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短波红外光电探测器领域取得新进展
短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱，可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱，但是它们都存在一些瓶颈。譬如，HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且，HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声，以此获得较高的比探测率。此外，基于II
南方科技大学
2021-04-14
美智光电科技股份有限公司
美智光电科技股份有限公司，是美的集团的企业成员伙伴，专注于照明及智能前装产品、方案设计、研发、生产和销售的高新技术企业，产品涵盖智能灯光、智能控制、智能安防及智能吊顶等，致力于成为以智能设备、智能场景和物联网为核心领先的智慧空间解决方案提供商，让科技服务舒适人居空间。
主营产品品类：智能照明、智能浴霸、智能门锁、智能开关面板、智能晾衣架等智能家居场景产品。
美智光电对产品生产及产品品质把控严苛，先后获得了环境管理体系认证、质量管理体系认证证书、职业健康安全管理体系认证三大体系认证，检测中心获得了CNAS认可实验室认可证书和中国标准化研究院能效标识管理中心授权LED照明产品认可企业实验室，主要产品获得了TÜV南德首个室内加热器类产品China Mark认证、CCC、CQC、CE、CB等国内外知名认证及德国红点奖、德国iF设计奖等专业大奖。
美智光电科技股份有限公司
2021-01-15
深圳雷曼光电科技股份有限公司
深圳雷曼光电科技股份有限公司
2022-05-24
光电效应（普朗克常数）实验仪 COC-GD-S
实验内容
1、了解光电效应的规律，加深对光的量子性的理解；
2、测量普朗克常数 h；
3、测量光电管的伏安特性曲线
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
用于修复全层皮肤缺损的丝素/海藻酸钠可降解生物活性双层支架材料
研发阶段/n该成果成功制备了SF/SA复合双层结构支架材料，其在拉伸断裂强度明显增加，SF/SA50/50多孔材料的增加幅度最大，由单层材料时的48±7KPa提高到598±69KPa，增加了一个数量级，同时双层材料的形变量大幅度增加，双层材料的竖切面可形成定向大孔，横切面孔洞分布均匀，孔径在100~120 μm之间，薄膜与多孔材料之间紧密结合，增强了支架材料的力学性能。
通过对不同实验组全层皮肤缺损修复过程的观察和评价，结果表明，双层支架组修复效果最好，其修复的皮肤组织抗拉强度为1.29
武汉理工大学
2021-01-12
天津工业大学在自供电柔性凝胶离子皮肤研究方向取得新突破
随着人工智能的快速发展，高性能、多功能的柔性传感器已经成为人机交互、精准医疗和运动监测的重要组成部分。离子凝胶由于其高柔性、弹性和离子触觉等特点使其在高性能离子皮肤应用方面得到广泛研究。然而，供电系统及传感系统的集成化问题依然是智能可穿戴设备急需解决的问题。
天津工业大学
2022-10-12
一种含纳米银多孔硅橡胶/聚氨酯双层人工皮肤及其制备方法
本发明公开了一种含纳米银多孔硅橡胶/聚氨酯双层人工皮肤及其制备方法。其特点是人工皮肤含有真皮和表皮双层结构；真皮由疏松多孔聚氨酯制作；表皮由含有抗菌药物的硅橡胶制作，真皮层的制备是将聚氨酯溶解后加入致孔剂，脱泡后流延成膜，挥发溶剂，浸泡沥滤出致孔剂，烘干成多孔聚氨酯膜；表皮层的制备是将硅橡胶前驱体溶解，超声分散纳米银溶液，加入致孔剂，脱泡后刮涂或流延涂膜，挥发溶剂，固化成胚膜，浸泡洗出致孔剂，烘干成硅橡胶微孔膜。然后，将聚乙烯醇、酸液及交联剂涂覆于聚氨酯膜上，再覆盖硅橡胶膜，挥发溶剂，热处理成双层人工皮肤。它具有防水、透气、抑菌、杀毒，并有效吸收积液的作用。
四川大学
2017-12-28
华中师范大学通风设备类、实验柜、基础设施类（废液）等实验设备采购项目竞争性磋商公告
华中师范大学通风设备类、实验柜、基础设施类（废液）等实验设备采购项目竞争性磋商
华中师范大学
2022-06-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件，该器件包括入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、贴附于矩形波导（５）的上表面或下表面；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学
2021-04-11