光电晶体及其器件作为激光技术的关键材料和器件，被诸多国家列为优先发展的技术领域。本项目在国家 863 计划、天津市重大科技攻关、国防科工局民口配套等项目支持下，瞄准国家需求，围绕产品化关键技术攻关，取得了以下主要科技创新： （1）自主设计基于经验数据库的智能计算机晶体生长自动控制系统，并开发了晶体生长成套装备，应用于多种晶体生长，得到批量推广应用。 （2）发展了两种非固液同成分共熔配比晶体的制备方法，实现了 SLN 晶体和 SLT 晶体的批量、廉价制备。 （3）开发了宽温度范围工作铌酸锂电光调 Q 晶体及电光调 Q 开关，在-55℃～70℃温度区间稳定工作，大幅提高了军用激光系统的温度稳定性。（4）以高温度稳定性电光调 Q 开关为核心技术自主研发的系列高温度稳定性铌酸锂电光调 Q 激光系统，实现了批量生产和应用。 （5）开发了满足激光雷达等长期在线工作的低内电场铌酸锂电光调 Q 晶体和电光调 Q 开关。 （6）开发了高抗光损伤阈值的钽酸锂电光调 Q 晶体和电光调 Q开关，典型 1064nm 波段的激光损伤阈值比铌酸锂晶体提高两个数量级以上，且能够满足军工宽温度范围要求。

焊接作为工程机械领域的关键技术，直接决定着国之重器的安全可靠性。目前，智能焊接与检测严重依赖国外进口设备，价格昂贵、售后服务难以保障。对于大型、复杂焊接结构，焊后焊缝质量智能检测在整条焊接产线上属于空白。本团队在国内首次开发了大型焊接结构内外一体化智能检测装备及软件，部分高端装备达到国际水平，建成了国内首条内外一体化焊接智能检测与评估生产线，在徐工挖掘机上获得应用，并在央视CCTV2制造中国节目中播出。 图片 内外一体化焊缝智能检测与评估生产线获央视CCTV2报道

产品详细介绍   一、音乐放松椅介绍     京师心智音乐放松设备，按照人体工程学原理设计，运用前沿的放松技术，融合与脑电、生物反馈之中，通过系列的主题训练，来提升用户的身体放松水平，帮助用户达到最佳的放松状态。 二、音乐放松椅4大优势     1.专业音乐治疗     体感振动技术是强化音乐对人体身心放松作用的一个媒介，人体正常进行活动时细胞和器官都会伴随着一定节奏，而体感音波技术通过一定频率的音乐，让音乐的频率影响内部各器官的振动频率使其达到一致，从而产生身心愉悦的感觉，大幅提升音乐治疗的作用。       2.人体工程学设计：     采用人体工程学和美学原理设计的外形，贴合人体曲线，掘弃奢华回淳朴，以简约的设计理念设计：突显超越人工按摩的真实体验，电动调节椅子角度，体验全方位的放松 ，全面缓解疲劳。      3.专业音乐治疗     国际催眠治疗师蔡仲淮博士、音乐治疗师高天教授等名师精心筛选，以及多项科学实践验证,包含六大主图音乐：减压、催眠、积极心态、α脑波、放松、纯音乐6大主题，根据不同音乐来满足不同使用者需求,达到身心同步治疗。   4.电动调节功能 电动调节功能：椅背和腿部可以调节，可根据使用者的习惯调节到任意角度（伸展范围为90-165度），满足使用者自身适合的舒适角度。   三、音乐放松椅特色 （1）电动控制系统：人体工学设计，智能检测人体身材，最大伸展角度160度。 （2）仿真人按摩系统：72个气囊包裹全身，有拍打、敲击、揉捏等多种按摩手     法选择。 （3）音乐放松系统：专家精心挑选，7大类音乐主题,满足不同情境需求。 （4）远红外加热系统：腰背部的红外热敷功能，能够促进体内新陈代谢，温肾活筋络。 （5）音响系统内置音箱：高保真立体声音箱，重低音喇叭2个。 （6）存储系统：控制器可扩展接口：3个（USB接口、音频输入、音频输出）。 （7）系统控制器：液晶触控面板，涵盖全面功能，一键掌控。 （8）8g u盘：采用精致耐用的全金属外壳，多种容量，满足应用需求。 （9）太空舱零重力模式：太空舱模式将人体重力均衡分散，配合气囊的按摩，达到身体放松。 四、产品参数     五、产品功能 1.智能、情绪等方面。 2.激发潜意识和创造性思维。 3.智力开发，潜能提升，提高记忆力，改善情商。 4.脑神经康复，如儿童脑瘫、自闭、多动症、发育。 5.障碍、中风后遗症等的辅助康复治疗。 6.改善失眠，治疗神经衰弱、焦虑、抑郁、身心失调症状。 7.治疗抑郁症、失语症、自闭症。 8.稳定情绪，精神放松，安定精神。 六、专家     七、荣誉资质     八、客户案例   九、其他相关产品   十、品牌介绍   十一、咨询方式  姓名：范经理  电话：13311233616  Q Q：3201453676  单位名称：京师心智（北京）科技服务有限公司  E-mail ：3201453676@qq.com  邮 编：100875 地 址：北京市海淀区文慧园北路8号庆亚大厦9层        

