本发明公开了一种自支撑 PEDOT-PSS 薄膜,包括质量比为 3:7~ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS,所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度为 1μm~50 μm,方块电阻为 0.10Ω/sq~120Ω/sq,电导率为 210S/cm~1827S/cm。 本发明还公开了该 PEDOT-PSS 薄膜的制备方法以及在光电子器件的 电极中的应用。本发明制备所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撑 性能以及导电性能,在光