提出了一种量子点-有机叠层发光二极管（LED）的新结构，实现了单颗LED发射红、绿、蓝、白及任意色彩的功能，有望取代传统红、绿、蓝LED，提高显示屏的分辨率及开口率。 量

本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型

本实用新型公开了一种集成式交流发光二极管光引擎和基板，该光引擎包括基板、在所述基板上焊接设置的单相全波桥式整流电路、分段线性恒流驱动电路和多个交流发光二极管，所述基板由印刷电路层、导热绝缘层和散热体组成，所述散热体具有散热结构，所述导热绝缘层为石墨烯-环氧树脂复合材料层。本实用新型由散热体代替了原先的散热器、导热硅脂和导热基板，简化了LED灯具构造，石墨烯－环氧树脂复合材料的导热效率大幅提高，使得光引擎的可靠性、散热效果、寿命均大幅提高，本实用新型对光引擎的生产流程进行整合、简化，缩短了灯具生产的时

制备了不同发光波长的半导体量子点材料，设计，优化和制造了应用于航天电子信息显示领域的基于薄膜量子点器件结构的夜视兼容性LED；同时也设计，优化和制造应用于航天电子信息显示领域的基于集成量子点荧光粉-氮化镓单晶蓝光LED器件结构的夜视兼容性LED。通过控制器件的光谱输出，成功地制备出适用于飞机驾驶舱的半导体器件，该器件可直接用于飞机驾驶舱，无需再使用滤光片，并完成了对其性能的评估。同时基于半导体量子点材料制备出了用于NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列。完成对NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列的初步光电测量。此外，分析影响LED发光功率及效率的因素，优化设计的器件结构，探索提高特殊用途效率的方法。优化器件的工艺制作流程，提高器件参数的一致性、均一性。

本实用新型公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管，该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、银量子点层、石墨烯层，在氮化镓层上还设有侧面电极，在石墨烯层上设有正面电极，所述的氮化镓层厚度为2～10μm；本实用新型的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光，同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能，正反偏压下均可发光且波段多样，亮度高，制备工艺简单，成本低。

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳

本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、ｎ型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、ｐ型氮化物层、ｐ型氮化物欧姆接触层，所述ｎ型氮化物层上设置的ｎ型电极和所述ｐ型氮化物层上设置的ｐ型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的ｐ型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合

实验原理   金属中存在大量的自由电子，但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量，这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作，很多电子器件都与电子发射有关，因此研究这种材料的物理性质，对提高材料的性能是十分重要的。另外本实验还可以利用磁控法测量电子荷质比，研究真空中电子能量遵从费米-狄拉克分布。   仪器概述 本实验装置的核心部件是一只理想（真空）二极管和套在理想二极管外的通电螺线管线圈。本实验通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管阴极材料，阳极做成与阴极共轴的圆柱，把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验，综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法、补偿测量法和磁控法等基本方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此，这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座：理想真空二极管插在独立的管座之上，并且配有透明的亚克力保护罩，既可以直观的观察真空二极管的工作状态，还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图，可以使得学生更好的理解整个实验原理。   精确的阳极电流测量模块：阳极电流测量模块采用微安级电流放大器，采用四位半数显表，测量范围可达0.1uA~20mA，可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块：阳极电压输出采用线性电源，输出幅度达到0~160.0V，可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口：每个实验电源都配置模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验一：金属电子逸出功的测定 表1：在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值，作　lgIa～√Ua 图，得到不同温度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同温度T时所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根据表2作 lg( I / T2) ～1/T 图，求直线斜率 m 直线斜率：m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函数）eφ = 4.53 eV 与逸出功（功函数）公认值　eφ=4.54eV　相比的相对误差：Er = 0.33%   实验二：电子在径向电场和轴向磁场中的运动（磁控法测量电子荷质比）   实验三：费米-狄拉克分布的研究     实验四：理想真空二极管的伏安特性   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二极管盒   BEM-5716    螺线管线圈   BC-105236    连接导线，2mm护套香蕉插头，红   BC-105238   【2】 连接导线，2mm护套香蕉插头，黑   BC-105239   【2】 连接导线，4mm香蕉插头，红   BC-105084    连接导线，4mm香蕉插头，黑   BC-105083    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 红   BC-105074    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 黑   BC-105073    电源线   BC-105075    用户手册   CD-M-BEX-8510B  

利用有机发光二极管(OLEDs)中激发态的指纹式磁效应曲线作为一种灵敏高效的探测工具，物理科学与技术学院熊祖洪课题组在有机半导体明星材料¾红荧烯（Rubrene）中发现了一个有利于增强器件发光效率的激子演化通道，即激子的高能态反向系间窜越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）过程，并通过调控器件载流子浓度、工作温度、客体掺杂浓度以及控制器件结构对该HL-RISC通道的产生条件、正常与反常的物理行为表现以及如何实现高效率发光和低效率滚降等方面进行了详细探究。 OLEDs在平板显示和固态照明领域具有广阔的应用前景，尽管基于有机发光的手机显示屏和电视已开始市场化，但进一步提升其发光效率和延长其使用寿命仍然是该领域的两大研究方向。因理论上能够实现100%的内量子效率，具有常规RISC (T1®S­1)通道的热活化延迟荧光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有机材料和具有HL-RISC (T2®S­1)过程的有机半导体是目前OLEDs领域的热点研究体系，这是由于无论是RISC还是HL-RISC都可以将占激子总数3/4的不发光三重态T激子转变成发光的单重态S激子，从而实现发光效率的成倍增强。显然，研究这些激子及其前驱体(precursor, 如极化子对(polaron-pair))和TADF材料以及激基复合物材料中电荷转移态(charge-transfer states)激子的形成机制及其演化规律对进一步认识OLEDs的器件物理和设计制造高效率OLEDs具有重要的科学意义和应用价值。近年来，熊祖洪课题组一直致力于采用有机半导体光电子器件中多种微观过程具有的指纹式磁效应(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲线，系统深入地研究了多种有机光电子体系的器件物理并取得了一系列研究成果。

近日，刘志伟在Light: Science & Applications杂志上发表了题为“Lanthanide complexes with d-f transition: new emitters for single-emitting-layer white organic light-emitting diodes”的论文，该工作合成了具有d-f跃迁发光性质的天蓝光发射的铈(III)配合物Ce-TBO2Et和橙红光发射的铕(II)配合物Eu(Tp2Et)2，利用两种发光材料构建的SEL-WOLEDs发光效率高且发光颜色稳定。研究表明，主体材料不参与传能过程且低能量的橙红光材料的质量掺杂浓度可高达5wt%，体现了d-f跃迁稀土发光配合物应用于SEL-WOLEDs时可简化传能过程和器件制备工艺的优势。