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清华大学集成电路学院钱鹤、吴华强团队提出基于旋转神经元的新型储备池计算硬件架构
随着摩尔定律的放缓，基于硅晶体管和冯诺依曼架构的传统计算硬件系统在人工智能时代面临严峻的性能瓶颈。受大脑启发，基于新原理器件的类脑计算致力于充分挖掘电子器件自身的物理属性作为计算资源，从而在硬件层面高效实现各种人工神经网络。
清华大学
2022-04-08
我国科学家提出一种基于旋转神经元的新型储备池计算硬件架构
为模仿大脑对复杂时序信号的处理能力，储备池计算以其易训练、便于硬件实现等优点成为类脑计算的前沿热点。高效的储备池计算架构能够充分挖掘电子器件的自身物理属性，以用作计算资源实现仿生人工神经网络。
科技部生物中心
2022-04-12
m6A修饰通过调控信使核糖核酸（mRNA）在神经元轴突中的局部翻译进而影响轴突生长的新机制
发现在轴突中特异性抑制FTO或敲低FTO均显著地降低了GAP-43 mRNA 的局部翻译。进一步的抗m 6 A免疫沉淀实验证实FTO通过调节GAP-43 mRNA的m 6 A水平从而影响GAP-43的局部翻译。在过表达野生型GAP-43的神经元中，抑制FTO可以显著地降低GAP-43的局部翻译水平，同时显著地抑制了轴突的生长。而在过表达m 6 A 位点突变的GAP-43的神经元中，抑制FTO对GAP-43的蛋白水平及轴突的生长均没有影响。因此，该研究证实FTO可以通过调控轴突中GAP-43 mRNA的m 6 A水平从而影响其局部翻译，进而调节轴突的生长。
南方科技大学
2021-04-13
一种用于连续窄脉冲下的 APD 像元电压读取电路
本发明公开了一种用于连续窄脉冲下的 APD 像元电压读取电 路，设有探测器、可变增益跨阻放大器(TIA)、共模信号采样电路、自 复位比较器和可变增益放大器(VGA)。探测器的输出端连接可变增益 跨阻放大器(TIA)的输入端，可变增益跨阻放大器(TIA)的输出端连接共 模信号采样电路的输入端，以及自复位比较器的一个输入端，以及可 变增益放大器(VGA)的一个输入端，共模信号采样电路的输出端连接 自复位比较器的另一个输入端，以及可变增益放大器(VGA)的另一个 输入端，自复位比较器的输出端为使能信号输出
华中科技大学
2021-04-14
趣味电路
可快速拼装出各种趣味电路和实用电路，拼接式，不小于100种。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
河南元宇宙仪器有限公司
菲泰姆(FEITEM)，是由河南元宇宙仪器有限公司全力打造的虚拟科研创新品牌。团队聚焦虚拟现实与微观表征的深度融合，以人机交互、三维建模、人工智能为技术焦点，构建元宇宙纳米微观科学实验室。
科学工作者无需接触实体设备，即可针对实验仪器进行精准操作，三维可视化的体验让把象的仪器原理和复杂的仪器构造直观呈现，为用户带入科学新世界。
主营业务MAIN SERVICE
开展高校虚拟仿真实验合作，提供元宇宙技术解决方案，以课程共建、虚拟仿真项目开发、人才培养等多种方式开展合作。
提供封面设计、书刊配图、PPT插图、原理动画、三维特效、虚拟交互等设计服务。为各种不同专业需求量身定制，提供个性独特的解决方案。
团队介绍 TEAM INTRODUCTION
我们是一支科学与艺术融合的专业技术团队。
具有计算机、机械、电子、物理、化学、生物、艺术设计等专业背景。
设计师追求科学严谨的艺术表达，为您展现色彩丰富的三维空间世界。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-22
程元徽
程元徽副教授 硕士生导师招生，招生专业：化学工程与技术，研究方向：1. 纳米能源材料的设计、合成及表征技术。包括碳材料、共价有机骨架化合物、金属有机骨架化合物。2. 电催化过程及机理研究。包括氧还原、氧析出、氢气析出、二氧化碳电还原等。3. 能量储存与转化能技术。包括燃料电池、液流电池、超级电容器、电解水、锂电池等。
程元徽
2021-12-31
柯媛元
柯媛元
教授、理学博士、博士生导师
主要研究方向：具退化性及奇异性的非线性扩散方程。
柯媛元
2021-12-31
一种 APD 像元块输出电压四通道选择电路及其输出方法
本发明公开了一种 2×2APD 像元块四通道选择电路，每个独立 的 APD 单元包括地址选择控制电路和四通道选择电路，地址选择控制 电路通过光检测产生的控制信号，与四通道选择电路开关相连，其中， 每个单元的控制信号与自身的通道 1 连接，并分别连到 2×2 像元块中 另外三个 APD 单元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元块首地址输出控制信号有效，从而保证像元块电压依次从四个通道 输出
华中科技大学
2021-04-14
用于集成电路的静电放电触发电路
本实用新型公开了用于集成电路的静电放电触发电路，通过在电路中设置由 NOMS 晶体管和 PMOS 晶体管组成的反相器、 BigFET 晶体管、低阈值电压 NMOS 晶体管使电路实现释放静电放电电流（ ESD ）的功能，且在电路中采用 NMOS 晶体管代替传统的电容器，在能够有效的释放静电放电（ ESD ）电流的同时，避免使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。同时采用低阈值 MOS 管，使 BigFET 栅上的电荷快速泄放干净，没有漏电产生。
辽宁大学
2021-04-11