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高白度抗静电纳米粉体
研发团队针对高性能、抗静电热控涂层材料开展自主科研攻关，研发出具有自主知识产权的白色氧化锌导电粉体，与相关企业合作建立了100Kg级导电粉体中试生产线，完成了粉体批次稳定性验证，突破了批量制备导电粉体稳定性差的瓶颈，形成了一套高性能白色氧化物导电粉体的标准生产工艺。产品技术指标经权威检测机构检验达到或超过进口产品水平，并已通过国家航天领域应用验证。同时，产品原料及生产成本远低于进口产品，有望在我国民用市场普及。产品可应用于汽车、电子、纺织、橡胶和化工等领域的防静电、节能、电磁屏蔽等，如轮胎橡胶添加剂、红外反射涂层、防静电涂层等，市场前景广阔。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
负载纳米改性石墨氮化碳的白光连续消毒材料与技术
目前传统消毒技术有诸多缺点：紫外消毒由于紫外光光谱会杀死健康细胞，对人眼和其他器官也是危险的，所以其灭菌场所不能有人进入，大大限制了其应用范围。传统的二氧化钛催化剂由于禁带宽度3.2ev，也只能受紫外光激发有效，大大限制了其应用；臭氧消毒易分解，其灭菌场所不能有人进入，对人眼和其他器 官具有危害；酒精、84消毒剂由于挥发不具有持续消毒能力，需要经常喷洒，另外存在着使用不当引起的火灾、中毒等风险。
课题组研发的氮化碳g-C3N4功能复合膜制备可解决述痛点，该项技术具有可提高膜的亲水性、提高膜的水通量、赋予膜光催化性能、赋予膜自清洁性能和抗菌性等特点。
北京交通大学
2023-05-08
一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学
2021-04-14
国家发改委：把碳达峰碳中和摆在环资工作突出位置
会议指出，推进碳达峰碳中和是党中央经过深思熟虑作出的重大战略决策，是我国对国际社会的庄严承诺，也是推动高质量发展的内在要求。
人民网
2022-01-12
一种碳纳米结构修饰片状有序介孔碳材料及其制备方法
本发明公开了一种碳纳米结构修饰片状有序介孔碳材料及其制备方法。本发明的方法包括步骤：（１）制作前驱体溶液：以无水乙醇为溶剂，可溶性酚醛树脂为第一组分，三嵌段共聚物为第二组分，按比例混合形成均匀的前驱体溶液。（２）选用草酸钾作为基质，将其固体粉末堆积到反应器中，按比例加入前驱体溶液，利用乙醇的蒸发获得复合材料，将获得的复合材料经历低温热交联、高温分段焙
东南大学
2021-04-14
一种钒酸锂负极材料、负极、电池以及负极材料制备方法
本发明公开了一种钒酸锂负极材料、负极、电池以及负极材料 的制备方法，属于电池领域，钒酸锂负极材料为核壳结构，其核部为 钒酸锂，其壳部为包覆层，钒酸锂为纳米级颗粒或者为纳米级颗粒形 成的微米级的二次颗粒，所述包覆层厚度为 2～30nm，包覆层包括导 电性包覆层或/和稳定性包覆层。通过化学气相沉积方法以惰性气体为 载气将有机碳源带入高温反应器中，在核部表面形成无定型碳或者石 墨化碳的导电性包覆层。采用真空镀膜、磁控溅射、
华中科技大学
2021-04-14
四氯化钛清洁生产及精制除钒综合利用工艺
“四氯化钛泥浆的污染治理及综合利用工艺”：含 TiCl4 约 50%的泥浆，经该工艺处理 TiCl4 得到回收，泥中残含 TiCl4 不大于 5%，不增加明显的二次污染；投资少效益高。“四氯化钛精制除钒的清洁生产及综合利用工艺”：精制质量、效率及回收率高于铜丝球法，精制成本明显低于铜丝球法，酸水及烟雾污染不高于铝粉法或有机物法，含钒渣浆便于回收利用；可利用现有铜丝球除钒设备并经少量整改而逐步实施并迅速推广；投资少效益高。“高纯 TiCl4 的深度精制及贮存工艺”：适宜与上
江苏大学
2021-04-14
过碳酰铵生产技术
过碳酰铵是一种新型的高效无毒灭菌，杀菌，消毒剂，外观为白色的细小晶体，易溶于水，化学性质较稳定，与传统的消毒剂―过碳酸钠相比，过碳酰铵活性氧的含量较高，在水中溶解度大，功效更安全，性能优异，广泛用于日化，生化，化工，饮食，医药，医疗卫生，纺织印染，造纸，皮革等多种工业部门。同时还应用于有机高分子合成作引发剂，使聚合反应转化率大为提高，在发达国家中，过碳酰铵的研究，生产和应用是相当热门的，而我国由于种种原因，对它的研究开发，生产和应用还处在启蒙阶段，不过由于2003年全国“非典”的教训，使人们对过碳酰铵的性能认识和生产应用肯定会出现。
武汉工程大学
2021-04-11
碳基CMOS集成电路技术
发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。
北京大学
2021-02-22
无公害快速碳氮共渗
本研究成果从热力学分析入手，了解多种材料在高温下分解情况，对多种渗剂的共渗活性进行试验比较，确定了一种新的渗剂及有关工艺参数。本新工艺渗速快（在相同条件下比煤油加氨气快1/3）；组织状态好（基本上不产生黑色组织）产品变形小、无公害、操作简便，适用于井式炉、转炉、多用炉等常规设备；渗剂成本低与煤油氨气法相当。
西安交通大学
2021-01-12