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关于发布新疆维吾尔自治区2022年度“揭榜挂帅”科技项目榜单的通知
为深入贯彻落实习近平总书记关于“揭榜挂帅”的重要指示，按照自治区党委《关于制定国民经济和社会发展第十四个五年规划和二0三五年远景目标的建议》中关于探索实施“揭榜挂帅”的要求，自治区党委组织部和自治区科技厅聚焦自治区“八大产业集群”等重大战略部署，面向社会征集了2022年度“揭榜挂帅”科技项目需求，择优形成2022年度“揭榜挂帅”科技项目榜单。
新疆维吾尔自治区科技厅
2023-01-30
关于征集2023年自治区重点研发和成果转化计划（科技合作）项目的通知
为贯彻落实习近平总书记对内蒙古的重要讲话重要指示批示精神，聚焦“五大任务”，深入实施“科技兴蒙”行动，落实《京蒙协作“科技创新倍增计划”实施方案》，深化国际国内科技合作，按照优势互补、互利共赢的原则，根据《内蒙古自治区“十四五”科技创新规划》和《内蒙古自治区科技计划项目管理办法》（内科发〔2022〕4号），现开展2023年度科技合作项目征集工作，具体事宜如下。
内蒙古自治区科学技术厅战略规划处
2023-07-04
关于组织开展山东省技术转移先进县（市、区）绩效评价工作的通知
评价坚持“科学、规范、公平、公正”原则，根据各县（市、区）技术转移体系建设情况，科学制定评价指标，以实际数据为主要评价依据，定性定量评价相结合，进行全面、客观的综合评价。
山东省科学技术厅
2022-04-12
利用人工智能实现全期别鼻咽癌精准放射治疗靶区自动勾画
探究了AI自动勾画的临床应用价值，即AI能够为临床医生提供多大的帮助。在8位医生完成人工勾画两个月后，由他们对AI自动勾画的结果进行修改（AI自动勾画+医生修改，即AI辅助勾画）。结果显示，AI辅助勾画提高了5位医生的勾画准确性（平均由74%提高至79%），减少了55%的勾画者间差异。 本研究是AI在全期别鼻咽癌放射治疗靶区勾画方面的首个研究，样本量大、技术合理、测试全面，是AI在肿瘤学领域应用的一项重要进展。研究结果显示AI辅助勾画提高了鼻咽肿瘤勾画的准确性，能够让经验较少的医生达到近似专家水平的勾画，将会对肿瘤控制和患者生存产生积极影响，同时极大地提高了医生勾画的效率，为实现精准而又高效的鼻咽癌放射治疗靶区勾画提供了解决方案。
中山大学
2021-04-13
一种基于缺陷区预判和水平集的 TFT-LCD Mura 缺陷检测方法
本发明公开了一种基于缺陷区域预判和水平集的 TFT-LCD-Mura 缺陷检测方法。该方法提出了一种缺陷区域预判法先找到缺陷区域， 然后将缺陷区域的像素剔除，用余下的像素拟合得到背景图像;用原 图像减去背景图像来消除背景不均匀性对缺陷分割的影响，求差后得 到残差图像，然后用一种基于阈值的水平集方法对残差图像进行分割 来检测得到缺陷。该方法可以获得精度较高的背景图像，对于光照影 响有较好的鲁棒性，能够获得准确的分割结果以及较低的误检率。
华中科技大学
2021-04-14
一种可见光目标轮廓模型指导的飞机感兴趣区测谱方法
本发明公开了一种可见光目标轮廓模型指导的飞机感兴趣区测谱方法，包括：(1)建立典型飞机目标轮廓姿态数据库；(2)对实测飞机目标可见光图像进行测谱，包括：(2.1)获取飞机目标的可见光图像；(2.2)获得目标轮廓特征；(2.3)用目标轮廓匹配步骤(1)中建立的轮廓姿态数据库，得到飞机的对应姿态，以及在此种姿态下的部件对应几何关系；(2.4)根据轮廓与各个部件之间的相互关系，寻找目标各部件测谱的中心位置坐标；(2.5)把
华中科技大学
2021-04-14
推介案例 | 哈尔滨工程大学-大疆创新智能机器人实践创新基地
为落实教育部推进产教融合、校企合作相关工作部署，促进高校教学改革，推动产教融合型企业建设，中国高等教育学会于2020年8月启动了2020年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例推选工作，经资格审核、通讯推选、路演答辩、走访考察以及网上公示等环节，共有103项案例认定为2020年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例，近期，“中国高等教育博览会”微信号将陆续推出“双百计划”典型案例推介专栏，欢迎关注。
哈尔滨工程大学
2021-09-26
寒武纪大爆发时期动物门类多样性及其演化关系研究
以埃迪卡拉纪晚期至寒武纪早期的生物群和地层为研究对象，开展动物门类多样性及其演化关系研究。揭示海洋生态系统内动物门类多样性在空间上的变化和时间上的演化过程。同时，发现更多门类的最早化石记录，提高三大亚界内部门类之间谱系演化关系的解析度。
西北大学
2021-02-01
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
一种适应急水流条件大叶藻种子增殖装置及方法
本发明公开了一种适应急水流条件大叶藻种子增殖装置及方法，该装置包括装置主体(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述装置主体(1)为一根直径15cm硬质pvc管，长度30cm，管上端3cm处设置隔板(3)，将管分为地上部分(2)和地下部分(4)。本发明具有种子萌发率高、成本低廉、操作简单的特点，适合推广应用。
青岛农业大学
2021-04-11