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一种绿色催化制备14-芳基-14H-二苯并[a，j]氧杂蒽类衍生物的方法
（专利号：ZL 201410351149.4） 简介：本发明公开了一种绿色制备14-芳基-14H-二苯并[a，j]氧杂蒽类衍生物的方法，属于化学材料制备技术领域。该制备反应中芳香醛与2-萘酚的摩尔比为1：2，催化剂的摩尔量是所用芳香醛的3～5％，反应温度为110℃，反应时间为10～30min，反应结束后加入水冷却，有大量固体析出，碾碎固体，静置，抽滤，所得滤渣水洗、干燥后用95％乙醇水溶液重结晶，真空干燥后得到纯14-芳基-14H-二苯并
安徽工业大学
2021-01-12
用Bi/Mo/Co/La/Fe五组分复合氧化物催化剂移动床合成1,3-丁二烯的方法
（专利号：ZL 201510680106.5） 简介：本发明公开了一种用Bi/Mo/Co/La/Fe五组分复合氧化物催化剂移动床合成1,3‑丁二烯的方法，属于化学化工技术领域。本发明将制备好的五组分复合氧化物催化剂置于移动床反应器中，并将混合气导入反应器中，保持一定空速和催化剂床层温度进行反应，得到1,3‑丁二烯产物，反应催化剂逐渐移动至再生反应器，并向移动床反应器中补充新鲜催化剂。本发明采用Bi、Mo、Co、La、Fe和去离子水按照一定摩尔比配置，碱液调节pH值，经浓缩、过滤、干燥、焙烧、冷却后，再通过研磨、筛分得到Bi/Mo/Co/La/Fe。与传统的工艺不同的是：根据本发明，调节催化剂中金属Co、La、Fe的含量就可以制得用于1,3‑丁二烯制备工艺的高活性、高选择性五组分复合氧化物催化剂。
安徽工业大学
2021-04-11
用Bi/Mo/Co/Ce/Fe五组分复合氧化物催化剂移动床合成1,3-丁二烯的方法
（专利号：ZL 201510685135.0） 简介：本发明公开了一种用Bi/Mo/Co/Ce/Fe五组分复合氧化物催化剂移动床合成1,3‑丁二烯的方法，属于化学化工技术领域。本发明将制备好的五组分复合氧化物催化剂置于移动床反应器中，并将混合气导入反应器中，保持一定空速和催化剂床层温度进行反应，得到1,3‑丁二烯产物，反应催化剂逐渐移动至再生反应器，并向移动床反应器中补充新鲜催化剂。本发明采用Bi、Mo、Co、Ce、Fe和去离子水按照一定摩尔比配置，碱液调节pH值，经浓缩、过滤、干燥、焙烧、冷却后，再通过研磨、筛分得到Bi/Mo/Co/Ce/Fe。与传统的工艺不同的是：根据本发明，调节催化剂中金属Co、Ce、Fe的含量就可以制得用于1,3‑丁二烯制备工艺的高活性、高选择性五组分复合氧化物催化剂。
安徽工业大学
2021-04-11
一种薄膜型LED器件及其制造方法
本发明公开一种薄膜型LED器件及其制造方法，本发明器件包括：薄片型线路基板，免金线倒装结构LED芯 片以及一层透光保护膜。本器件LED芯片为倒装结构，芯片电极通过共晶焊接方式固定于薄片型基板，实现免金线键合的电气互联，一层透光保护膜覆盖于芯片和 基板表面。本发明公开的LED器件电极位于器件底部，易于实现表面贴装技术。本发明公开器件厚度在0.25-0.6mm之间，具有厚度薄，体积小，发光角 度大，光效高，可靠性高，制造工艺简单，生产效率高，成本低等诸多优点，适合大功率及普通功率LED封装，可广泛应用于照明、显示等领域。截至目前，已累计创造产值超过33.66亿元，新增利润2.60亿元。2017年，以本专利技术为核心的科技成果“半导体发光器件跨尺度光功能结构设计与制造关键技术”获得广东省人民政府颁发的广东省科技进步一等奖，并且本专利获得中国专利优秀奖。
华南理工大学
2021-04-10
磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件
已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关，在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成
中国科学院大学
2021-01-12
薄膜电致电光器件的大平面制备方法
薄膜电致发光器件作为显示器件主要用于工业现场仪表显示、车站、机场、银行、证券交易市场、街头广告信息显示，作为大平面高清晰显示可用于各种会场、广场高清晰电视彩像显示，及可检索军用地图、笔记本电脑及宾馆等山水、立体彩色装饰。其特点为全固体化、亮度高、寿命长、可大平面化和可装饰表面。响应速度快，使用温度范围宽。由于制备方法简单较之国内外同类产品成本低，可批量工业
西安交通大学
2021-01-12
大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学
2021-04-14
光纤栅阵列传感器件及检测技术
本项目的创新点主要是采用环形镜解调和GSM数字移动网传输信号的技术。具有响应速度快、调谐范围宽、可实时检测、使用寿命长、抗电磁干扰能力强等优点，有重要实用意义。 光纤光栅传感器阵列的每一个光栅反射率大于90%，线宽小于0.4nm，各光栅中心波长间隔大于1nm。 研制出宽带光源等实验装置，宽带光源输出功率大于1mw，带宽30nm；已成功应用于光纤光栅传感器阵列检测实验。 研制出宽带光源、高双折射光纤环镜滤波边缘滤波解调系统的实验样机。 研制出快
南开大学
2021-04-14
具有超低EMI特性的D类音频功放
D类音频放大器独特的开关特性会产生高的di/dt和dv/dt信号且具有较宽的干扰带宽，这些电压和电流脉冲会分别在物理和寄生的电路元件中引入大的交流电流，产生传导和辐射噪声。针对上述EMI问题，该项成果提出利用线性反馈移位寄存器的伪随机调制技术来最大幅度地降低EMI，同时针对扩频电路可能恶化音频性能的危险，对关键子电路和采用多重滤波器的系统环路进行了优化设计。相比传统的PCB板级优化技术，从发生源出发的电路设计方法对减小电磁干扰、节约板级空间更具有实用价值。 低EMI的全集成D类音频功放主要指标为： ？ 电源电压3.6V、负载8Ω，输出功率400mW时的效率：90％(typ) ？ 电源电压3.6V、负载8Ω、输出功率100mW时的效率：82％(typ) ？ 电源电压5V、负载8Ω、输出功率1W时的效率：91％(typ) ？ 电源电压3.6V时的静态电流：1.5mA(typ) ？ 电源电压范围：2.4V ~5.5V ？ PSRR，f＝217KHz：82dB
电子科技大学
2021-04-10
具有超低EMI特性的D类音频功放
该项成果提出利用线性反馈移位寄存器的伪随机调制技术来最大幅度地降低EMI，同时针对扩频电路可能恶化音频性能的危险，对关键子电路和采用多重滤波器的系统环路进行了优化设计。
电子科技大学
2021-04-10