的相变机理为(-112)4H晶面的整平,并伴随着密堆积方向的改变。这与以往观测到的金属高压hcp-fcc相的相变机制完全不同。该工作不仅对Au纳米结构的稳定性和相变提出了新的见解,而且提供了一种利用压力来调控贵金属纳米材料晶相含量的新策略,该策略可用于研究基于晶相的催化、表面增强拉曼散射、波导、光热疗法、传感、清洁能源等领域中。
南方科技大学 2021-04-13
一种在超细钨丝表面电沉积铝镁合金薄膜的方法
本发明提供了一种在超细钨丝表面电沉积铝镁合金薄膜的方法。该方法克服了在有机溶剂、离子液体体系中电沉积铝镁合金薄膜存在镀液体系不稳定,原料成本高昂,镀液配置不易,使用寿命较短,制得的铝镁合金薄膜中镁含量较低等问题。该方法在低温无机熔盐体系中,氯化铝和氯化镁作为主盐,氯化钠和氯化钾作为支持电解质;以超细钨丝作为电沉积阴极,铝为阳极,控制电镀温度,电镀时间以及电流密度,在惰性氛围保护下进行铝镁合金薄膜在超细钨丝表面的电沉积。
电子科技大学 2021-04-10
一种制备ZuO/CuInS2核壳结构纳米棒薄膜的方法
本发明属于薄膜制备技术领域,具体为一种制备ZnO/CuInS2核壳结构纳米棒薄膜的方法和相关工艺参数。该制备方法为媒介模板转换法。首先,采用水热法,以硝酸锌(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液为生长体系,在ITO导电玻璃上生长ZnO纳米棒;然后以硫代乙酰胺(TAA)为反应试剂进行水浴,得到ZnO/ZnS核壳结构纳米棒薄膜;然后,将所得样品在硝酸铜(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中静置一段时间得到ZnO/CuS核壳结构纳米棒薄膜媒介模板;最后,将所得样品放入氯化铟(InCl3
天津城建大学 2021-01-12
一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法
本发明公开了一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法,属于化学功能材料领域。该制备方法以三异丙醇氧钒为溶质制备前驱液,将所得前驱液涂于蓝宝石衬底制备前驱物薄膜,最后将前驱物薄膜置于真空环境中烧制而成。本发明在液相法的基础上,通过控制真空烧结条件制备二氧化钒薄膜,所获得的薄膜均具有良好的生长取向,相变温度为60°C左右,相变前后电阻率的变化在三个量级以上;且制备工艺简单,适合大范围推广。
安徽建筑大学 2021-01-12
一种溶液法荧光粉胶薄膜涂覆方法、产品以及应用
本发明公开了一种溶液法荧光粉胶薄膜涂覆方法及其在晶圆级发光二极管封装中的应用,属于 LED 封装领域。其包含:S1 将荧光粉胶涂覆在 LED 晶圆片上;S2 将 LED 晶圆片置于温度为 50℃~200℃度的溶液中;S3 待荧光粉胶形貌稳定后,将 LED 晶圆片从溶液中取出;S3 将 LED 晶圆片置于温度在 50℃~200℃下加热,使残留在 LED晶圆片和荧光粉胶表面上的溶液蒸发并将荧光粉胶固化;S5 将晶圆片切割成小芯片单元。本发明方法操作简单,成本低,可制备厚度极薄且厚度均匀度大于 0.95 的荧光粉胶薄膜,从而提高 LED 的光效、空间颜色均匀性以及产品一致性。该工艺可以广泛的应用于晶圆级发光二极管封装中。
华中科技大学 2021-04-13
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