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一种组合式非接触空间坐标测量装置
本发明公开了一种组合式非接触空间坐标测量装置，包括全站 仪（1）、激光电子标靶（2）、激光位移传感器（3）、辐条槽激光电子标靶固定板（4）、辐条槽激光位移传感器固定板（5）和计算机（18）， 其中，辐条槽激光电子标靶固定板（4）和辐条槽激光位移传感器固定 板（5）联接构成分档式角度调整装置。本发明可以灵活调整激光电子 标靶和激光位移传感器的方位，增强了测量系统的柔性，可以扩大其 测量范围至全空间角度。
华中科技大学
2021-04-14
一种磁浮平面电机动子初始相位定位方法
本发明公开了一种磁浮平面电机位置初始定位方法，该方法包 括以下步骤：在磁浮平面电机动子不同位置放置 4 个霍尔传感器，通 过测量电机静止时各个传感器所在位置的磁通密度，选取磁通密度最 低的 3 个测量值作为观测值，结合磁钢阵列上磁通密度分布模型，通 过特定的数学模型来计算磁浮平面电机几何中心所处的磁场相位，实 现平面电机动子几何中心初始磁场相位定位及旋转角度定位。该方法 通过增加冗余传感器及对传感器合理排布避免传感器在磁场峰值进行 数据采集，提升了定位精度。
华中科技大学
2021-04-14
一种铁磁性细长构件的退磁方法及装置
本发明公开了一种铁磁性细长构件的退磁方法及装置，该方法 利用永久磁铁在构件拟退磁区域沿构件往复运动，每次往复运动时均 反转布置永久磁铁磁极方向，且增大永久磁铁距离构件表面的提离； 重复往复移动永久磁铁直至其距构件提离足够大，以使得构件中的剩 磁衰减为零，从而完成构件的退磁。该退磁装置包括磁铁组件、运动 组件和提离组件，磁铁组件用于产生退磁用磁场，运动组件用于实现 磁铁组件的往复运动，提离组件用于调节磁铁组件相对于细长构件的 提离。本发明无需复杂的进给装置，操作方便，结构简单，退磁效果好，可用于钢棒、
华中科技大学
2021-04-14
一种热压头及由其组成的热压装置
一种热压头及由其组成的热压装置，属于热压头及热压装置，解决现有热压头压力调整繁琐、现有热压装置各热压头压力不够均衡的问题。本发明的热压头，加热组件和安装组件之间具有活塞缸，加热组件通过活塞缸相对于安装组件往复运动。所述热压头构成的热压装置，包括机架、第一压板、第二压板、第一往复机构以及热压头，各热压头的活塞缸并联接入压力控制系统，压力控制系统控制活塞缸的活塞两端压力差。本发明通过调节活塞缸内工作流体压力控制热压头的输出压力，压力调节过程便于控制；通过压力控制系统对热压装置的热压头进行多路控制，可以统
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2021-04-14
一种部件轴向对心检测装置的成像系统
一种部件轴向对心检测装置的成像系统，属于机器视觉成像系统，解决现有成像系统结构复杂、操作繁琐、精度不佳、影响对心操作问题。本发明中，支撑臂位于底座上并能够相对于底座上下调节，旋合连接的电子摄像机和光学镜头固定于支撑臂一端，固定于支座的平面镜和光源，连接于支撑臂另一端；光学镜头、平面镜和光源几何中心处于同一平面，平面镜与电子摄像机的成像平面呈 45°角；光源出射光线与电子摄像机的成像平面平行。本发明操作简单、无需过多调节、变换，可同时呈现物体两垂直方向的图像，不影响对心物体的空间结构及其操作过程，提高
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2021-04-14
一种硅通孔互连结构的制备方法
本发明公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，步骤为①将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；②减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔；③在硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料(如聚对二甲苯)；④刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；⑤在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；⑥在导电层上再沉积一层图案化介电质层；⑦移除基板，在导电层上形成焊料微凸点。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；降低了寄生电容，提升了互连电性
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2021-04-14
一种六自由度水下机器人
本发明公开了一种六自由度水下机器人，包括壳体，壳体上设 置有主姿态调整推进组、主动力推进组和辅助姿态调整组，三者均包 括姿态调整装置，所述姿态调整装置包括导流罩、电机座、电机和螺 旋桨；主姿态调整推进组的三个导流罩呈等腰三角形布置且三者的中 心线均平行于 Z 轴，并且其中的两个导流罩的中心线所形成的平面平 行于 Y 轴，而另一个导流罩到这两个导流罩的距离相等；主动力推进 组的两个导流罩的中心线均平行于 X 轴，且这两个导流罩的中心线所 形成的平面平行于 Y 轴；辅助姿态调整组的导流罩的中心线平行于
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2021-04-14
一种短波长光辅助硅片直接键合方法
本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为 100～400nm，短波长光照射光强为 5～30mW/cm<sup>2</sup>，活化时间为 0.5～30分钟；④预键合；⑤退火。经过短波长光辅助活化处理后的键合硅片对结合紧密，无需外压力作用就能实现硅硅直接键合。本发明所需设备简单，键合速度快，键合周期短，键合面积大，键合温度低，且在键合强度及键合可靠性上具有
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2021-04-14
一种三维微型模具的制造方法
本发明提供了一种三维微型模具的制造方法，在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形，将质量百分比 98％的H2SO4 与质量百分比 30％的 H2O2 按照体积比 2～4∶1 混合，采用此混合溶液对各硅片进行清洗，然后活化，再将活化后的硅片干燥，按层次迅速对准贴合，最后进行退火处理得到三维微型模具型腔。本发明能够制造出微米尺度的三维微型模具，具有精度高，成本低，柔性大的优点，适用于微齿轮轴、微阶梯轴、高深宽比三维微型结构等微机电系统(MEMS)器件模具的加工制造。
华中科技大学
2021-04-14
一种阻尼器综合性能测试装置
本发明提供了一种阻尼器综合性能测试装置，平台上设有两条导轨，两导轨的上方各有一导向柱，两导向柱的一端通过前、后支座，另一端通过能在导轨上滑动的移动横梁固定于导轨上；前，后支座间设有伺服液压缸，其活塞杆穿过前支座连接左法兰；移动横梁面向左法兰的一侧设有右法兰；另有两推拉液压缸的前端连接移动衡梁，后端连接前支座；伺服液压缸上装有集成阀块，集成阀块上装有与伺服液压缸连通的大和小流量伺服阀，两流量伺服阀的进出口均装有插装式截止阀。本发明通过在插装阀间进行切换实现对阻尼器的动态和静态性能的测量，前后支座、移动
华中科技大学
2021-04-14