本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成：a.制备点状光子晶体；b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环；c.以成环的锁式探针作为模板，靶标miRNA作为引物，在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增，通过加入二级引物，使线性滚环扩增沿着支链方向扩增，达到信号进一步放大；d.往滚环扩增产物中加入SYBR GREENⅠ染料后加到点状光子晶体上进行检测。本发明通过利用光子晶体效应对发光的调控，增强荧光强度，从而增强检测的灵敏度，降低检测下限，在最优实验条件下，该方法的线性范围为0.1aM‑1pM，miRNA的检测限低至1aM。本发明无需对循环miRNA进行分离提取，可直接用于实际样本中循环miRNA的检测。

本发明公开了一种基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料及应用，包括载体混合光子晶体以及负载在该载体上的叶酸；其中，所述混合光子晶体包括聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于该骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明胶和磁性纳米粒子；其应用于髓性白血病耐药细胞的检测。本发明的显著优点为该复合材料不仅具有纳米的有序结构、比表面积大，且机械强度高、稳定性强，同时还具有优越的生物兼容性和磁性响应性，易于操控；将其应用于耐药细胞的检测，能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞，并保持要细胞株具有良好的生物活性，抓捕后只需施加磁场即可有效地对其进行富集、分离。

通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算，在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的，掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合，在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比，发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙，而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值（Δ/kBTc）约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（约为1.76），表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制，极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量，发现这种材料为s波超导体，且它的超导能隙的带间耦合很强，超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后，又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言，拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现，证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性，推动了拓扑超导相关领域的进一步发展，也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据，揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线，拟合结果发现带间耦合比较大，表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙，揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下，超导能隙是1.7 meV，远大于体态的超导能隙，且能隙与临界温度的比值约为约为8.6，远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值（1.76）。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时，不同磁场下的超导dI/dV谱，超导能隙被外加磁场所抑制。

本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的 光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二 折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包 括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器 基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为 基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器 消耗检测物过多

项目成果/简介:本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成：a.制备点状光子晶体；b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环；c.以成环的锁式探针作为模板，靶标miRNA作为引物，在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增，通过加入二级引物，使线性滚环扩增沿着支链方向扩增，达到信号进一步放大；d.往

本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域，涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法，特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置，通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计，大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积，提高DAST晶体生产效率，同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长，有效提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比，其选用的生长装置结构简单，成本低，组装简便，操作方便，可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积，提高DAST晶体生产效率；同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长，提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量，有效解决了传统斜板式自发成核法中，在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题，提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。

本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法，包括：（1）准备可弯曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂；（3）在所述基板上沉积栅极；（4）在经步骤（3）处理后的器件上沉积有机介电层单元；（5）在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层；（6）基板松弛，释放作用在基板上的载荷，并进行热处理，以消除界面应力和器件的压应力；（7）沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度，有效提高了制造精度，提升了柔性电子器件的分辨率。