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硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理,在绝缘层硅(SOI,silicon-on-insulator)上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸,其光子模式(因工作于光锥以下)能够较好地局域在平板内,抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道,测量出高透平顶透射光谱带,证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源,无需低温和强磁等极端环境,实现了拓扑界面态的选择性激发,实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为,验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理,是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作,多次引起国际同行关注,论文入选ESI高被引。该工作中,他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论,攻克了数十纳米加工工艺等关键技术,率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系,突破了单一自由度调控的传统框架,提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制,为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域,提供了新方法和新思路。
中山大学 2021-04-13
硅基微纳结构调控太阳光谱提升光伏器件效率的研究
拥有人工微结构科学与技术协同创新中心、固体微结构物理国家重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心以及江苏省光电信息功能材料重点实验室等科研平台,在硅基纳米结构材料与性能调控,硅基光子学器件和新型能源器件等基础研究领域具有很强的影响力。近年来,在硅基太阳能电池片研发及其新型结构材料在电池片上应用等方面开展了全方位的研究,承担完成了国家重点基础研究发展计划课题和国家自然科学基金重点项目等相关课题的研究。提出了渐变带隙的纳米硅量子点电池结构,利用渐变带隙进一步拓宽电池的响应光谱范围,发展了包
南京大学 2021-04-14
单分子晶体管和分子诊断技术
项目采用光致异构化合物通过酰胺共价键链接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成光致异构化合物-石墨烯单分子器件;采用生物分子链接构建了单分子生物传感器;利用有机半导体小分子构建了性能可靠的2-3纳米单分子场效应晶体管。当单个光致异构化合物被桥接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯之间的纳米间隙时,它们具有可逆的光控开关功能和电控开关功能;当生物分子桥连石墨烯电极时,它们具有单分子DNA精准测序的功能;单分子场效应晶体管目前是国际上最小的晶体管,有望为器件微小化产生芯片集成核心技术。
北京大学 2021-02-01
长循环硅基复合薄膜负极
随着微电子行业等微型化科技的快速发展,薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言,其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法,实现电极结构设计与导电型材料复合,改善硅基材料低导电率问题,优化硅基材料体积膨胀缓冲空间,从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。
厦门大学 2021-01-12
关于硅基光量子芯片的研究
北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组,与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作,实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能,为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用,奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术,结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科,通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件,实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中,利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势,包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等,因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图,左上角为集成量子光源的电子显微镜图;B. 量子隐形传态的量子线路图;C. 量子纠缠互换的量子线路图;D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作,在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源,通过硅波导的强四波混频非线性效应,实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源,达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控,片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门,可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作,通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门,以及可编程单量子比特测量的全功能集成,进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作,团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在;通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作,实现了量子纠缠互换功能,使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠;利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术,实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态,达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米,比传统实现方法小了约5-6个数量级,不仅达到了器件的微型化,同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点,其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术,为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。
北京大学 2021-04-11
硅基光电子集成技术
 基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术,可实现低成本、批量化生产,并具有和微电子单片集成的潜力,是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连,也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。 在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下,针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题,提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构,形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程,成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。 该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑,也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”,对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底,Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。高速低功耗16*16光交换芯片版图大容量可编程光缓存芯片(左:芯片照片,中:封装后的结构,右:性能测试结果)为华为公司研制的400G可调光模块。
上海交通大学 2021-04-13
干胶法合成钛硅分子筛
钛硅分子筛(TS-1)对于以双氧水为氧化剂的许多低温有机反应,如烯烃环氧化、醇类氧化为醛或酮、芳香族化合物羟基化反应以及环已酮氨肟化反应中都表现出较高的性能,已在苯酚羟基化和环已酮氨肟化工业生产过程中得以应用。目前工业TS-1分子筛合成方法是以四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂,使正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸酯相继水解,先经水热合成得到初产品,再对
南京工业大学 2021-01-12
阳离子基阻变器件电流-保持特性
已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量,集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控,这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法,也能够移植应用到离子电池,离子传感等研究领域。
中国科学院大学 2021-01-12
核酸单分子荧光图像测序智能检测技术
深圳国际研究生院张盛副教授团队在已开展的核酸测序方面的专用图像传感元器件关键技术基础上,提出了“基于单分子荧光图像测序的冠状病毒核酸智能检测技术”重大攻关项目研究方案。课题组通过远程网络讨论与协作等多种方式,组织了相关学科的专家多次进行技术研讨,并与深圳市行业内的权威机构合作,在两周内快速进行原理论证,形成技术方案,完成智能检测装置的原型结构设计及前期研究准备工作。 项目致力于开发具有核酸智能检测能力的低成本嵌入式物联网设备,为公共卫生防疫事业提供更加有力、且具备“提前生产、快速部署、分散检测”特点的新型核酸检测的解决方案,有望实现未来冠状病毒传染事件中基因序列的快速发布与潜在感染者的本地化核酸检测能力快速部署,帮助医护人员和民众在家庭或社区对感染或疑似患者进行现场筛查,减少潜在感染者的聚集与交叉感染,快速实现核酸检测层次的确诊检验与病症初筛,助力疫病防控和公共卫生领域战略科技力量的提高和储备。
清华大学 2021-04-10
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场,以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑,筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体(DEME-TFSI);这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm,能够在较小的栅压范围内产生强的静电场,从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K),可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学 2021-04-11
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