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含硅固废（尾矿）绿色制备纳米孔道 ZSM-5 分子筛技术
本技术提出以无溶剂法合成ZSM-5分子筛，在分子筛合成过程中无溶剂参与，仅将初始原料研磨混匀后，转移到反应釜中进行晶化反应，从而简化了合成工艺，实现ZSM-5分子筛低成本、高效、绿色合成。
北京科技大学
2021-04-13
蛋黄壳结构的钴基纳米酶及其在汞离子检测中的应用
本发明属于污染物检测技术领域，涉及一种蛋黄壳结构的钴基纳米酶及其在汞离子检测中的应用。将六水合硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵加入水中并混合均匀；与2‑甲基咪唑溶液混合搅拌反应，制得ZIF‑67立方体。加入乙醇中并混合均匀，与多元含氧酸的水溶液混合均匀，然后进行搅拌反应，制得ZIF‑67/PTA。加入乙醇溶液中并混合均匀，随后加入氯金酸溶液和硼氢化钠溶液，然后进行搅拌反应，制得ZIF‑67/PTA/Au。本发明所合成的材料具有蛋黄壳纳米立方体的介孔结构，原材料价格廉价，性能稳定，适合大批量合成。可实现对Hg²⁺的可视化检测。
南京工业大学
2021-01-12
一种菊花状纳米钯聚集体材料的超声辐射制备方法
本发明公开了一种菊花状纳米钯聚集体材料的超声辐射制备方法，是向反应器中加入水和乙醇，然后加入 PdCl2 粉末和表面活性剂-大分子复合体系软模板，在氮气保护下超声反应，反应结束后离心分离收集沉淀物，用乙醇和丙酮洗涤后真空干燥得到纳米钯聚集体材料。本发明借助乙醇的还原作用和助溶剂作用，没有额外添加诸如硼氢化钠、抗坏血酸等化学还原剂的条件下一步合成菊花状纳米钯聚集体材料，反应速率容易控制，成本低廉，操作过程简便易行。本发明所制得的菊花状纳米钯聚集体材料的尺寸范围在 60-100nm 之间。
安徽理工大学
2021-04-13
一种制备花状铜纳米簇-石墨烯-泡沫镍材料的方法
本发明提供了一种制备花状铜纳米簇?石墨烯?泡沫镍复合材料的方法，主要包括以下工艺步骤：1.用化学气相沉积法(CVD)在泡沫镍基体上生长一层石墨烯，制备出石墨烯?泡沫镍基体，2.将上述石墨烯?泡沫镍基体材料直接浸入硫酸铜和L?精氨酸的混合溶液中，让其反应3?6h即得到花状铜纳米簇?石墨烯?泡沫镍复合材料。所制备的花状铜纳米簇由于其具有特殊的花形结构，大大增加了铜粒子的比表面积，使其在一些特殊领域，如气体传感，有广阔的应用前景。
东南大学
2021-04-11
一种基于T形结构的纳米线热导率的测量装置及方法
本发明提供一种基于T形结构的纳米线热导率的测量装置及方法，将热线两端搭接在热沉上，将待测线搭接在热线和热沉之间，由于部分热量沿待测线方向导走，沿热线方向的温度分布将发生变化，即由抛物线形变为双拱形，热线平均温度将明显下降。通过测量热线的平均温升的变化，就可求解得到待测线引入的总热阻，从而求得待测线的热导率。该装置结构简单，成本低廉，测量精度高，可用于包括导电、非导电细丝材料热导率的测量，具有很大的通用性。
东南大学
2021-04-11
一种基于纳米气泡增强乳制品抗氧化功能的方法及其应用
本发明公开了一种基于纳米气泡增强乳制品抗氧化功能的方法及其应用，属于乳制品加工技术领域。本发明提供了一种基于纳米气泡增强乳制品抗氧化功能的方法，在加压的过程中，气体分子会被物理吸附在蛋白质的疏水口袋区域，相比于纯水溶液，气体在含有蛋白质的溶液中的表观溶解度更高，进而在含有蛋白质的溶液会比纯水溶液中形成的纳米气泡浓度更高，因而将纳米气泡引入乳制品中更有利于提高其抗氧化功能。本发明仅通过加压‑减压而无需在低温条件下即在乳制品中形成了浓度更高的小粒径纳米气泡，提升了乳制品的抗氧化功能。
上海理工大学
2021-01-12
可见光驱动广谱杀菌纳米纤维膜及其制备方法与应用
本发明属于杀菌材料制备技术领域，具体涉及可见光驱动广谱杀菌纳米纤维膜及其制备方法与应用。其是在纳米纤维膜上共价接枝光敏剂制得，光敏剂为维生素B<subgt;2</subgt;和维生素K<subgt;3</subgt;。该可见光驱动广谱杀菌纳米纤维膜具有稳定的光敏特性，以及共价接枝解决了光敏剂易脱落的缺点。
上海理工大学
2021-01-12
基于滚压振动研磨制备纳米功能材料，设计锌空电池的电极结构
通过滚压振动磨制备纳米锌粉颗粒、氮化硼纳米片，以碳膜为骨架制成锌空电池的柔性薄膜电极;制备出四氧化三钴纳米花颗粒作为催化剂，设计开发了一维纳米花颗粒/二维氮化硼纳米片/碳纳米管三维网状结构复合的多维复合多孔空气电极结构。
上海理工大学
2021-01-12
喜迎二十大 | 管培俊：高质量的高等教育是亿万人民的期待
我们热切地期望二十大之后，我国高等教育的发展实现新的历史性跨越。
人民政协报
2022-10-12
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11