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一种制备高温超导涂层导体LaSrMn03缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密,织构良好,可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤:分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn=0.7∶0.3∶1的比例,溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后,将溶液置于红外干燥箱中,待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn=0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高,制作工艺简单,操作控制容易,不污染环境。
西南交通大学 2016-10-20
具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备方法及其产品
本发明公开了一种具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备 方法,包括:步骤一,在平整光滑的目标衬底表面,均匀涂覆呈一维 结构的导电金属纳米材料,并形成为导电网络结构;步骤二,在具有 导电网络结构的目标衬底表面上,刮涂形成含氟聚酰亚胺的前驱体涂 层;步骤三,通过梯度升温的方式来对含氟聚酰亚胺前驱体涂层执行 固化处理;步骤四,将完成上述固化后的含氟聚酰亚胺膜层从目标衬 底予以剥离,由此制得所需成品。本发明还公开了相应的柔性
华中科技大学 2021-04-14
三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法
本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法,其方法包括:将白钨酸溶于过氧化氢水溶液,配制成过氧化钨酸溶液;将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上;将钨盐溶于醇中,形成前躯体溶液,将导电基底固定于反应釜中,将前躯体溶液加入反应釜中,在150~250℃反应8~16h,取出后再在300~450℃热处理1~3h,得到三氧化钨纳米线阵列;将苯胺与稀硫酸混合,形成用于制备聚苯胺的电解液,电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便,制造成本较低,易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。
浙江大学 2021-04-13
一种用于制造片材与柔性薄膜复合叠层的热压设备
本发明公开了一种用于制造片材与柔性薄膜复合叠层的热压设备,该设备包括:由上下两个热压头共同组成的热压装置,位于热压装置的外侧用于将片材提供给真空拾放装置的上料装置,用于从上料装置的片材料盒中取料并将片材输送至下热压头上的相应叠合位置的真空拾放装置,位于柔性薄膜的输送路径上用于将输送中的柔性薄膜撑起一定高度的撑膜装置,以及分别用于对柔性薄膜的输送位置和片材上料位置等信息进行检测和反馈的薄膜检测装置和上料检测装置。通过本发明,能够同时实现热压、上料、拾取和转移等多种功能,结构紧凑,便于控制和操作,并利用视觉定位技术和独立的热压装置支撑框架来进一步保证薄膜叠层的精度。
华中科技大学 2021-04-11
季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂层材料
成果简介:本发明涉及一种季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂层材料。通 过可逆加成-断裂链转移自由基或大分子引发剂自由基聚合的方法,制备聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羟乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷进行季铵化反应,制得季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。该方法的优点是 反应操作简便,反应条件温和,反应过程具有较好的可控性。制备的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。这种多嵌段共聚物可以广泛应用于抗菌涂层材 料。 成果水平: 国内领先 应用范围:广泛应用于织物、室内装饰、建筑物的内、外墙、顶棚或地面、以及 家具表面。 市场分析及前景:微生物广泛存在于自然界,通常细菌适宜繁殖生长的自然条件 为温度 23℃~38℃,相对湿度为 85%~100%,因此在温湿地区的建筑物内外墙 面,以及家具表面等适合细菌生长的表面,它们繁衍迅速.并由此生出各种酶、 酸和毒素的代谢产物,从而影响物品的外观与质量,污染环境,危害动植物的生 长和人类的健康,我国南方地区多雨潮湿,很容易滋生细菌,抗菌涂料具有筑装 饰和防霉作用的双重效果,具有广阔的应用前景。目前抗菌涂料的研发处于初始 阶段,具有良好的发展前景。 主要技术指标:抗菌性能: 测试方法:琼脂平板法。 测试结果:在 37℃下,对大肠杆菌、枯草杆菌等进行 24 小时培养,具有显著的 抗菌效果。 合作方式:技术转让,100 万元。
天津大学 2021-04-11
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起,硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材,其需求日趋增加。同时,基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极,然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染,导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂,严重影响了多晶硅电极的使用性能。 传统制备技术下,设备热场结构单一,熔体流动性差,导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出,难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质(P、 O、N);利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固,进而分离硅中的金属杂质;基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒,并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系;基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺,可应用于刻蚀等半导体制造等领域。 本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持,具有很好的生产示范性,实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗,是一种低成本、环境友好的生产方法,属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广,可大幅增加就业岗位,提高企业的市场竞争力,保护环境。
大连理工大学 2021-05-10
硅晶片线切割用6HSiC微粉材料的研究及产业化
关键工序生产的自动化 ① 粉碎(雷蒙磨)自动控制系统的研发   研制可对粉碎车间雷蒙磨振动下料、粉碎、气流粗分工况进行实时监测、自动优化控制的自动监控系统。将雷蒙磨因堵塞停机造成的故障次数比现阶段减少75%,且提高工效15%以上。    ② 气流分级自动控制系统的研发   研制气流分级机用自动控制系统,具备以下功能:可根据分级轮主机负载实时自动调节喂料速度、根据所设定的风压值自动调整变频器运行、根据生产工艺要求自动向企业综合信息平台实时发送生产工况参数。    ③ 提纯工序实时检测与信息管理系统的研发   开发可对提纯缸、脱水机、烘干炉等主要设备工况进行实时监控的智能化监控仪设备。    ④ 水力分级自动控制系统的研发   研发水力分级设备用自动控制系统,可根据工艺曲线要求自动控制水流量。采用水泵变频控制,变常规的高低液位控制为恒液位控制,液位控制精度达到0.3%;研制出料自动切换装置,实现出料无人值守。 ⑤ SiC冶炼炉在线自动测控装置的研发   研制SiC冶炼炉在线自动测控装置,可按冶炼工艺和炉温自动进行恒功率综合优化控制,炉温控制精度达到2.5级。成果已在工厂正常运行3年。获得4项发明专利授权,5项软件著作权授权 雷蒙磨粉碎自动检测方法及装置                   专利号:ZL200810020792.3 一种提高碳化硅微粉水溢流分级效率的精密控制方法 专利号:ZL200910035173.6 一种燃煤锅炉能效监测方法                      专利号:ZL201110091483.7 阵列式LED照明灯具的中心区域温度动态控制方法  专利号:ZL201210356239.3 一种经济型燃煤锅炉能效监测系统及方法           专利号:ZL201110292517.9 一种低冗余度高可靠性船舶发电机组智能测速装置 专利号:ZL201110058228.2一种手机可遥控的总线型区域供热计量管理系统 专利号:ZL201010134495.9
东南大学 2021-04-13
硅基微纳结构调控太阳光谱提升光伏器件效率的研究
拥有人工微结构科学与技术协同创新中心、固体微结构物理国家重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心以及江苏省光电信息功能材料重点实验室等科研平台,在硅基纳米结构材料与性能调控,硅基光子学器件和新型能源器件等基础研究领域具有很强的影响力。近年来,在硅基太阳能电池片研发及其新型结构材料在电池片上应用等方面开展了全方位的研究,承担完成了国家重点基础研究发展计划课题和国家自然科学基金重点项目等相关课题的研究。提出了渐变带隙的纳米硅量子点电池结构,利用渐变带隙进一步拓宽电池的响应光谱范围,发展了包
南京大学 2021-04-14
多晶硅生产冷氢化工艺加热合成反应关键技术装备
实现多晶硅生产冷氢化工艺过程工程化的关键加热系统装置;降低成本40%,减少能耗2/3。8000小时以上无故障稳定运行加热合成反应器关键技术。
常州大学 2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法,包括硅衬底,在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区,以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层;所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒,构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学 2021-04-14
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