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红外碳硫仪 1HW型
产品详细介绍  红外碳硫分析仪 1HW型 红外碳硫分析仪 是冶金与机械行业重要的分析仪器之一,可对钢、铁、合金、碳化合物、矿石、水泥、陶瓷、玻璃等固体材料中的碳和硫进行分析。我公司生产的1HW型红外碳硫分析仪是集光、机、电、计算机、分析技术等于一体的高新技术产品,具有测量范围宽、分析结果准确可靠等特点,屏幕显示的图、文及数据的采集、处理等都达到了目前国内先进水平,是诸多行业测定碳、硫两元素理想的分析设备。 红外碳硫分析仪  主要技术参数: 1、 测量范围:   碳:0.0001%-6.0000%(可扩至99.999%) 硫:0.0001%-0.3500%(可扩至99.999%) 2、 准确度及精密度: 准确度:  碳符合ISO9556-94标准 硫符合ISO4935-94标准 精密度:  符合国家计量检定规程JJG395-97标准 3、 分析时间:25-60秒可调,一般在35秒左右 4、 最小读数:0.00001% 5、 电子天平:称量范围:210g 读数精度:0.001g(可选配精度为0.0001g的电子天平) 红外碳硫分析仪  的结构: 本仪器共分五个部分:红外检测部分、高频感应加热部分、电脑、打印机、电子天平等,红外检测装置中有模块电源、电源插座、保险丝和主机板。另有双层屏蔽气体分析室,室内有碳测试室和硫测试室。 红外碳硫分析仪 红外检测原理 CO2、SO2等气体分子在红外光波段,具有选择性吸收谱图,当此特定波长的红外光通过CO2或SO2气体后,能产生强烈的光吸收,由于探测器是将光信号转换为电信号,当探测器工作在线性区域内,  当选定某一特定波长并且确定了分析池(吸收池)长度时,由测量光强能换算出混合气体中被测气体的浓度,这就是红外吸收法能定量测量气体浓度的基本原理。本仪器选定的测量波长:CO2为4.26um,SO2为7.4um。 更多有关红外碳硫仪资料信息可参考这个网站:http://www.nsfcn.com
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
1HW型 红外碳硫仪
产品详细介绍  红外碳硫仪主要特点: 1.      品牌电脑,进口品牌电子天平等均保证了操作的稳定性和数据的可靠性。 2.      不需动力气体,化学试剂,只需使用氧气。 3.      全中文菜单操作,测试软件功能齐全,对任何操作人员均不存在障碍。 4.      拥有自我诊断和保护功能,出现错误自动报警,并可进行远程诊断。 5.      大功率高频电路设计,采用高频功率管,减轻高频燃烧系统的负载,提高使用寿命;可根据客户需求,任意设置碳吸收池、硫池吸收数量,保证了高碳、低碳、高硫、低硫测定的精密度和准确度。 红外碳硫仪主要技术参数: 1.      测量范围: 碳:0.00001%~99.9999% 硫:0.00001%~99.9999% 2.      测量时间:25~60秒可调 (一般在35秒) 3.      测量精度:符合国家计量检定规程JJG395-97标准 4.      测量准确度:碳:符合ISO9556~94标准 硫:符合ISO4935~94
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
关于印发《辽宁省科技支撑碳达峰碳中和实施方案(2023—2030年)》的通知
为深入贯彻落实党中央、国务院关于碳达峰碳中和的重大战略部署,充分发挥科技创新对实现碳达峰碳中和目标的关键支撑作用,根据《辽宁省碳达峰实施方案》,参照科技部等九部门印发的《科技支撑碳达峰碳中和实施方案(2022—2030年)》,结合辽宁实际,省科技厅、省发展改革委、省工业和信息化厅、省生态环境厅、省住房城乡建设厅、省交通运输厅、中科院沈阳分院共同研究制定了《辽宁省科技支撑碳达峰碳中和实施方案(2023—2030年)》。
社会发展科技处 2023-06-29
硅基毫米波集成电路设计
基于CMOS工艺,设计了大量射频、毫米波收发机和频率源芯片; CMOS 90nm 60GHz 接收机芯片,集成片上天线,传输效率优于IBM芯片90%; CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器,性能优于Hittite商用GaAs芯片; CMOS 60GHz 移相器芯片,为开发毫米波相控阵芯片奠定良好基础;
电子科技大学 2021-04-10
硅基新一代锂电负极材料制备
项目成果/简介:目前锂离子电池的能量密度已经越来越不能满足其在电动汽车、智能手机和大规模储能方面的应用。锂离子电池的能量密度低主要是因为所采用的正负极材料的比容量较低,尤其是负极材料石墨,其理论比容量为 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商业化前景的负极材料为硅基负极材料,其理论比容量为 4200 mAh/g,是石墨的十倍以上。据招商证券预计,硅基负极材料在 2020 年的市场使用量接近于 5 万吨,销售额接近于 50 亿。 然而硅基材料在充放电过程中较大的体积变化率(>300%)限制了其商业化应用,较大的体积变化导致极片碎裂以及电解液在材料表面持续分解,从而造成其循环性能剧烈下降。另外,硅基材料为半导体,其导电性较差,从而导致硅基负极材料的倍率性能较差。如何解决硅基负极材料这两大缺点是普及硅基材料在锂离子电池应用的关键。 