拥有人工微结构科学与技术协同创新中心、固体微结构物理国家重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心以及江苏省光电信息功能材料重点实验室等科研平台，在硅基纳米结构材料与性能调控，硅基光子学器件和新型能源器件等基础研究领域具有很强的影响力。近年来，在硅基太阳能电池片研发及其新型结构材料在电池片上应用等方面开展了全方位的研究，承担完成了国家重点基础研究发展计划课题和国家自然科学基金重点项目等相关课题的研究。提出了渐变带隙的纳米硅量子点电池结构，利用渐变带隙进一步拓宽电池的响应光谱范围，发展了包

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件，该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成，所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件，不仅使器件的结 构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简 化了制备过程，对降低制造成本有积极作用

这一强磁场下的不饱和磁性与非相对论型的拓扑平庸电子呈现的饱和磁性截然相反，是相对论型的电子所独具的指针性属性。 由于各种拓扑电子材料的能带对于包括自旋轨道耦合以及化学势在内的各种参数高度敏感，决定电子拓扑性质的能量尺度可能小至毫电子伏特量级，因此通常的谱学测量如角分辨光电子谱等往往无法分辨能带的细节。而普通的电输运测量只能表征费米面的贝里曲率，无法区分相对论型的电子能带是否存在能隙。这项对于拓扑电子材料的磁性研究，结合了理论计算与强磁场下的实验表征，提出了探测相对论型的电子的一种决定性指针。该工作已在《自然•通讯》上发表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.

本发明公开了一种粉末状磁性吸附剂与常压质谱源的联用分析方法，将磁性吸附剂加入到样品溶液 中，进行振荡混合后，在外加磁铁作用下弃去上层液体，加入清洗溶剂对磁性吸附剂进行清洗，再用磁 性毛细管吸附磁性吸附剂，然后置于解吸电离离子源下进行解吸附离子化。本方法能实现目标分析物的 富集及除去主要干扰物的目的，使得分析灵敏度得到极大提高，且实现了粉末状磁性吸附剂直接与常压 质谱源的联用分析，简化了分析过程，整个分析过程可在 3 分钟内完成。 

本发明提供一种基于磁表征的铁磁性材料表面轮廓检测识别方法，该方法先将磁敏元件以 0-5<i>mm</i>的提离距离靠近待检铁磁性材料表面，拾取近表空气域内磁场特征，并转化为电压信号；再采用电压信号幅值比较识别判断法，或者检测信号波形图方法进行表面轮廓识别判断。本发明为非接触式提离检测方式，可以实现在线轮廓检测识别；检测手段能够直接穿透灰尘及污垢等物质而不受干扰，不需要高的待检测表面清洁度及检测工况环境光线要求。该方法原理是基于铁磁性材料在加工完后的剩磁在地磁场作用下的磁表征现

本发明公开了一种具有电磁性能的柔性微纳米纤维绞线及其制备方法，缠绕成所述柔性微纳米纤维绞线的微纳米纤维含有光固化高分子材料、导电物质和磁性纳米颗粒，所述微纳米纤维通过无溶剂电纺纺丝前驱液制得，电纺过程在少氧紫外光照环境下进行，所述纺丝前驱液含有光固化材料的液体预聚物、光引发剂、导电物质和磁性纳米颗粒，不含有机溶剂。该微纳米纤维绞线具有优异的力学性能，且具有良好的电磁性能，同时在静电纺丝制备过程中无需添加有机溶剂，制备过程更加安全环保，适宜大规模生产。

实验用磁场强度测试仪 产品概述： 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正茂磁场强度测试仪可测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。 锦正茂磁场强度测试仪可原位测量磁性材料从液氮温区至室温或室温至500℃温区的磁性能随温度的变化曲线。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术指标： 1、测量磁矩范围(磁极间距30mm时)：1*10-3emu—300emu(灵敏度：5×10-5emu) 2、相对精度(量程30emu时)：优于±1% 3、重复性(量程30emu时)：优于±1% 4、稳定性(量程30emu时)：连续4小时工作优于1% 5、温度范围：室温到500摄氏度以及室温到液氮温区 6、磁场强度：0—±3.8T之间 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 电磁铁直流稳流电源： ※ 双极性恒流输出 ① 电源输出电流可在正负额定极大电流之间连续变化 ② 电流可以平滑过零点，非开关换向 ③ 输出电流、电压四象限工作（适合感性负载） ④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.为额定极大输出电流） ※ 电流稳定度高，纹波低 ①电流稳定度：优于±25ppm/h（标准型）；优 于±5ppm/h（高稳型） ② 电流准确度：±（0.01%设定值+1mA） ③ 电流分辨率：20 bit，例 15A 电源，电流分辨率为 0.03mA ④ 源效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供电电压变化 10%时，输出电流变化量） ⑤ 负载效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在负载变化 10%时，输出电流变化量） ⑥ 电流纹波（RMS）：小于 1mA 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ ※ 两种输出模式 ① 电流模式：直接设定磁铁或者线圈中的电流 ② 磁场模式：直接设定磁铁或者线圈中的磁场大小 注意：磁场模式需配合本公司的高精度高斯计和探头 ※ 两种操作方式 ① 本地控制采用高清触摸屏显示和操作 ② 远程可通过 RS232 接口由计算机控制，RS485、LAN 可选 ※ 多种保护功能 ①输入电源掉电保护（输入电源掉电时，内部保护吸收感性负载反灌能量） ②过流保护（自动降流，不可控过流则关断电源输出并报警） ③过热保护（模块过热，关断电源输出并报警） ④水流保护（检测冷却水，一旦水流太小或断水，关断电源输出并报警。适用水冷电源） ⑤结露保护（检测散热管上是否有冷凝水，一旦结露，关断电源输出并报警。适用水冷电源） ⑥外部连锁保护（常开或常闭输入） 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！

本发明公开了一种机床锥配合固定结合部的动力学建模及模型参数识别的方法，该方法建立了一种 32 节点的刀柄-主轴结合部动力学模型，其中 1～8、9～16、17～24、25～32 均为等分点，锥配合结合部单元的运动则通过 1 点和 17 点、2 点和 18、3 点和 19 点、......16点和 32 点之间的相对运动体现出来。基于模态实验，本发明以频响矩阵与阻抗矩阵的乘积是单位矩阵这一理论特性，将实验的频响矩阵和有限元理论得到的子结构的刚度矩阵、质量矩阵相结合，通过初值试凑的方法，运用非线性最小二乘