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北京工业大学在晶界滑动塑性原子机制方面取得重要进展
北京工业大学在晶界滑动塑性原子机制方面取得重要进展，北京工业大学以第一完成单位在Science上发表了首篇论文——Tracking the sliding of grain boundaries at the atomic scale（原子尺度追踪晶界滑动）。
北京工业大学
2022-05-26
一种利用压力来调控贵金属纳米材料晶相含量的新策略
自然界中，贵金属金（Au）的块体只能以其热力学稳定结构面心立方(fcc)相存在。只有在纳米尺度，利用湿法化学合成方法，人们才能获得具有独特光学性质的，密排六方hcp-4H结构的Au纳米材料。虽然通过配体交换或外延生长贵金属的方式，可以在溶液中诱导4H相的Au变为fcc结构，获得更多的结构信息。但是，具体的结构性质和相转变过程仍然无法确定。本工作利用金刚石对顶砧（DAC）技术对4H相的Au纳米材料进行研究，探索其结构和相变过程，达到高压贵金属相工程的目的。 高压X射线衍射表明，压力在1.2 – 26.1 GPa之间，Au的4H结构逐渐转变为fcc相。同时，该过程的不可逆性使得贵金属高压相工程成为了可能。即通过控制最高压力，获得不同4H/fcc相含量的Au纳米材料。同时，相比纯4H相的Au纳米带，具有4H与fcc相交替多相结构的4H/fcc Au纳米棒更容易发生高压相变。这主要是由于4H/fcc多相Au纳米棒中大量相边界提供的相变成核位点，可以促进4H-fcc的相变过程。此外，课题组通过高分辨透射电子显微技术和密度泛函理论（DFT）计算的结合，首次观测到了原子尺度的Au相变路径。发现Au由4H-fcc的相变机理为（-112）4H晶面的整平，并伴随着密堆积方向的改变。这与以往观测到的金属高压hcp-fcc相的相变机制完全不同。该工作不仅对Au纳米结构的稳定性和相变提出了新的见解，而且提供了一种利用压力来调控贵金属纳米材料晶相含量的新策略，该策略可用于研究基于晶相的催化、表面增强拉曼散射、波导、光热疗法、传感、清洁能源等领域中。
南方科技大学
2021-04-13
在钠金属薄膜和等离激元光子器件研究方面上的重要突破
研究团队发展了独特的液态金属旋涂工艺，制成了金属钠薄膜，首次揭示了金属钠膜的优异光波段等离激元特性。
北京大学
2021-04-11
一种超高速率充放电超级电容器薄膜电极的制备
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学
2021-04-10
高模量低收缩聚酰亚胺薄膜的产业化关键制备技术研究
本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题，在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上，从市场需求及产业化的角度，优选具有显著分子间相互作用力的体 系，开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究，获得一套稳定可靠的产业化工艺参数，制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品，打破该产品国外垄断的局面。
中山大学
2021-04-10
一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法
本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑 薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液 体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处 理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本 发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理 改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高 器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的
华中科技大学
2021-04-14
一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法
本发明公开了一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法。该方法在传统的 PbI2 前驱体 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶剂中的溶解性，以免在旋涂时形成不均匀的晶核，影响钙钛矿 生长的均匀性。在空气中 100℃烧结 5 分钟后，往钙钛矿层上刮涂上一种含有 CH3NH3I 的碳浆，在空气 中 100℃烘干，再次刮涂上一层不含 CH3NH3I 的碳浆以降低器件电阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均匀滴在碳电极上
武汉大学
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法
本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该
华中科技大学
2021-04-14
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料 与器件制备领域，解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底
华中科技大学
2021-04-14
基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于柔性铁电薄膜的流体驱动式压电传感器及其制备方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有两相平行的 P(VDF-TrFE)电纺丝薄膜条；微流控芯片基片制作有微沟道 和分布于微沟道两侧的电极凹槽；微流控芯片基片还设有进样口、出样口和银浆注入口，进样口、出样 口与微沟道两端连通，银浆注入口与电极凹槽连通；玻璃基片和微流控芯片基片键合，?P(VDF-TrFE) 电纺丝薄膜条位于微沟道和电极凹槽底部。本发明制作简单，成本低廉
武汉大学
2021-04-14