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复杂零件全流程加工精度/效率/能耗预测技术与智能工艺优化决策系统
本项目突破了机理模型与工况数据混合驱动的航空/航天复杂薄壁曲面零件全流程加工精度/效率/能耗预测技术,提出了零件全流程加工智能工艺优化决策方法,开发了具有完全自主知识产权的智能加工产线工艺全流程智能决策和优化软件系统。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 本项目突破了机理模型与工况数据混合驱动的航空/航天复杂薄壁曲面零件全流程加工精度/效率/能耗预测技术,提出了零件全流程加工智能工艺优化决策方法,开发了具有完全自主知识产权的智能加工产线工艺全流程智能决策和优化软件系统。 1、提出机理模型和工况数据混合驱动的航空/航天复杂薄壁零件全流程加工精度/效率/能耗高效高精预测算法,突破全流程加工工艺智能优化与决策技术。 2、开发具有自主知识产权的智能加工产线工艺全流程智能决策和优化软件系统,实现能耗监测/DFM/CAM/CAPP等工艺设计软件核心算法完全自主可控。
华中科技大学 2022-07-27
广西壮族自治区人民政府关于印发《广西科学技术奖励办法》的通知
为了奖励在本自治区科学技术进步活动中作出突出贡献的个人、组织,充分调动科学技术工作者的积极性和创造性,加快建设高水平创新型广西,根据《国家科学技术奖励条例》和《广西壮族自治区科技创新条例》等规定,结合本自治区实际,制定本办法。
广西壮族自治区人民政府 2025-02-24
[5月23日·长春]第五届智慧校园新技术创新学术论坛启动报名
为深入贯彻习近平总书记关于教育的重要论述和全国教育大会精神,贯彻落实《教育强国建设规划纲要(2024—2035年)》和三年行动计划,研讨高等教育强国建设新路径新范式,宣传高等教育强国研究成果,聚焦高等教育领域借助人工智能实现数字化转型议题,展示 AI 技术在高校校园场景应用中的创新性实践,中国高等教育培训中心决定举办“第五届智慧校园新技术创新学术论坛”。
中国高等教育学会 2025-04-30
一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器
本发明公开了一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器,包括四分之一模基片集成波导弧形腔,四分之一模基片集成波导弧形腔通过基片集成波导圆形腔沿任意两条相互垂直的磁壁分割得到,四分之一模基片集成波导弧形腔包括介质基片,介质基片的上表面设有上金属层,介质基片的下表面设有下金属层,介质基片中沿四分之一模基片集成波导弧形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔。本发明相对于传统的基片集成波导圆形腔有效实现了小型化。并且,相对于传统的多层结构,本发明结构简单,加工方便。此外,相对于传统的微带结构,本发明的滤波器品质因数高,损耗小。
东南大学 2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:650~750MPa; 2.延伸率>8%; 3.导电率:45~60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:450~600MPa; 2.延伸率>7%; 3.导电率:60~80%IACS。
上海理工大学 2021-04-11
天津大学研发一步式制备集成型一体化储能电极新方法
天津大学“英才计划”特聘研究员吉科猛团队联合湖南大学谭勇文教授团队利用钴磷合金研发出仅用一步即可制成电池电极的电化学腐蚀制备技术。
天津大学 2022-12-07
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化,乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成,其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路,是芯片的散热通道,又是连结电路板的桥梁,因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度,高集成化方向发展,芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料,利用铜合金优良的传热性能,加入少量强化元素,通过固溶强化和弥散强化提高其强度,同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学 2021-04-13
一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法
本发明涉及压力传感器技术领域,特指一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法,包括玻璃衬底,玻璃衬底上设有浅槽一与浅槽二,浅槽一与浅槽二通过细槽连通,浅槽二中心位置设有浅槽通孔,浅槽通孔从浅槽二底面延至玻璃衬底底面,浅槽一上设有可测量低压差的电容C1,浅槽二上设有可测量高压差的电容C2,可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜,可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板,浅槽通孔通过细槽与可测量低压差的电容C1对应设置,浅槽通孔通过浅槽二与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明通过可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了压力在低压段与高压段的高精度测量。
东南大学 2021-04-11
关于国家重点研发计划“乡村产业共性关键技术研发与集成应用”重点专项2023年度指南通过首轮评审项目填报正式申报书(含预算申报书)的通知
根据国家重点研发计划重点专项管理工作的总体部署,中国农村技术开发中心已完成“乡村产业共性关键技术研发与集成应用”重点专项2023年度常规项目首轮评审,并通过国家科技管理信息系统进行了评审结果反馈,依规确认了进入正式申报环节的项目清单,请收到农村中心关于正式申报邮件通知的项目及时按要求填报项目正式申报书(含预算申报书)。
科学技术部 2023-08-03
制动系统MVB通信网络系统
   对于MVB设备测试的内容及方法在国外已经取得了一定的成果,但测试工具、方法垄断,仅用在少数相关企业的产品。国内在此方面的研究还在起步阶段,目前还没有成熟的测试工具与方法。因此,基于此种情况参考IEC61375相关标准,设计测试方案进行测试。应用范围:     城市轨道交通领域的制动设备网卡的测试。
北京交通大学 2021-04-13
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