一种短波长光辅助硅片直接键合方法

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本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为 100～400nm，短波长光照射光强为 5～30mW/cm²，活化时间为 0.5～30分钟；④预键合；⑤退火。经过短波长光辅助活化处理后的键合硅片对结合紧密，无需外压力作用就能实现硅硅直接键合。本发明所需设备简单，键合速度快，键合周期短，键合面积大，键合温度低，且在键合强度及键合可靠性上具有

未应用