本发明公开了一种非金属杂质检测方法，包括以下步骤：1)将 平板电容器与直流电源连接，使平板电容器的两电极板之间形成稳定 电场；将平板电容器与信号处理装置连接，以在信号处理装置中显示 平板电容器的电容值的信号波形；2)使被测导磁件从平板电容器的两 电极板之间通过；3)观察信号处理装置中获得的平板电容器的电容值 的信号波形是否存在突变区域，以判断被测导磁件上是否存在非金属 杂质。本发明通用性强，信号处理装置集成信号读取和输出功能，用 于检测杂质的装置具有体积小、重量轻、通用性强、造价低等优点， 能极好地

一种表面缺陷电磁超声检测方法，属于无损检测技术，解决现 有电磁超声检测方法中提离距离的变化影响检测准确度的问题。本发 明通过改变电磁超声传感器检测探头的提离距离，测量不同提离距离 下标准试样的信号，并进行信号处理，得到提离斜率，利用不同缺陷 深度下提离斜率与缺陷深度的关系，建立相应的拟合函数；将检测待 测缺陷所得到的提离斜率代入所述拟合函数，达到定量检测缺陷的目 的。本发明简单易行，与现有的采用峰峰值强度和透射系数定量检测 缺陷的方法相比，本发明可以减少检测探头提离距离的影响，而且不 用在检测过程中

本发明公开了一种天麻咀嚼胶剂及其制备及检测方法，含有：天麻粉12-20％，食品级胶基12-20％，香精0.5-1％，润湿剂20-30％，甜味剂30-50％。本发明产品具有起效快、服用方便、体积小便于携带和储存、含水量少不易受微生物污染和消除口干、不良反应小、释放度良好的优点。在制备上具有易操作的特点。本发明制得释药迅速的咀嚼胶，对于治疗头痛、偏头痛等急性病症具有良好的应用前景。本发明还公开了天麻咀嚼胶剂产品质量控制的检测方法。

本发明公开了一种变脉宽激励的脉冲涡流检测方法。该方法包括如下步骤：（1）将脉冲涡流传感器置于被测试件上；（2）设置当前激励脉宽 PW_cur=t₀；（3）获取检测信号，测量 时 间 区 间 为 [0,t] ；（ 4 ） 计 算 检 测 信 号 在 时 间 区 间[t₁,t₂]上的积分 IN<sub&g

一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 （1）本技术能够在仅使用一种标记探针(即,检测探针)的情况下，实现对多种靶核酸序列的同时检测(多重检测)。 （2）本技术能够实现对多种靶核酸序列的同时检测(多重检测),并且能够同时检测靶核酸序列的最大数目远远超出了所使用的标记探针(即,检测探针)的数目。 因此，本技术提供了一种简单、高效、低成本的多重检测法。本技术能够检测的靶核酸序列的最大数目不受限于所使用的标记探针(即,检测探针)的数目；能够基于相对有限数目的标记探针(即,检测探针)实现对显著更多数量的靶核酸序列的同时检测(多重检测)，这是特别有利的。 对比国内外同类技术，本技术的优势包括：①标记过程极为方便且成本低。假设同样需要识别15种高危型HPV，已商品化的实时PCR检测试剂盒、已报道的多管实时PCR检测体系、包括实时PCR熔解曲线技术均需要15条荧光探针进行检测。而本技术只需要4条荧光探针就可以完成15种高危型HPV的识别。②熔点温度不会受待检DNA序列的多态性位点或二级结构的影响。传统实时PCR技术和熔解曲线分析技术的检测结果经常会受到荧光探针覆盖区的SNP或二级结构的干扰。而本技术中荧光探针只与标签序列杂交，因此检测获得的熔点温度可以保持恒定。③具备优秀的兼容能力，一个熔点标签库可以适用于不同领域多个对象的检测，而且针对不同的检测对象可以采用相同的检测流程，试剂组份只需要更换杂交探针，设计上只需改动杂交探针的特异杂交序列。这种体系兼容能力大幅度缩短了新体系的研发时间。④判读统一规范，易于在临床应用中推广。目前大部分检测技术针对不同的检测对象需要建立不同的判读标准。而本技术则可以像条形码一样标记不同的检测对象，因此较容易实现自动化判读。

