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低含量界面相诱导形成三相共连续三元共混物及其制备方法
本发明公开了低含量界面相诱导形成三相共连续三元共混物及其制备方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯经熔融共混制备得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超过20vol％。本发明还提供了所述低含量界面相诱导形成三相共连续三元共混物的制备方法。本发明加工过程操作简单、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本发明所述三元共混物能够在聚苯乙烯含量很低的情况下形成连续相结构，这样的结构拓宽了共混物在低含量下的连续相结构应用以及其潜在的功能化结构设计。
四川大学
2016-09-29
一种 APD 像元块输出电压四通道选择电路及其输出方法
本发明公开了一种 2×2APD 像元块四通道选择电路，每个独立 的 APD 单元包括地址选择控制电路和四通道选择电路，地址选择控制 电路通过光检测产生的控制信号，与四通道选择电路开关相连，其中， 每个单元的控制信号与自身的通道 1 连接，并分别连到 2×2 像元块中 另外三个 APD 单元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元块首地址输出控制信号有效，从而保证像元块电压依次从四个通道 输出
华中科技大学
2021-04-14
利用秸秆和废弃动物蛋白制造木霉固体菌种及木霉全元生物有机肥
本成果发明了以秸秆和废弃动物蛋白酸解氨基酸为原料，物料和空间均无需严格灭菌下大规模制造木霉固体菌种的技术工艺，突破了木霉全元生物有机肥制造技术瓶颈。
一、项目分类
显著效益成果转化
二、成果简介
木霉生物量大、根表定殖能力强、次生代谢产物种类多和含量高，促生和生防效果比细菌更显著，但木霉在液体扩繁后期不能有效产孢，需再进行固体发酵才能获得高浓度木霉固体菌种，传统工艺原料贵、物料严格灭菌成本高，难以扩大规模，这是木霉生物有机肥产业中的技术瓶颈。本成果发明了以秸秆和废弃动物蛋白酸解氨基酸为原料，物料和空间均无需严格灭菌下大规模制造木霉固体菌种的技术工艺，突破了木霉全元生物有机肥制造技术瓶颈。
南京农业大学
2022-07-25
Teemo合作 | 天尚元×容大智造开启全面战略合作，聚焦滑板底盘全球化商业探索
Teemo天尚元与Cenntro容大智造的此次合作，充分表明了双方对滑板底盘新技术的积极探索，为未来可拓展的城市应用场景提前做好准备。
浙江天尚元科技有限公司
2022-06-20
次氧化锌粉深度治理低浓度 SO2 烟气耦合提取有价组元新 技术
用次氧化锌粉浆液吸收治理低浓度 SO 2 烟气，同时实现次氧化锌粉中伴生有价组元的耦合提取；采用亚硫酸锌浆液的催化氧化方法，同时实现了浆液中 F、Cl 离子的耦合共沉淀；优化创新了高砷含氟、氯物料的硫酸化焙烧脱砷/脱氟/脱氯技术，实现了砷/氟/氯的协同治理；优化创新了铟的富集、提取技术，形成绿色、高效的次氧化锌粉深度治理低浓度 SO 2 烟气耦合提取有价组元新技术。
北京科技大学
2021-04-13
创想三维Ender-3S千元级3D打印机
深圳市创想三维科技股份有限公司
2021-08-23
改性纳米金刚石可作为定向送药的载体
克拉斯诺亚尔斯克科学中心与韩国同行所组成的联合科研团队通过对爆炸法生产的纳米金刚石进行改性处理使其成为定向送药的载体，并可同时具备延长药物释放时间，提高治疗效果的功效。
科技部
2021-04-16
可重复消毒使用口罩的纳米纤维过滤膜材料
清华大学深圳国际研究生院李勃研究员团队与清华大学材料学院伍晖副教授团队近年来一直在合作开发纳米纤维类材料，并在研究中发现纳米纤维膜具有良好的过滤性能。在抗击疫情的战斗中，该团队紧急启动了用于口罩中间过滤层材料的纳米纤维膜的二次开发。
清华大学
2021-04-10
碲化铅薄膜和纳米粉体的同步制备方法
该项目为制备碲化铅薄膜与纳米颗粒的新工艺。目前，PbTe薄膜通常采用真空蒸镀、 激光闪蒸、磁控溅射等物理方法制备，这些方法采用昂贵的镀膜设备，成本较高；电化 学方法沉积PbTe薄膜成本相对较低，但缺点在于必须使用导电基片，适用范围较窄。PbTe 纳米颗粒大多采用水热法或溶剂热法、电化学法、乳液法等方法合成，这些方法在合成 过程中或者涉及了高压设备，或者采用了复杂的仪器和涉及冗长的工艺，或者由于引入 大量有机物给后处理及环境保护带来难题。 本项目提出以碱性水溶液作为溶剂，以成本低廉的含铅无机盐和碲化物或亚碲酸盐 作为反应物，在常压、室温至 50o C 同步合成 PbTe 薄膜和纳米颗粒，制备的薄膜平整致 密且对基片无特殊要求，纳米颗粒尺度均一且可随温度调节。与其他现有的 PbTe 薄膜 与纳米粉体制备方法相比，该方法简单易行，性价比高，几乎无能耗，反应介质为容易 净化处理的水溶液，利于环保。
同济大学
2021-04-11
一种碳化硅纳米线的制备方法
本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备 方法如下：将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高 温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－3 小时后自然 降到室温。由本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产物均为碳化硅纳米线，长度 比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了 2 个量级，且制备方法简单，原料便宜易得， 设备要求简化，成本低。
同济大学
2021-04-11