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增材制造用金属粉体材料制备及应用技术
以周廉院士为带头人的中心研究团队，面向航空、航天、海洋工程和生物医疗等领域对高性能、结构-功能一体化材料及其面向性能制备的高端制造技术的迫切需求，围绕高性能钛合金、镍基高温合金、难熔金属及铁基合金粉体材料的制备与应用，开展了高性能合金成分设计与优化、高均匀高洁净母合金制备、高性能金属粉体材料制备、增材制造构件后处理集成技术及装备、粉末冶金近净成形技术的系统研究，形成了增材制造领域用高性能金属粉末材料制备及应用的成套专用技术。
南京工业大学
2021-01-12
氮化镓界面态起源
已有样品/n基于超低温的恒定电容深能级瞬态傅里叶谱表征了LPCVD-SiNx/GaN界面态，在70K低温下探测到近导带能级ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的极小捕获界面。在国际上第一次通过高分辨透射电镜在LPCVD-SiNx/GaN界面发现晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，证明了近导带界面态主要来源于镓悬挂键与其临近原子的强相互作用。由于晶化的Si2N2O
中国科学院大学
2021-01-12
一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法
本发明公开了一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法，其包括如下 步骤：首先配置镓盐溶液、铟盐溶液和锌盐溶液；然后使用不含碱金 属的碱液作为沉淀剂，并采用三步沉淀法分别使所述镓盐溶液、铟盐 溶液以及锌盐溶液中的镓离子、铟离子、锌离子在不同 pH 值下先后沉 淀，以制备铟镓锌氧化物前驱体粉体；最后将制备的所述铟镓锌氧化 物前驱体粉体经洗涤、过滤、干燥、退火后制成获得高纯单相铟镓锌 氧化物粉体 InGaZnO4。本发明可制备具有高
华中科技大学
2021-04-14
一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法
本发明公开了一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法，属于超 细纳米粉体合成技术领域。先将含钇无机盐、去离子水和络合剂混合， 在室温下搅拌均匀得到含钇的浆液，含钇无机盐和络合剂的重量比为 8/0.5～8/10；当目标产物为 RE:Y2O3 时，含钇无机盐中掺杂有稀土离 子；再将浆液，或者由浆液得到的溶胶或干凝胶在 400～900℃进行煅 烧，使其充分分解，得到蓬松态 Y2O3 或 RE:Y2O3 纳米粉体。本发明 利用新型
华中科技大学
2021-04-14
一种低温制备CrB或CrB2粉体的方法
（专利号：ZL 201410219062.1） 简介：本发明公开了一种CrB或CrB2粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为1：4或1：6的氧化铬和无定形硼粉与一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～2h得到CrB或CrB2粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法合成温度低，合成周期短，采用的生产工艺简单、成本低廉、适合批量生产。所制备出
安徽工业大学
2021-01-12
一种聚苯胺包覆的复合粉体及其制备方法
本发明公开了一种聚苯胺包覆的复合粉体及其制备方法。它包括三个部分,核心层为碳材料,夹心层为单质铁纳米微粒和氮化铁,包覆层为聚苯胺薄膜。其合成步骤如下:将碳材料充分吸附硝酸铁溶液,通过氢气还原、氨化反应后分别包覆单质铁微粒和氮化铁保护层;最后采用原位聚合技术在产物外层包覆聚苯胺薄膜,得到聚苯胺包覆的复合粉体。该粉体兼具聚苯胺的导电性、抗腐蚀性、化学稳定性以及铁磁性微粒的磁性和催化性能;其原材料来源广泛,工艺流程简单,在电磁波屏蔽与吸收、金属防腐、难降解废水处理、塑胶添加剂等领域具有广泛的应用前景。
浙江大学
2021-04-13
悬空氮化物薄膜LED
南京邮电大学
2021-04-14
高白度抗静电纳米粉体
研发团队针对高性能、抗静电热控涂层材料开展自主科研攻关，研发出具有自主知识产权的白色氧化锌导电粉体，与相关企业合作建立了100Kg级导电粉体中试生产线，完成了粉体批次稳定性验证，突破了批量制备导电粉体稳定性差的瓶颈，形成了一套高性能白色氧化物导电粉体的标准生产工艺。产品技术指标经权威检测机构检验达到或超过进口产品水平，并已通过国家航天领域应用验证。同时，产品原料及生产成本远低于进口产品，有望在我国民用市场普及。产品可应用于汽车、电子、纺织、橡胶和化工等领域的防静电、节能、电磁屏蔽等，如轮胎橡胶添加剂、红外反射涂层、防静电涂层等，市场前景广阔。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷
北京科技大学特种陶瓷研究室开发出一种自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷材料，其应用前景极其广阔。 Si和N2合成Si3N4反应的绝热燃烧温度高，体积有所增加，生成棒状的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反应烧结氮化硅多孔陶瓷的强度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但烧结性能差。本项目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，当加工时，弱界面上会形成微裂纹，并沿弱界面发生偏转，耗散裂纹扩展的能量使裂纹扩展终止；当载荷继续上升时，在下层的弱结合界面处将产生新的临界裂纹再扩展；如此反复，使裂纹成为跳跃式阶梯状扩展，断裂渐次发生而非瞬间脆断，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本项目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉为原料的普通烧结工艺节约了原料成本。产品的基本工艺为自蔓延高温合成（燃烧合成）工艺，在气体高压反应器中进行，烧结所需要的能量完全由原料自身放热提供，与其他制备方法（常压烧结、热压烧结、反应烧结）相比较，不需要高温烧结炉长时间烧结，大大节省了能源。本项目工艺简单，烧结速度快，效率高。可制作复杂形状一维，二维的大尺寸陶瓷材料。抗弯强度已做到188MPa，材料可加工性能优良。 已获中国发明专利《ZL 200610089013.6自蔓延反应烧结Si3N4/BN复相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大学
2021-04-11
一种β-Sialon/Al2O3复合粉体及其制备方法
小试阶段/nβ-Sialon材料常用的工业合成方法是以高纯的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通过高温固相法合成，但由于该方法中原料价格昂贵导致过高的生产成本，进而限制β-Sialon材料的广泛使用。目前合成β-Sialon材料的温度较高和产品中杂质较多。本专利旨在克服以上技术缺陷，目的是提供一种合成温度低、工艺简单和产品纯度高的β-Sialon/Al2O3复合粉体的制备方法。本专利技术采用工业上易得的氧化铝粉、硅粉和铝粉为原料，通过一定的混合处理后，在1100-1300℃温度下即可得到
武汉科技大学
2021-01-12