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国防科技大学在石墨烯领域取得重要突破
近日,国防科技大学前沿交叉学科学院朱梦剑-秦石乔课题组与北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组合作,设计了一种梯度表面能调控的复合型转移媒介,实现了晶圆级超平整石墨烯向半导体衬底的干法贴合与无损释放。
国防科技大学 2022-10-10
天津大学领衔研制出新型有序大孔石墨烯碳质框架材料
有序纳米多孔功能材料,例如微孔的沸石和介孔的二氧化硅分子筛、金属-有机框架材料(MOFs)和共价有机框架材料(COFs),由于其发达的孔道结构、较大的比表面积、较小的材料密度等优异的物理化学特性,在吸附、分离、传感器、离子交换、负载催化、药物输送、电磁防护、环境治理、电化学能量存储和转化等诸多领域都有着广泛应用。
天津大学 2023-02-21
氧化石墨烯敏化半导体气敏材料及其特异性检测
氧化石墨烯具有独特的二维结构、丰富的表面官能团及 P 型半导体性质。通 过氧化石墨烯与 ZnO 纳米片及 SnO2 纳米纤维进行复合,大幅度提升了其对丙酮、 甲醛等特异性气体检测。其敏感性能的提升归因于氧化石墨烯和半导体材料二者 的协同效应。相关研究解决了现有技术中的半导体气体传感器检测限和选择性较 低的问题。
上海理工大学 2021-01-12
一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管
本实用新型公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管,该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、银量子点层、石墨烯层,在氮化镓层上还设有侧面电极,在石墨烯层上设有正面电极,所述的氮化镓层厚度为2~10μm;本实用新型的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光,同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能,正反偏压下均可发光且波段多样,亮度高,制备工艺简单,成本低。
浙江大学 2021-04-13
一种具备三维多孔结构的纳米二氧化钛-石墨烯复合材料制备方 法及其产品
本发明公开了一种用于制备纳米二氧化钛-石墨烯复合材料的方 法,包括:(a)向浓度为 1-4mg/mL 的氧化石墨烯溶液中加入二氧化 钛纳米颗粒,其中氧化石墨烯与二氧化钛之间的重量比控制为 10:1~ 1:10,并获得分散液;(b)将所获得的分散液置入反应釜中,在120-200℃ 的条件下执行水热反应 2-12 小时,然后经过冷冻干燥处理即得到具备 三维多孔结构的纳米二氧化钛-石墨烯复合材料产品。本发明还公开了
华中科技大学 2021-01-12
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
氧化铁石墨烯复合材料在电化学能源存储和转化领域的研究
氧化铁石墨烯复合材料目前涉及的电化学方面的应用包括锂离子电池、超级电容器和燃料电池。氧化铁(包括Fe3O4,α-Fe2O3和γ-Fe2O3)是制作电化学器件非常有前途的材料,不仅具有成本低、无毒性、化学稳定性好等优点,还具有较高的理论电容量。但在实际使用时又因为自身导电性的不足以及反应的循环稳定性差等问题受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面积,较高的导电性,优异的化学和热力学稳定性,以及独特的光、热、机械性能,成为了非常合适作为制作电化学能源存储和转化器件的材料。负载氧化铁在石墨烯上,不仅能够弥
天津大学 2021-04-14
合金石墨-高压水热反应釜
主要技术指标 (1).工作温度:≤500℃ (2).工作压力:≤20MPa(表压) (3)、规格;25、50、100、200、500、800ml。另可根据用户需求定做。 (4).操作方法                   1、高压水热合成反应釜用全不锈钢材料,外壳材质为304材质。 2、高压水热合成反应釜使用温度在500度以下,500度以下;工作压力≤20MPa 3、高压水热合成反应釜采用硬密封的原理,不会泄漏。 4、高压水热合成反应釜使用时将法兰上的螺栓松开,溶液杯取出溶液装入杯中,然后放在釜体内,将上盖密封槽与杯体上密封球面装在一起,注意:把紧螺栓时要对立面把紧,用力要均匀。不要一次性将任何一个螺栓把紧,当对立面螺栓均匀用力把紧时,再用力将所有螺栓对面把紧,方可进行操作升温。 5、高压水热合成反应釜当温度达到要求时,准备取出溶液杯将螺栓对立面均匀松开,不允许一次性将任何一个螺栓全松开,那样会损伤上盖密封槽和杯体上端密封面。 6、高压水热合成反应釜注意保护杯体上端密封球面,不能有磕、碰伤,或其它污物。 7、高压水热合成反应釜使用时注意清理上盖密封槽内的杂物,不能有污物和杂质,如不清理干净使用时会泄漏。 8、高压水热合成反应釜上盖外端中心带有密封丝堵,它是用来检验溶液杯密封进气试压接口。日常或使用过程中,不要将它打开,防止泄漏。 9、高压水热合成反应釜在使用过程中,如有泄漏现象返厂修复。   有下列情形的,不在保修范围。 (1)釜体磕、碰变形或严重损伤。 (2)溶液杯体上端密封球面有磕、碰伤痕 (3)釜体上盖密封槽有磕、碰划伤等。
巩义市城区众合仪器供应站 2025-04-27
微晶石墨深加工及应用技术
天然微晶石墨在电磁屏蔽和吸波、燃料电池、电子、润滑剂、自动化、热辐射防护、原子核反应堆、石墨炸弹、火箭发动机等方面有着广泛的应用前景,可提升天然微晶石墨的深加工技术水平和附加值,解决目前天然微晶石墨行业由于无序竞争而造成的低价倾售和资源大量浪费的严重问题,同时也为我国盘活该类矿种,增加有效储量提供技术支撑。本项目已在国家自然科学基金、国土资源部公益性行业科研专项、湖南省科技厅和湖南省国土资源厅等项目的支持下,取得了以下成果:确立了制备高纯超细天然微晶石墨的工艺条件和技术参
长沙理工大学 2021-01-12
一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下,首先 450℃~550℃加热氮化碳原料 1min~6h,使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面,并形成氮化碳前驱体;然后 500℃~550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min~6h,使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm~150nm 的石墨 相氮化碳薄膜,获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学 2021-04-14
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