随着现代电子技术的飞速发展，片式电容（MLCC）的市场需求量日益增加，片式电容（MLCC）是先进陶瓷介质材料与精细制备工艺相结合的高技术产品。在电子信息、集成电路、计算机、自动控制、通讯技术、航空航天、汽车工业、军用国防和民用电子设备等领域广泛应用，市场十分广阔，片式元件及其材料的科研水平和产业化程度已成为衡量一个国家微电子基础工业发展程度和科技水平高低的

产品详细介绍

“NMT界乔布斯”许越先生推荐创新平台 中关村NMT产业联盟推介成员单位创新产品 “全球抗疫，人人有责” 推出背景：         温度因子对植物的生长发育有很大的影响，它影响到植物种子的发芽、植物的生长、植物的开花结实及植物的分布，在植物栽培过程中，只有对当地的气候变化有充分的了解，才可以对植物采取合理的栽培管理措施。   任何植物都是生活在具有一定温度的外界环境中并受着温度变化的影响。首先，植物的生理活动、生化反应，都必须在一定的温度条件下才能进行。一般而言，温度升高，生理生化反应加快、生长发育加速；温度下降，生理生化反应变慢，生长发育迟缓。当温度低于或高于植物所能忍受的温度范围时，生长逐渐缓慢、停止，发育受阻，植物开始受害甚至死亡。其次温度的变化能引起环境中其它因子如湿度、降水、风、水中氧的溶解度等的变化，而环境诸因子的综合作用，又能影响植物的生长发育、作物的产量和质量。 产品介绍 名称：微环境温度红外监测仪 型号：PFT-100 品牌：旭月 产地：中国 简介： 应对挑战： 活体样品的检测结合实验过程中温度的实时变化是实验的难点，尤其是样品检测环境的温度，环境的温度可以使用温度计进行检测，而样品的温度不一定是环境的温度，在检测的过程中，样品温度实时的变化体现了样品当时的状态。 解决方法： 非损伤微测技术结合微环境温度红外监测仪，能够实现活体的实时检测，以及活体样品温度的实时检测，两者实时数据的结合更能反映出样品与环境最真实的结果。   功能特点 1.基本功能： 检测试验环境温度（℃） 检测样品温度（℃/℉） 2.性能参数： 工作电压：5V1A 测试距离：1mm-20mm（请勿接触样品） 温度变化周期：5s 温度测量范围：-70℃～380℃ 温度测量误差：±0.5℃（室温下）分辨率0.02℃ 使用环境温度: -40℃～125℃

本发明公开了一种酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用酸性烤蓝工艺在软磁合金粉末表面包覆由尺寸均匀的纳米Fe3O4形成的包覆层，经粘结、压制成型、热处理工艺，制备新型的软磁复合材料。本发明的优点是：采用酸性烤蓝工艺制备Fe3O4方法简单，并且容易控制Fe3O4层的厚度, 由于该反应是原位反应，因此制备的绝缘层致密，与磁粉的结合度高。与传统的软磁复合材料相比，由于绝缘层为亚铁磁性的Fe3O4，有效减少了磁稀释现象，从而可以得到具有高饱和磁通密度、高磁导率的软磁复合材料。

本发明公开了一种碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用碱性烤蓝工艺使磁粉表面氧化生成一层均匀的Fe3O4的绝缘层，然后经粘结、压制成型、热处理工艺，制备新型软磁复合材料。本发明的优点是：采用碱性烤蓝工艺制备的Fe3O4是在软磁粉末的表面原位生长，因此绝缘包覆层与磁粉之间结合度高，并且包覆均匀致密；由于Fe3O4具有较高的电阻率，因此具有较好的绝缘效果；另一方面，用亚铁磁性的Fe3O4作为绝缘包覆剂，克服了传统非磁性物质作为包覆剂的磁稀释现象，可以获得更高的磁导率及磁通密度；碱性烤蓝工艺操作简单，成本较低，有利于实现工业化生产。

本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化；②在上述被磁化的导磁构件外围，剔除已有背景磁场，形成磁真空区域；③采用磁敏元件布置于磁真空区域，拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号，如果电压信号中存在突变，则说明待检测导磁构件中存在缺陷，否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化，以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场；在其内腔布置永磁体对，产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消，形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来，同时消除由

产品名称：纳米氟碳涂层铝塑板 表面涂层： 铝合金：AA1100series，AA3003series 铝厚：0.3mm,0.40mm,0.45mm,0.50mm 铝厚度：4mm,5mm,6mm 宽度：1220mm,1250mm,1500mm 长度：最长至6000mm,特殊宽度可定制 背涂： 品牌：ALUSHINE 产地：山东临沂

本发明公开了一种测量平面角度方法、芯片与基板相对倾角测量方法及系统，芯片和基板相对倾角的测量方法包括步骤 S21 采用标定的方式获得第一基准平面与第二基准平面之间的角度误差；S22 根据测量平面角度的方法并结合第一高度传感器测得的高度距离获得芯片与第一基准平面的第一倾角，并根据测量平面角度的方法并结合第二高度传感器测得的高度距离获得基板与第二基准平面的第二倾角；S23 将第二倾角、第一倾角和角度误差做向量减法运算获得芯片与基板之间的相对倾角。本发明利用高度传感器测量多点高度测量倾角，进而利用倾角标定