本成果是国家授权发明专利。该发明的发明目的就是提供一种加权LMS谐波电流检测方法。该方法对跃变的跟踪能力强，计算量小，实时性好；能消除谐波对滤波器权系数更新的干使得稳态误差小，检测结果更准确、可靠。

本发明涉及一种科研实验系统，尤其是一种管道泄漏检测定位实验系统及其检测方法，用于实现不同泄漏检测方法对长距离输送气体、液体管道的泄漏检测及定位实验。本发明包括输送管道、介质（水、油、氮气）输送装置、负压波检测装置和声发射检测装置。为了模拟实际泄漏场景，该管道泄漏检测定位实验系统提供一种泄漏模拟方式，即将带有控制阀的一段直管道换在管道中的任意可替换管节处，控制阀后端上安装有涡轮流量计，这样可以模拟管道在不同位置泄漏的情况，达到对多点泄漏的模拟结果。其次，通过调节控制阀的开度可以模拟不同大小的泄漏孔，泄漏流量可以直接从控制阀后端的流量计直接读出，从而可以测量泄漏孔大小对泄漏信号的影响。本发明的管道泄漏检测定位实验系统，能够实现对部分输送管道运行参数的采集，能够实现采用多种泄漏检测方法（如负压波法、声发射泄漏检测法等）研究泄漏工况下管道运行参数的变化情况，同时，通过换上不同管径的管段也可以实现由于管径变化对参数影响的检测；S型管道折弯处采用U型管连接，相比于常见的直管管道系统，该系统可以研究弯管对于泄漏波传播的影响。该实验系统适用于工业或城市高、中、低压、长距离直线管道和弯管道的泄漏检测定位实验。

本发明涉及一种科研实验系统，尤其是一种管道泄漏检测定位实验系统及其检测方法，用于实现不同泄漏检测方法对长距离输送气体、液体管道的泄漏检测及定位实验。本发明包括输送管道、介质（水、油、氮气）输送装置、负压波检测装置和声发射检测装置。为了模拟实际泄漏场景，该管道泄漏检测定位实验系统提供一种泄漏模拟方式，即将带有控制阀的一段直管道换在管道中的任意可替换管节处，控制阀后端上安装有涡轮流量计，这样可以模拟管道在不同位置泄漏的情况，达到对多点泄漏的模拟结果。其次，通过调节控制阀的开度可以模拟不同大小的泄漏孔，泄漏流量可以直接从控制阀后端的流量计直接读出，从而可以测量泄漏孔大小对泄漏信号的影响。本发明的管道泄漏检测定位实验系统，能够实现对部分输送管道运行参数的采集，能够实现采用多种泄漏检测方法（如负压波法、声发射泄漏检测法等）研究泄漏工况下管道运行参数的变化情况，同时，通过换上不同管径的管段也可以实现由于管径变化对参数影响的检测；S型管道折弯处采用U型管连接，相比于常见的直管管道系统，该系统可以研究弯管对于泄漏波传播的影响。该实验系统适用于工业或城市高、中、低压、长距离直线管道和弯管道的泄漏检测定位实验。

本发明提供了一种气体泄漏检测方法、装置、设备和介质，涉及气体检测技术领域，其中，该方法包括：获取目标区域的温度数据、声波数据和图像数据；基于温度数据、声波数据和图像数据，采用气体泄漏检测模型确定目标区域的气体泄漏特征数据；其中，气体泄漏检测模型是，通过输入层接收温度数据、声波数据和图像数据，并通过融合层基于温度数据、声波数据和图像数据，得到联合特征数据，以及通过检测层对联合特征数据进行处理，得到气体泄漏的位置坐标和类别作为目标区域的气体泄漏特征数据后，通过输出层输出目标区域的气体泄漏特征数据的双向特征金字塔网络模型，以提高无人机对气体泄漏的检测精度和可靠性。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。