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晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
华中科技大学
2021-04-14
光伏硅棒材料切割固定用胶粘剂
硅棒切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分，需要将多（单）晶硅棒切割成 薄片，切割过程中需要一种硅棒切割胶，可以暂时性固定硅棒，切割完成后又能够简单 迅速的剥离掉胶层。作为太阳能行业的必要耗材，国内切割胶市场完全被国外产品垄断， 价格昂贵且供货受到制约，而国内公司尚无同类型产品上市。 本项目正是基于此类新能源技术国产化真空，研发了一种新型的硅棒切割胶，解决 了新能源太阳能行业关键耗材的国产化问题，填补国内技术空白，打破国外大公司市场 垄断。 本项目团队同时开发完成以及正在开发许多用于新能源（太阳能及 LED 等）、汽车、 电子电器等先进制造业用各种胶粘剂及新材料项目。在新材料的产业化开发方面拥有较 雄厚的实力。
同济大学
2021-04-11
薄形全采光高效自然通风隔声窗
薄形全采光高效自然通风隔声窗采用多层薄空腔微穿孔共振宽频消声结构形成消声 通道技术，内不含任何传统多孔纤维材料，不存在二次污染的问题，并解决了厚薄形透 明材料微孔加工的工艺问题；消声通道安装简便，易于清洗更换；现场实测效果优于现 市场上使用的通风隔声窗。
同济大学
2021-04-11
螺杆、螺旋形管成型新工艺和设备
近年来螺杆、螺旋形管在我国空压机、冷冻机、螺杆泵、塑料机械中应用越来越广泛。但我国螺杆空气压缩机、冷冻压缩机、泵、塑料机械不但在设计技术上与国际先进水平有差距，在制造技术上更加落后，严重制约了我国这四大类机械产品在国际和国内市场上的竞争力。 为此应该对我国螺杆制造技术的现状和水平有一个清醒的认识，尽快追踪国际先进制造技术的发展趋势，使我国螺杆制造技术和产品质量早日达到国际上发达国家的水平。 为提高螺杆设计制造质量；应从扩展品种、规格；扩大产量、降低成本和售价三方面狠下工夫。提高制造技术的关键是采用新材料、新工艺、新设备。北京科技大学机械学院“管材深加工科研小组”开发的螺旋管（杆）高效成形新技术即属于螺杆、螺旋形管制造技术的关键新工艺与设备。
北京科技大学
2021-04-11
一种铋酸钡纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸钡纳米棒65-80%、聚苯乙烯10-15%、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5%、三甲氧基硅烷5-10%、聚乙烯蜡4-10%。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
两种有源光纤棒单模输出激光器
螺旋耦合掺稀土光纤棒单模输出激光器（专利号：200810118083.9）。它包括泵浦源与单模掺稀土光纤、掺稀土光纤棒；泵浦源对光纤光栅、光纤光栅与单模掺稀土光纤构成的激光器进行泵浦；泵浦源对掺稀土光纤棒进行泵浦，将光纤光栅与光纤光栅、单模掺稀土光纤连接在一起，置入在掺稀土光纤棒包层上刻的螺旋槽内，其中置入槽内的光纤光栅、单模掺稀土光纤部分或全部包层去掉，对槽进行封装，并对掺稀土光纤棒两端端面光滑处理，通过内部强耦合，使掺稀土光纤棒谐振在光纤光栅、单模掺稀土光纤构成的激光器产生的激光波长上，实现主动锁相，从而实现单模激光超亮度大功率输出。 种子激光注入式有源光纤棒单模激光器（专利号：200810118082.4），它包括泵浦源、单模种子光纤激光器、掺稀土离子光纤棒、光纤；其中泵浦源对掺稀土离子光纤棒进行泵浦；光纤的一端与单模种子光纤激光器的输出端连接，另一端去掉部分或全部包层的光纤置入掺稀土离子光纤棒包层或掺稀土离子光纤棒芯内的孔中，其后对掺稀土离子光纤棒进行热处理，使孔无空气间隙。由于光纤与掺稀土离子光纤棒芯之间的强耦合，使得掺稀土离子光纤棒谐振在单模种子光纤激光器产生的激光波长上，从而实现单模激光超亮度大功率输出。
北京交通大学
2021-04-13
中大规格棒材控轧工艺与成套装备
项目背景：大棒材是直径范围为φ70~200 圆钢，实现控温轧制是提高钢材性能、降低合金成本的重要手段。现代化棒材生产线上，根据工艺需要采用了不同的穿水冷却设备布置，以实现控轧控冷功能，但是大规格棒材因为冷却速度慢，水冷后内外温差过大，无法实现理想的控制轧制。开发新型的冷却工艺及配套装备，在不影响正常轧制效率前提下，实现大棒材的控制轧制是行业的难题与期待。关键工艺技术：控制轧制冷却：在精轧机组前置线外冷却装置，通过空冷时间的控制准确控制轧件在精轧机组内的轧制温度，最大限度第消除轧件内外的温度差，结合精轧机一定的变形量，使的φ70~200 圆钢获得较好的产品机械性能。轧后穿水：将终轧温度为 800~950℃的大规格棒材经过间断分布的水冷器，对钢材实现一定程度的加速冷却，同时减少表面快冷淬火组织深度，以达到提高钢材强度、塑性，改善韧性的目的，使钢材得到良好的综合性能。
北京科技大学
2021-04-13
证件照片防伪鲁棒数字图像水印技术
证件照片防伪鲁棒数字图像水印采用的技术包括：图像打印扫描过程像素失真数学建模与校正技术、基于建模校正的抗打印扫描数字图像水印算法、基于边缘和人像特征的图像几何校正技术和纠错码技术等。应用原型系统首先将身份信息采用数据加密算法进行加密，之后使用纠错码进行编码，生成水印信号，最后采用抗打印扫描水印嵌入算法将水印信号嵌入到人像照片图像中，得到嵌水印的照片图像，并将证件打印制作出来。检测时，首先扫描证件得到证件图像，并进行几何校正、照片图像提取，然后对照片图像进行模型校正并运用抗打印扫描数字水印提取算法提取水印信息，对提取的水印信息经过纠错码译码和解密，得到身份认证信息。
北京航空航天大学
2021-04-13
一种用于泵站拦污的折形拦污栅
拦污栅栅前相同体积的污物堵塞的深度小，拦污水位差小，栅后流速分布有所改善，主机运行费用节省 6%以上，而且清污方便，清污费用少。
扬州大学
2021-04-14