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光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法，属于光学辐射定 标测量仪器及方法，解决现有测试系统成本昂贵且难以保证测量精度 的问题，以实现光谱响应的高精度测量。本发明的测试系统，包括正 弦调制光源、聚光透镜、单色仪、滤光片轮、暗箱、电机驱动电路， 微控制器控制电路、前置放大电路、正弦锁相放大电路、数据采集卡 和计算机，所述正弦调制光源为正弦调制的白炽灯、卤钨灯或 LED 光 源。本发明使用正弦调制光源，采用可编程器件实现正
华中科技大学
2021-04-14
一种三维量子阱结构光电裸芯片
一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层、p 型层，所述衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层和 p 型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积，在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配，克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题；本实用
华中科技大学
2021-04-14
利用光电门测量玻耳共振位相差的方法
利用光电门测量玻耳共振位相差的方法涉及物理实验参数测量领域。本发明提出一种替代频闪法测量玻耳共振位相差的方法。技术方案是：在玻耳共振仪的摇杆顶部固定一块摇杆挡光片，摆轮上端固定一块摆轮挡光片，摆轮挡光片和摇杆挡光片都能够在摆动过程中经过间隔光电门，使间隔光电门启动计时或者停止计时；摆轮挡光片或者摇杆挡光片的其中一块挡光片在摆动过程中经过周期光电门；受迫振动稳定后，通过间隔光电门测量摆轮挡光片和摇杆挡光片到达同一位置的时间差△T，利用周期光电门测量摆动周期T，位相差为360o*△T/T。有益效果是：不使用闪光灯，避免大电流影响电子线路的工作状态；提出一种替代频闪法测量位相差的方法，是对现有技术的丰富。
四川大学
2016-10-25
探测窗口可调的双模式有机光电探测器
课题组提出一种近红外和可见光的双模式/双波段可调的有机光电探测器，其器件结构主要包括可见光吸收层、光学间隔层、近红外吸收层。研究发现，基于此结构的有机薄膜光电探测器具有近红外和可见光两种不同波段光响应的工作模式。在近红外光照射下，光电流从近红外吸收层产生，其工作原理是在负偏压下，有机薄膜层和阴极电极的界面发生陷阱导致的近红外光响应的载流子注入。而在可见光的照射下，光电流则从可见光吸收层产生，原理是在正偏压下，可见光响应的载流子注入发生在阳极电极和有
南方科技大学
2021-04-14
短波红外光电探测器领域取得新进展
短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱，可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱，但是它们都存在一些瓶颈。譬如，HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且，HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声，以此获得较高的比探测率。此外，基于II
南方科技大学
2021-04-14
美智光电科技股份有限公司
美智光电科技股份有限公司，是美的集团的企业成员伙伴，专注于照明及智能前装产品、方案设计、研发、生产和销售的高新技术企业，产品涵盖智能灯光、智能控制、智能安防及智能吊顶等，致力于成为以智能设备、智能场景和物联网为核心领先的智慧空间解决方案提供商，让科技服务舒适人居空间。
主营产品品类：智能照明、智能浴霸、智能门锁、智能开关面板、智能晾衣架等智能家居场景产品。
美智光电对产品生产及产品品质把控严苛，先后获得了环境管理体系认证、质量管理体系认证证书、职业健康安全管理体系认证三大体系认证，检测中心获得了CNAS认可实验室认可证书和中国标准化研究院能效标识管理中心授权LED照明产品认可企业实验室，主要产品获得了TÜV南德首个室内加热器类产品China Mark认证、CCC、CQC、CE、CB等国内外知名认证及德国红点奖、德国iF设计奖等专业大奖。
美智光电科技股份有限公司
2021-01-15
深圳雷曼光电科技股份有限公司
深圳雷曼光电科技股份有限公司
2022-05-24
光电效应（普朗克常数）实验仪 COC-GD-S
实验内容
1、了解光电效应的规律，加深对光的量子性的理解；
2、测量普朗克常数 h；
3、测量光电管的伏安特性曲线
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
华中师范大学通风设备类、实验柜、基础设施类（废液）等实验设备采购项目竞争性磋商公告
华中师范大学通风设备类、实验柜、基础设施类（废液）等实验设备采购项目竞争性磋商
华中师范大学
2022-06-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10