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汽车教学设备北汽纯电动电池管理系统
北京智扬北方国际教育科技有限公司 2021-08-23
基于硅基外腔芯片的窄线宽连续调频激光器
1. 痛点问题 激光雷达在自动驾驶等领域有重要应用。基于调频连续波技术的激光雷达(FMCW Lidar)有着探测距离远、抗干扰和同时测速等优势,被认为是最具应用潜力的激光雷达。激光光源是FMCW激光雷达的核心器件之一,FMCW光源的调频非线性会严重影响激光雷达的分辨率,导致有效工作距离缩短,阻碍激光雷达性能的提升。 2. 解决方案 本成果预期解决目前调频连续波激光雷达(FMCW Lidar)中光源调频非线性的问题。本成果提出一种基于硅基外腔芯片的窄线宽激光器,通过无源硅基外腔芯片反射波长中心频率和反射相位的联合调谐,可以实现高线性的激光输出频率调谐,其原理架构与和实验验证结果如图1所示。从而突破了传统FMCW光源直接通过电流调制进行调频导致的非线性限制,直接产生高线性连续调频光信号。 合作需求 1、需要融资1800~2000万元,完成研发实验室及一期生产线的建设,以及前期工程样品的开发; 2、需要800平米左右万级超净厂房及配套办公面积,希望有兴趣的地区或者园区能够提供优惠的政策与支持; 3、欢迎FMCW激光雷达厂家及其它对FMCW光源有需求的客户合作,联合测试、共同开发; 4、欢迎在硅光设计、光有源、无源耦合及自动化生产等方面的技术、管理专家加盟,共同打造激光雷达的中国光芯,共创美好未来。
清华大学 2022-03-28
专用乳化剂定制和有机硅系列高效乳化剂
有机硅产品包括各类硅油(二甲基硅油、含氢硅油、烷基硅油、芳基硅油、羟基硅油)、有机硅107胶、硅树脂等往往以乳液形式广泛用于纺织、染整、机械加工、橡胶和塑料加工、建材等诸多领域。本技术从乳化剂的结构和被乳化物结构的匹配关系入手,并结合乳化工艺规程的科学制定,开发了针对各类硅油的系列高效乳化剂,特别对一些难以乳化的高粘度硅油、高粘度107胶、氟硅油等都有特别的乳化剂配方。也可为企业针对难以乳化的油相,或对乳液耐温、耐电介质等的特殊要求定制开发专用乳化剂。
南京工业大学 2021-01-12
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜,以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能,如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜,厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法,厚度均匀,根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单,重现性好是本技术的优势。
北京科技大学 2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为:先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材,再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术:调整激光能量和基底温度,通过激光脉冲数控制薄膜厚度,真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜,可实现均匀大面积薄膜的便捷制备,易于有效控制薄膜厚度并且节约材料,有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学 2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学 2021-04-11
一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴
本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴, 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块,其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下,将动力模块的动力传递 到胀轴模块,并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力;胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等,其中转动轴和外轴彼此固定联接,芯轴安装在两者的内部, 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降,从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明,能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能,同 时具备张力均
华中科技大学 2021-01-12
金属和合金纳米粒子组装薄膜材料的气相制备技术
纳米粒子由于具有非常小的颗粒尺寸和大的比表面积,通常显示出许多不同于常规块体材料的电、磁、光和化学特性,在现代工业、国防和高技术发展中充当着重要的角色。随着科学技术的迅速发展,对材料性能的要求也越来越高,因此寻找一种可替代液相法的真空气相法来获得表面清洁纳米粒子的制备技术是开发具有优异性能新型纳米结构材料的迫切要求。特别是纳米粒子组装复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性,成为一个重要的前沿研究热点,它有望将“传统功能材料”通过“纳米复合化”达到进一步提高和拓展材料性能的目的。
厦门大学 2021-01-12
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳(ta-c)薄膜的制备装置和工艺,该薄膜具有极好的物理化学特性,在碳基薄膜中,是目前国际上公认的SP3键含量最高,超过85%,特性最接近天然金刚石的薄膜,硬度达到HV≥85Gpa,可见光和红外光透明,透光率达97%,吸收紫外光,达98%,薄膜均匀性好,薄膜平整度达0.2nm,摩擦系数≤0.08,电阻率达(1012Ω·cm),击穿电压3.5×106,(),热导率18(),密度3.5(g/cm3),薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件,提高使用寿命,减小摩擦,如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块,滑动环等;用于视窗、镜片和传感器表面,可防止划伤,增强散热,利于红外光传递,等;用于激光透镜,可提高损伤阈值;用于射线辐射测量传感器,可抗射线辐射损伤,提高测量的灵敏度。
西安交通大学 2021-04-11
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