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高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
一种微机电系统的圆片级真空封装方法
一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级 MEMS
华中科技大学
2021-04-14
ECE R118圆箔式热流计/辐射计
产品详细介绍ECE R118圆箔式热流计/辐射计用于ECE R118机动车辆特定类型内部结构采用的材料燃烧特性中附录7熔融特性，量程10W/cm2，表面10mm接收黑色涂层接收面，整个传感器的直径是25mm，材料为无氧铜，不带光谱过滤窗口，校正精度±3%，重复性0.5%。ECE R118用圆箔式热流计/辐射计的特点： 便携式设计，体积小且重量轻 本机可以记录数据 USB连接计算机 传感器坚固耐用 充电电池或者电源适配器供电ECE R118用圆箔式热流计/辐射计参数：量程： 0-100（kW/m2）接收视角： 180度采集频率： 1次/秒测试类型： 总热通量时间常数： 小于1s冷却方式： 水冷准确度： 量程最大值的±3%固定方式： 法兰线长： 1.5m（可选）主机尺寸： 90 x 30 x 190 mm（长 x 宽 x 高）传感器尺寸： 25(直径)x25（长）mm；法兰直径43.9mm配置：主机1台，传感器2支，U盘1个，USB连接线1条，电源适配器1个可选：第三方校正报告
上海图新电子有限公司
2021-08-23
一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
一种分形网状相变储能装置
本发明公开了一种分形网状相变储能装置，由储能单元体和载冷剂通组成，载冷剂通道位于储能单元体内外体外，储能单元体由壳体、传热肋片及相变材料构成，传热肋片为分形网状结构并配置在壳体内，壳体内非传热肋片区域填充相变材料；传热肋片为分形网状结构，其级数为m级，m≥2且m为整数，每级传热肋片发散系数N＝4，即每个第j级的传热肋片生成4个j+1级传热肋片，第j+1级传热肋片的中心位于第j级传热肋片的四个顶角。该发明利用分形网状结构的特征，增加了储能装置的有效换热面积，减少罐体内的换热死区，同时增大了传热肋片与相变材料之间的有效导热系数，实现热量从点(面)到面(点)的快速传递，进而提高储能装置的效率，减少能量损失。
东南大学
2021-04-11
水稻粒形调控基因 GS9 及其应用
从水稻中克隆了一个新的粒形调控基因 GS9，该基因突变可以改良稻米外观品质。结合常规回交选育或基因靶向敲除等方法，将 GS9 突变基因用于改良目标品种的粒形和稻米品质。
扬州大学
2021-04-14
J30系列微距形连接器
该连接器采用新型高可靠绞线柔性插针，高密度的接触对排列，接触件尾端分为压接导线、直插印制板、弯插印制板三种形式。塑料外壳,产品符合GJB2446A，广泛应用于各类军用电子设备的电路连接，特别适用于安装空间小，要求重量轻的场合。
山东龙立电子有限公司
2021-06-16
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
华中科技大学
2021-04-14
光伏硅棒材料切割固定用胶粘剂
硅棒切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分，需要将多（单）晶硅棒切割成 薄片，切割过程中需要一种硅棒切割胶，可以暂时性固定硅棒，切割完成后又能够简单 迅速的剥离掉胶层。作为太阳能行业的必要耗材，国内切割胶市场完全被国外产品垄断， 价格昂贵且供货受到制约，而国内公司尚无同类型产品上市。 本项目正是基于此类新能源技术国产化真空，研发了一种新型的硅棒切割胶，解决 了新能源太阳能行业关键耗材的国产化问题，填补国内技术空白，打破国外大公司市场 垄断。 本项目团队同时开发完成以及正在开发许多用于新能源（太阳能及 LED 等）、汽车、 电子电器等先进制造业用各种胶粘剂及新材料项目。在新材料的产业化开发方面拥有较 雄厚的实力。
同济大学
2021-04-11