陈永胜教授课题组结合在纳米技术和石墨烯材料领域的专长,经过近 10 几年的研究,采用低成本的原材料、易工业化的工艺技术制备了石墨烯包覆的硅基负极材料,主要技术创新点包括:1)采用独特的、具有自主知识产权的纳米技术将大粒径的硅粉进行纳米化处理,纳米化大大缓解了硅在充放电过程中体积变化的问题,从而从根本上解决了硅基负极材料循环性能差的问题;2)石墨烯包覆则充分发挥了石墨烯导电导热性能好、机械性能优异、电化学性能稳定等特点,改善了材料的锂离子扩散性能和电子导电性,大大提高了功率特性; 14隔绝了硅与电解液的直接接触,抑制副反应造成的电解液分解和材料侵蚀,提高了首次效率,延缓了使用过程中的寿命衰减;进一步减缓了充放电过程中硅的体积变化,维持材料结构的整体稳定性,极大地提升了循环特性。效益分析:陈永胜教授课题组发明的石墨烯包覆硅基负极材料,从制备过程上讲,具有工艺简单、成本低廉、易工业化的特点;从性能上讲,具有比容量高、稳定性好、压实密度大等优点,与高比容量正极组成的锂离子电池的能量密度是当前商业化锂离子电池能量密度的数倍以上。
南开大学 2021-04-11
硅基新一代锂电负极材料制备
目前锂离子电池的能量密度已经越来越不能满足其在电动汽车、智能手机和大规模储能方面的应用。锂离子电池的能量密度低主要是因为所采用的正负极材料的比容量较低,尤其是负极材料石墨,其理论比容量为 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商业化前景的负极材料为硅基负极材料,其理论比容量为 4200 mAh/g,是石墨的十倍以上。据招商证券预计,硅基负极材料在 2020 年的市场使用量接近于 5 万吨,销售额接近于 50 亿。 然而硅基材料在充放电过程中较大的体积变化率(>300%)限制了其商业化应用,较大的体积变化导致极片碎裂以及电解液在材料表面持续分解,从而造成其循环性能剧烈下降。另外,硅基材料为半导体,其导电性较差,从而导致硅基负极材料的倍率性能较差。如何解决硅基负极材料这两大缺点是普及硅基材料在锂离子电池应用的关键。 陈永胜教授课题组结合在纳米技术和石墨烯材料领域的专长,经过近 10 几年的研究,采用低成本的原材料、易工业化的工艺技术制备了石墨烯包覆的硅基负极材料,主要技术创新点包括:1)采用独特的、具有自主知识产权的纳米技术将大粒径的硅粉进行纳米化处理,纳米化大大缓解了硅在充放电过程中体积变化的问题,从而从根本上解决了硅基负极材料循环性能差的问题;2)石墨烯包覆则充分发挥了石墨烯导电导热性能好、机械性能优异、电化学性能稳定等特点,改善了材料的锂离子扩散性能和电子导电性,大大提高了功率特性; 14隔绝了硅与电解液的直接接触,抑制副反应造成的电解液分解和材料侵蚀,提高了首次效率,延缓了使用过程中的寿命衰减;进一步减缓了充放电过程中硅的体积变化,维持材料结构的整体稳定性,极大地提升了循环特性。
南开大学 2021-02-01
三维非硅微纳集成制造技术
随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。 微系统集成发展趋势 多元兼容集成制造技术  获奖情况 上海市技术发明一等奖2016年团队获奖 国家技术发明二等奖2008年 上海市技术发明一等奖2007年 超薄超快高热流密度微通道散热器 上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。 高温薄膜温度传感器研究  发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。 薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构 高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术 薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求 无线温度传感器测温系统 高性能转接板 基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。 TSV-3D 高密度封装概念图  金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片
上海交通大学 2021-05-11
三维非硅微纳集成制造技术
项目成果/简介:随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。微系统集成发展趋势多元兼容集成制造技术 获奖情况上海市技术发明一等奖2016年团队获奖国家技术发明二等奖2008年上海市技术发明一等奖2007年超薄超快高热流密度微通道散热器上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。高温薄膜温度传感器研究 发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求无线温度传感器测温系统高性能转接板基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。TSV-3D 高密度封装概念图 金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片知识产权类型:发明专利 、 软件著作权 、 集成电路布图设计技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:国家级
上海交通大学 2021-04-10
高效硅异质结SHJSHJ太阳电池技术
北京工业大学 2021-04-14
超薄晶硅纳米线太阳能电池
常州大学 2021-04-14
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