|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种 3D 音频空间参数全方位非均匀量化编码系统及方法
本发明提供一种 3D 音频空间参数全方位非均匀量化编码系统及方法，包括基于双声道输入信号进 行预处理、声道信号下混、下混信号量化编码；按子带提取空间参数，所述空间参数为声道间强度差异 参数 ICLD；根据全方位角度 JND 得到全方位角度量化表；根据输入的扬声器的空间位置信息，建立在 两扬声器所夹区域之间所形成虚拟声像的方位角与空间参数的映射表，从全方位角度量化表映射得到空 间参数量化表；进行空间参数全方位的非均匀量化压缩编码，对输入的扬声器空
武汉大学
2021-04-14
基于非均相类 Fenton 联合脱除烟气中 SO2、NO 和 Hg 的系统及 方法
本发明提供了一种非均相类 Fenton 技术联合脱除烟气中 SO2、NO 和 Hg 的系统及方法，属烟气污染物控制领域，主要用于解决电厂烟气中 SO2、NO 和 Hg 的问题。包括反应塔身、喷淋装置、催化剂床层、双氧水填料塔、反应液分离塔和循环泵；燃煤烟气经电除尘器后引入反应塔由下而上流过催化剂表面，H2O2 溶液由循环泵通过喷淋装置流经催化剂层，在催化剂表面发生分解反应产生<sup>.</sup>OH，
华中科技大学
2021-04-14
一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统
本发明公开了一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统， 包括：直流电源、谐振充电电路、Tesla 变压器谐振升压电路、脉冲陡 化电路、限流电阻、线型电极，谐振充电电路包括充电晶闸管、充电 电感、滤波电容、原方电容，Tesla 变压器谐振升压电路包括放电晶闸 管、Tesla 变压器、副方电容，脉冲陡化电路包括三电极火花开关和触 发极电阻，直流电源的正极连接到充电晶闸管的阳极，直流电源的负极接地，充电晶闸管的阴极连接到充电电感的一端，充电电感的另一 端连接到放电晶闸管的阳极，滤波电容直接与直流电源并联
华中科技大学
2021-04-14
一种非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法
本发明公开了一种非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方 法，将一维纳米材料分散到易挥发性溶剂中，通过刮墨工具的运动， 利用刮墨工具与液体的表面张力引导分散液进行涂布；同时加热衬底 加速分散液的挥发，分散液中的一维纳米材料会在运动、挥发过程中 受到剪切力的作用，使得一维纳米材料向涂布方向上转动，待分散溶 剂完全挥发，纳米材料则有取向性地附着在衬底上。本发明方法可以 适用于易分散于醇、水、苯及氯仿等易挥发性溶剂中的一维纳
华中科技大学
2021-04-14
基于非接触式扫描二维码的电动汽车充电系统和方法
本发明公开了一种基于非接触式扫描二维码的电动汽车充电系统和方法，包括充电桩、设于各充电 桩的第一信息采集装置、第二信息采集装置、信息处理模块、通信模块和显示模块；第一信息采集装置、 第二信息采集装置、通信模块、显示模块均与信息处理模块信号连接；信号处理模块通过通信模块与云 服务器信号连接。本发明实现了非接触式的充电桩控制，简化了电动汽车的充电操作，方便了运营商对 充电桩的管理，并可实现无人值守情况下充电费率的自动调节，从而促进城市智能充电网络的
武汉大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化的测量方法
本发明公开了一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法，包括：(1)将铁磁性粒子置于待测对象处；(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态；(3)获得待测对象在常温下的稳态温度 T1，根据所述稳态温度 T1 计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度 M1；(4)当待测对象发生温度变化后，测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值 A，根据所述磁化强度变化信号的幅值 A 计算得到
华中科技大学
2021-04-14
钛酸钾晶须改性高分子耐磨复合材料及其在机械与汽车上的应用
该成果采用钛酸钾晶须、碳纤维改性聚醚醚酮等聚合物，获得高强、高耐磨聚合物复合材料（耐磨垫片），或以其为内衬、金属为外层，通过特殊结构设计和预处理在高温高压使两者结合，得到所需金属/聚合物复合材料制品（复合轴承）。相关产品实现高强、高耐磨、防抱死、免维护功能，与国外产品相比，具有部分功能（耐磨性、耐热性等）与成本优势。 该成果在科技部国家国际合作专项、湖南省国际合作重点项目的支持下取得一系列创新性成果，包括2个发明专利，并于2013年获得湖南省科技进步二等奖（主持）。通过与长沙精达高分
长沙理工大学
2021-01-12
一种通过用胶带预处理生长基底来合成单层二硫化钼枝晶的方法
一种通过用胶带预处理基底来气相沉积生长单层MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核阶段和/或生长过程中引入孪晶缺陷，实现单层MoS 2 树枝晶的形貌调控。所得的MoS 2 晶体具有六次对称的骨架，分枝数可调。其形状的演化过程是由胶黏剂种子诱导的双晶缺陷形核和局部硫/钼源蒸气比的协同效应所引起的。此外，由于硫空位的富集，极大地增强了循环孪晶区的光致发光效率。该工作为合成可控形状的单层MoS 2 提供了一种简便有效的策略，同时也为理解孪晶缺陷的生长机制以及在其电催化和光电催化等领域的应用做出了贡献。
南方科技大学
2021-04-13
面向硬岩开采用硬质合金截齿稀土催化低温渗氮机理研究
截齿表面化学热处理方法有渗氮、渗碳、碳氮共渗等。渗氮与其它表面化学热处理工艺相比，主要优点在于其较低的热处理温度（500-600℃），理想温度为580℃，可在完全调质与回火的条件下对零件进行渗氮，而不会对基体的组织及主要性能造成负面影响，是一个快速便捷、灵活方便、经济高效、可控性强的工艺过程。低温渗氮的另一个优点在于降低了产生变形的可能性。这样，零件就可以通过机械加工得到最终的尺寸，而无须花费昂贵的精加工过程。因此，低温渗氮的实用性和有效性, 一直受到国内外广泛研究。
安徽理工大学
2021-04-11