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湿地稻渔共作及其安全优质标标准化控制 技术
本成果曾获江苏省科技进步二等奖。在稻渔（蟹）共作生态系统下水稻的生态特点、产量品质形成规律等方面填补了水稻耕作栽培学在这方面的空白。在共作水稻稻作方式、品种选用、播期确定、适期密度和病虫草生态控制及无害化防治等关键性技术上有重要创新与发展。 由以上突破性成果为主体率先系统建成的“偏迟熟水稻+扣蟹（兼养青虾） 放养”稻渔共作模式（制度） 与配套的安全优质高效生产技术体系。
扬州大学
2021-04-14
一种振荡器及其构成的真随机数发生电路
本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真 随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四 边形、八边形、十二边形等结构，即 4n 边形结构，其中 n 为大于零的 整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、 时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提 供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号 a 和 b 控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用
本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制 备方法和应用。该浆料包括 Ni-ZnO 复合粉体和有机粘合剂，其中， Ni-ZnO 复合粉体的质量百分比为 70～80％，有机粘合剂的质量百分比 为 20～30％；Ni-ZnO 复合粉体为 ZnO 包裹的 Ni 粉。该方法包括如下 步骤：制备 Ni-ZnO 复合粉体；将质量百分比为 70～80％的 Ni-ZnO 复 合粉体和质量百分比为 20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得
华中科技大学
2021-04-14
一种振荡器及其构成的真随机数发生电路
本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真 随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四 边形、八边形、十二边形等结构，即 4n 边形结构，其中 n 为大于零的 整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、 时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提 供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号 a 和 b 控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用
本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制 备方法和应用。该浆料包括 Ni-ZnO 复合粉体和有机粘合剂，其中， Ni-ZnO 复合粉体的质量百分比为 70～80％，有机粘合剂的质量百分比 为 20～30％；Ni-ZnO 复合粉体为 ZnO 包裹的 Ni 粉。该方法包括如下 步骤：制备 Ni-ZnO 复合粉体；将质量百分比为 70～80％的 Ni-ZnO 复 合粉体和质量百分比为 20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方法
本发明公开了一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方 法，来模拟生物大脑的多状态(认知、熟悉、陌生)认知能力。通过分别 调节第二输入端与第一输入端信号脉冲的匹配数目和第二输入端信号 脉冲幅值来实现多层次脉冲识别。第一输入端输入信号代表已存储在 生物大脑中的样本信号，第二输入端输入信号代表生物大脑接收到外 界环境的刺激信号，这种识别方法的原理是通过控制大脑存储的样本 信号和外界环境的刺激信号相互匹配，来调控大脑对于外
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法， 可编程模块包括阻变元件、电阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏极和第一 P 型 MOS 管的漏极均连接至阻变元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源极和第一 P 型 MOS 管的源极连接后与电阻 R1 的一端 连接，第一 N 型 MOS 管的栅极与第一 P 型 MOS
华中科技大学
2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14