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一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法
本发明公开了一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法。基于硅 基液晶在同样的偏置电压下,对不同波长入射光有不同的相位调制的 特性,对在硅基液晶波长工作范围内的光信号实现分析与监测,并能 在入射光波长未知的条件下,对该波长进行测量,并能随着相位调制 精度的提高,提高波长的分辨精度。本发明元件少,系统结构简单紧 凑,对光路的准直要求不高,无需苛刻光路的耦合与复杂操作就能进 行波长的分辨,并且有着与入射光偏振态无关的特性,在分辨
华中科技大学 2021-04-14
一种基于硅基液晶的波长选择开关
一种基于硅基液晶的波长选择开关,属于光交换器件,解决现 有基于硅基液晶的波长选择开关输出端口数量受到限制的问题。本发 明由设置在光路上的输入单模光纤、偏振转换组件、反射镜、傅里叶 透镜、衍射光栅、硅基液晶相位空间光调制器、自聚焦准直透镜阵列 和输出二维单模光纤阵列构成。本发明对需要交换的光束利用硅基液 晶相位空间光调制器实现二维偏转,使波长选择开关输出光纤阵列的 光束由一维向二维转化,能够大幅度增加波长选择开关输出端
华中科技大学 2021-04-14
一种基于硅基液晶的波长选择开关
一种基于硅基液晶的波长选择开关,属于光交换器件,解决现 有基于硅基液晶的波长选择开关输出端口数量受到限制的问题。本发 明由设置在光路上的输入单模光纤、偏振转换组件、反射镜、傅里叶 透镜、衍射光栅、硅基液晶相位空间光调制器、自聚焦准直透镜阵列 和输出二维单模光纤阵列构成。本发明对需要交换的光束利用硅基液 晶相位空间光调制器实现二维偏转,使波长选择开关输出光纤阵列的 光束由一维向二维转化,能够大幅度增加波长选择开关输出端
华中科技大学 2021-04-14
硅基悬臂梁T型结间接加热式未知频率毫米波相位检测器
本发明的硅基悬臂梁T型结间接加热式未知频率毫米波相位检测器,实现结构主要由悬臂梁耦合结构、T型结和间接加热式微波功率传感器和开关构成。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁,每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成两个悬臂梁之间CPW传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率35GHz处为λ/4。为实现未知频率毫米波相位的检测,首先对待测信号的频率进行检测。频率检测通过测量两路在所测信号频率范围内的中心频率35GHz处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现;相位检测通过将两路在中心频率35GHz处相位差为90度的耦
东南大学 2021-04-14
硅基悬臂梁T型结直接加热式未知频率毫米波相位检测器
本发明的硅基悬臂梁T型结直接加热式未知频率毫米波相位检测器,其实现结构主要包括悬臂梁耦合结构、T型结和直接加热式微波功率传感器和开关。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁,每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成,两个悬臂梁之间CPW传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率35GHz处为λ/4。为实现未知频率毫米波相位的检测,首先对待测信号的频率进行检测。频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在所测信号频率范围内的中心频率35GHz处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现;相位检测通过将两路相位差为9
东南大学 2021-04-14
基于硅基悬臂梁T型结直接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的基于硅基悬臂梁T型结直接加热在线式毫米波相位检测器,主要由悬臂梁耦合结构、T型结和直接加热式微波功率传感器构成。悬臂梁耦合结构中,两个悬臂梁在CPW中央信号线上方,结构相同,用于耦合部分待测信号,通过锚区与T型结相连,两个悬臂梁之间CPW传输线的电长度为λ/8。悬臂梁下方的CPW中央信号线上覆盖了一层Si3N4介电层,用于防止电学短路。参考信号通过T型结分成两路信号,分别与两路悬臂梁耦合的信号通过T型结合成,T型结的输出端连接到直接加热式微波功率传感器进行功率检测。最后根据两个直接加热式微波
东南大学 2021-04-14
基于硅基悬臂梁T型结间接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的基于硅基悬臂梁T型结间接加热在线式毫米波相位检测器,主要由悬臂梁耦合结构、T型结和间接加热式微波功率传感器构成。悬臂梁耦合结构中,两个悬臂梁在CPW中央信号线上方,结构相同,用于耦合部分待测信号,通过锚区与T型结相连,两个悬臂梁之间CPW传输线的电长度为λ/8。悬臂梁下方的CPW中央信号线上覆盖了一层Si3N4介电层,用于防止电学短路。参考信号通过T型结分成两路信号,分别与两路悬臂梁耦合的信号通过T型结合成,T型结的输出端连接到间接加热式微波功率传感器进行功率检测。最后根据两个间接加热式微波
东南大学 2021-04-14
一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片
本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器,其中,单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩,通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值,调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力,进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面,从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层,执行成像视场在深度
华中科技大学 2021-04-14
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件,能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
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