碳化硅衬底晶片

碳化硅衬底晶片及其功率器件● 衬底晶片应用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS衬底等● 新能源汽车应用：电动汽车电驱系统功率器件、充电桩功率器件等● 军工应用：机载雷达通讯设备功率器件、微波通讯大功率器件等● 超高速集成电路：RFIC（射频集成电路）、SOS 芯片、光通讯芯片、5G 技术等

青岛嘉星晶电科技有限公司 2021-08-30

冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法

碳化硅的工业生产，国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率低，产品市场竞争力差。高品质 SiC 新材料市场奇缺，严重制约了其在诸多高新技术领域的应用。 1995 年以来，课题组对以往国内外 SiC 生产炉的结构、生产技术和工艺进行了全面深入的调查、经多年潜心研究，创立了多热源多向流合成碳化硅理论体系，发明了 “ 冶炼碳化硅的多炉芯炉及其生产碳化硅的方法 ” 新技术。该技术获国家发明专利授权 1 项，获西安市科技进步一等奖、陕西省科技进步三等奖以及陕西省职工优秀发明创新成果金奖。已在国内陕西、青海、宁夏、新疆、福建等地建成生产线 10 余条，占据我国 SiC 产能的 1/4 ，创产值 30 亿余元，有力地推动了行业技术进步。

西安科技大学 2021-04-11

金刚砂（绿碳化硅）

产品应用：半导体硅片和蓝宝石晶体的线切割光学滤波片、石英镜片的粗研磨工艺优势：我们提供的每一种研磨粉/砂都是经过严格的粒径控制和专业的加工工艺，在高切削力条件下保证加工表面具有较好的研磨效果，具有粒度均匀、纯度高、可根据客户个性要求单独提供高精度微粉。碳化硅线切割产品特点：1、高纯度、大结晶的碳化硅原材料，保证了碳化硅切割微粉的优良切割性能和稳定的物理状态；2、粒度形状为等积且刃锋，保证了碳化硅微粉作为切割刃料的均衡性，从而保证被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均匀；4、有高热震稳定性和荷重软化温度，确保了在荷重切割时小线膨胀系数，保证切割的稳定,并且同切割机有很好的适配性；5、表面经过特殊处理，微粉具备大比表面积和清洁外表，与聚乙二醇等切削液有很好的适配性。碳化硅精磨产品特点：1、严格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨过程的划痕。2、按照欧洲标准和日本标准检测，保证了产品的稳定供应。

山东麦丰新材料科技股份有限公司 2021-09-01

碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料

碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料耐腐蚀、耐高温、耐磨损、韧性高，能够广泛用于能源、交通、化工等领域的关键部件，比如摩擦制动材料、耐化学腐蚀叶片等。

东南大学 2025-02-08

碳化硅紫外光电探测器

现今，高响应度光电倍增管(PMT)为最广泛应用于微弱紫外信号的探测器，然而由于其体积大、易损坏、需要高精度高压电源、无法实现阵列探测和价格高等因素的制约，研制碳化硅紫外雪崩光电探测器取代光电倍增管已经成为近年来国际上光电探测领域的研究热点。与光电倍增管相比，碳化硅紫外光电探测器具有体积小、可制作焦平面阵列探测、结构简单、可在室温下工作、成本低等优点。随着碳化硅材料和其器件制备技术的不断发展，其紫外光电探测器性能指标有望达到甚至超过光电倍增管。本研究小组已就肖特基势

厦门大学 2021-01-12

通讯波段碳化硅色心的室温自旋操控

郭光灿院士团队的李传锋、许金时、王俊峰等人与其合作者在国际上首次实现了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室温相干操纵，并且实现了单个NV色心的可控制备和光探测磁共振谱的探测。这种色心的发光波长在通讯波段，在量子通信和量子网络中具有重要用途，基于这种色心自旋的量子器件十分适合光电集成以及产业化。该成果于2

中国科学技术大学 2021-01-12

碳化硅材料外延关键技术研究

小试阶段/n本项目研究的碳化硅外延技术有其特殊性，不同于一般的半导体外延技术， SiC 外延生长技术在生长温度、生长速率、缺陷和均匀性控制的具体指标要求以及实现 途径上都突出了电力系统应用的特点。目前，国际上已经形成了从碳化硅衬底材料、 外延材料到器件制备的一整套产业体系。高质量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 础材料，目前的国内外电力电子器件需要的碳化硅外延材料的发展趋势都是向大直 径、低缺陷、高度均匀性等方向发展。 目前，几乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延层上制备的。高质量的碳化硅

中国科学院大学 2021-01-12

一种碳化硅纳米线的制备方法

本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备 方法如下：将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高 温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－3 小时后自然 降到室温。由本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产物均为碳化硅纳米线，长度 比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了 2 个量级，且制备方法简单，原料便宜易得， 设备要求简化，成本低。

同济大学 2021-04-11

碳化硅纳米粉体分离分级方法与技术

项目成果/简介:创新了一种纳米颗粒的分离方法并实现了一种分离装置，其原理类似于麦克斯韦速率分布律的验证方法及其实现装置的原理，可将不同粒径的纳米颗粒收集到不同的位置，达到分离和分级的目的。技术方面涉及不同粒径（质量）纳米颗粒的荷电状态、在电场中的运动速度（及其分布）、给料时间间隔、颗粒落点以及收集周期等多种因素的复杂作用及其之间的优化匹配与控制。纳米颗粒是指直径小于 100nm 的颗粒。与传统分离方法相比，本方法和技术不受被分离的纳米颗粒尺寸的限制，分离量可自行调节，分离效果好，可使分离效率大幅提高。应用范围:本项目采用的方法和技术不是用于纳米颗粒的制备，而是将已有的不同粒径纳米颗粒的混料进行分离和分级。效益分析:可用于具有纳米颗粒分离、分级需求的广泛场合，如电子器件、集成电路制膜的原料准备和光学、电子、医疗等精密部件的磨料准备，应用潜力巨大。知识产权类型:发明专利知识产权编号:ZL201610401673.7技术先进程度:达到国内先进水平成果获得方式:与企业合作获得政府支持情况:无

兰州大学 2021-04-10

碳化硅纳米粉体分离分级方法与技术

创新了一种纳米颗粒的分离方法并实现了一种分离装置，其原理类似于麦克斯韦速率分布律的验证方法及其实现装置的原理，可将不同粒径的纳米颗粒收集到不同的位置，达到分离和分级的目的。技术方面涉及不同粒径（质量）纳米颗粒的荷电状态、在电场中的运动速度（及其分布）、给料时间间隔、颗粒落点以及收集周期等多种因素的复杂作用及其之间的优化匹配与控制。纳米颗粒是指直径小于 100nm 的颗粒。与传统分离方法相比，本方法和技术不受被分离的纳米颗粒尺寸的限制，分离量可自行调节，分离效果好，可使分离效率大幅提高。

兰州大学 2021-05-11