中试阶段/n项目组年承担了与本项目直接相关的项目有：国家科技支撑计划项目“盐酸分解中低品位磷矿生产工业磷酸及其磷酸盐工业化示范工程”(项目编号：2007BAB08B08，2007~2010已结题)，湖北省科技攻关项目“盐酸湿法磷酸生产工业磷酸盐”(项目编号：2007AA101C23，(项目编号：2007AA101C23，2007~2010已结题)，作为技术负责人参与了湖北省重大科技专项“电子级磷酸制备工艺研究及示范”(项目编号：2007DA108，2007~2010已结题)。间接相关的项目有：国家科技支撑计划项目子课题“低品位胶磷矿浮选工艺技术研究与工程示范”(项目编号：2011BAB08B01，2011~2016已结题)，国家科技支撑计划项目子课题“中低品位难选胶磷矿高效绿色选矿技术研究及示范”(项目编号：2013BAB07B01，2013~2015已结题)。完成了自选项目“磷尾矿综合利用研究”(吴汉军：硕士毕业论文，2015年已结题)。与湖北鄂中生态科技有限公司合作完成了“磷尾矿处理生产粗磷酸盐”项目（2016年完成），发表与项目直接相关研究论文，“间接硫酸法高镁磷尾矿中磷并制备硫酸镁的方法”获得国家授权专利（专利号：ZL 201410143917.7）。为该项目的产业化奠定了基础。。本项目开展了相应工艺研究的实验室工作。研究了盐酸分解磷尾矿的工艺。在分解温度为60度条件下，钙、镁、磷的分解回收率均为95%以上，成功地分离出氯磷酸钙产品。研究了利用硫酸铵分离分解母液中钙元素俺的工艺条件，获得了结晶程度好硫酸钙产品，二水磷酸钙的含量达到99%，溶液中钙的除去率达到99.9%，较好地实现了钙与磷镁的分离。研究了磷、镁、铵溶液中分别沉淀磷酸镁铵和碳酸镁的方法，获得了纯度较高的磷酸镁铵和碳酸铵产品。研究了石膏转化为轻质碳酸钙的工艺技术，碳酸镁达到工业指标要求。石膏的转化率达到99.9%，硫酸铵溶液部分循环利用，部分结晶硫酸铵产品。硫酸铵产品达到工业级质量指标。研究了氯化铵溶液浓缩结晶工艺技术，蒸出液用于氨水配制，结晶氯化铵母液循环利用，氯化铵产品达到优级品指标。并对整过磷矿处理工程进行了水平衡实验，整过过程无废水排放，CO2气体回收利用，无废气排放。只有少量的硅渣排放，由于硅渣呈中性，可以用于生产水泥或路基材料。所形成的成果正在申报专利。基本完成了实验室研究。目前正处于中试阶段。。本项目截止目前为止，已投入资金60万元，投入人力10人，进行了1年半的研究。成果应用正在与相关磷化工企业联系，准备推广实施。。支持额度：。300。万元。承接单位：。湖北省。项目进展：。项目组年承担了与本项目直接相关的项目有：国家科技支撑计划项目“盐酸分解中低品位磷矿生产工业磷酸及其磷酸盐工业化示范工程”(项目编号：2007BAB08B08，2007~2010已结题)，湖北省科技攻关项目“盐酸湿法磷酸生产工业磷酸盐”(项目编号：2007AA101C23，(项目编号：2007AA101C23，2007~2010已结题)，作为技术负责人参与了湖北省重大科技专项“电子级磷酸制备工艺研究及示范”(项目编号：2007DA108，2007~2010已结题)。间接相关的项目有：国家科技支撑计划项目子课题“低品位胶磷矿浮选工艺技术研究与工程示范”(项目编号：2011BAB08B01，2011~2016已结题)，国家科技支撑计划项目子课题“中低品位难选胶磷矿高效绿色选矿技术研究及示范”(项目编号：2013BAB07B01，2013~2015已结题)。完成了自选项目“磷尾矿综合利用研究”(吴汉军：硕士毕业论文，2015年已结题)。与湖北鄂中生态科技有限公司合作完成了“磷尾矿处理生产粗磷酸盐”项目（2016年完成），发表与项目直接相关研究论文，“间接硫酸法高镁磷尾矿中磷并制备硫酸镁的方法”获得国家授权专利（专利号：ZL 201410143917.7）。为该项目的产业化奠定了基础。。项目基本内容：。本项目开展了相应工艺研究的实验室工作。研究了盐酸分解磷尾矿的工艺。在分解温度为60度条件下，钙、镁、磷的分解回收率均为95%以上，成功地分离出氯磷酸钙产品。研究了利用硫酸铵分离分解母液中钙元素俺的工艺条件，获得了结晶程度好硫酸钙产品，二水磷酸钙的含量达到99%，溶液中钙的除去率达到99.9%，较好地实现了钙与磷镁的分离。研究了磷、镁、铵溶液中分别沉淀磷酸镁铵和碳酸镁的方法，获得了纯度较高的磷酸镁铵和碳酸铵产品。研究了石膏转化为轻质碳酸钙的工艺技术，碳酸镁达到工业指标要求。石膏的转化率达到99.9%，硫酸铵溶液部分循环利用，部分结晶硫酸铵产品。硫酸铵产品达到工业级质量指标。研究了氯化铵溶液浓缩结晶工艺技术，蒸出液用于氨水配制，结晶氯化铵母液循环利用，氯化铵产品达到优级品指标。并对整过磷矿处理工程进行了水平衡实验，整过过程无废水排放，CO2气体回收利用，无废气排放。只有少量的硅渣排放，由于硅渣呈中性，可以用于生产水泥或路基材料。所形成的成果正在申报专利。基本完成了实验室研究。目前正处于中试阶段。

本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。

已有样品/n成功开发了系列硅光子流片工艺模块和初版PDK，其中标准单元库主要包括单模波导、Y-分支、光交叉器、耦合光栅等无源器件，而最近有源工艺的成功开发，将向标准单元库中添加加热电极、调制器和Ge 光电探测器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先导中心2016年上半年开发成功的硅光子无源工艺及器件（图3），使微电子所硅光子平台已具有为业界提供基于180nm工艺的硅光子流片服务的能力，成为国内首个基于8英寸CMOS工艺线向用户

本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性：为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件，又可应用于微波器件中，本项目提出了铋镥铁石榴石（BiLuIG）薄膜的设计体系，为了使其同时具有良好的磁光和微波特性，本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方，并选用无铅液相外延技术，大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方设计研究：基于四能级跃迁模型，并结合离子替代规律和多离子掺杂技术，寻找最佳配方；（2）液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究：包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等；（3）材料在器件中的验证研究，设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标：（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义：本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司（中电九所下属）、陕西金山电器有限公司（4390厂）等单位使用，并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品，用于制备磁光和微波器件，受到好评。

本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。

本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。 

通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。

本研究利用氧气对非骨架掺杂选择性刻蚀的效应，首次在Cu衬底上实现了石墨烯的完美骨架掺杂生长，氮掺杂后的石墨烯迁移率高达13000 cm2/Vs，比其他工艺制备的掺杂石墨烯要高出数个量级。同时，石墨烯的面电阻也降低到130 oh/sq，掺杂的稳定性显著提高。

本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变

本项目共包括8项授权专利，另有20余项专利正处于公开阶段。 项目主要创新点为：（1）提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方，实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。 （2）提出了“缓冲法”技术，克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高，薄膜均匀性差的难题，成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料，厚度可达20微米以上，其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平，其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相