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可用于生化检测的多色荧光纳米硅球的制备
1、成果简介:   本研究组一直以来从事纳米材料的生化分析研究,完成了多种量子点和微球的合成、修饰和相关的生化分析检测,在多色量子点的标记和光谱识别研究中做了大量的工作。我们掌握了多种量子点和石墨烯量子点、纳米金等纳米材料的制备方法和表面修饰技术,成功地检测了生物样本中的多种重要成分。  我们创新性地设计了可用于检测的多色荧光编码的纳米硅球,具有包含多个量子点的独特结构和可调谐的荧光比率信号,功能修饰后的探针不仅提高了肿瘤标志物检测的灵敏度,
吉林大学 2021-04-14
一种高功率大带宽锗硅光电探测器
本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是 模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件,其 特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个 锗层尺寸是可以不同的,以实现对寄生电阻的调控,在提高器件饱和 功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时,通过引入片上和片 外电感,实现对器件寄生电感的调控,抬升器件高频处频率响应,提 升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构
华中科技大学 2021-04-14
一种加工硅通孔互连结构的工艺方法
本发明公开了一种加工硅通孔互连结构的工艺方法,步骤为:①在基板上刻蚀盲孔;②在基板上沉积一层图案化介电质层;③刻蚀图案化介电质层,刻蚀掉盲孔底部的介电材料,保留盲孔侧壁的介电材料,在基板上形成介电质孔;④在介电质孔上沉积一层导电材料,形成导电孔;⑤在导电层上再沉积一层图案化介电质层,填充导电孔;⑥刻蚀板背面,暴露出导电层,在导电层上形成焊料微凸点。图案化介电质层的材料优选聚对二甲苯。本发明简化了工艺步骤,减少工艺时间并降低了费用;使用二层图案化介电质层,降低了寄生电容,提升了互连电性能,适用于高速和
华中科技大学 2021-04-14
锗硅纳米低维结构的可控制备方法及产品
本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品,该 方法具体为:(a)清洗硅衬底;(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外 延衬底;(c)涂敷电子抗蚀剂,通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝 光所需的锗硅纳米低维结构图形;(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结 构图形转移到外延衬底上得到样品;(e)去除样品上的电子抗蚀剂;(f) 高温环境下进行氧化和退火,使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗 被析出;(g)在氮氢混合气氛下
华中科技大学 2021-04-14
耐超低温有机硅密封胶生产技术
航空航天器、飞机、导弹、火箭、超低温冷冻机、极寒冷地区工程机械和高速列车等设备,在极低温度条件下运行时,对密封材料要求很高,一旦出现密封效果不佳或不可靠情况,会出现严重后果,极端情况会造成机毁人亡等重特大事故,形成严重的财产和人员损失。密封材料大多采用有机高分子材料,在低温条件下,密封材料中分子热运动减少,分子链段会变得僵硬甚至冻住,使之失去弹性,导致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料应用于上述设备和地域时,必须采用特殊制备的耐低温硅橡胶才能保证安全及设备的稳定运行。这就要求密封材料必须具备
山东大学 2021-04-14
新一代硅烷法电子级晶体硅生产技术
上海交通大学 2021-04-13
承建丙烯酸涂料,硅PU塑胶蓝、排、网、羽球场
产品详细介绍承建丙烯酸涂料,硅PU塑胶蓝、排、网、羽球场
广州市奥力生体育设施有限公司 2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件,该器件包括入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5);入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、贴附于矩形波导(5)的上表面或下表面;入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5)贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学 2021-04-11
高温压电振动能量回收器件和高温驱动器
传统PZT压电陶瓷应用广泛,但在居里温度较低,环境温度较高时,PZT陶瓷样品极易退极化。随着压电材料的应用范围的进一步拓展,一些极端条件对压电陶瓷的应用提出了新的挑战。北京大学工学院实验室利用高居里点的钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷制备了基于d31模式和d33模式的应用于高温环境中的压电振动能量回收器,器件可以稳定地工作在150℃以上的高温环境中。高温下由于电畴被活化,器件的压电系数和相应的输出功率比室温时提高一倍以上。 与压电能量回收器不同的是,压电驱动器是一种利用压电效应,将电能转化为机械能实现纳米级驱动的器件,压电驱动器利用压电材料的准静态逆压电效应实现10微米至100微米的微小位移;同时,还可以利用压电陶瓷的高温谐振动效应制备高温压电马达。
北京大学 2021-02-01
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