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利用单一YAG: Ce3+荧光粉和紫外LED芯片匹配获得白光的制备
成果简介： 最近以来，LED照明以其节能环保等优点，获得了大规模的应用。 传统的黄色荧光粉YAG：Ce3+在蓝光LED芯片激发下发出黄色的光，通过蓝光和黄光复合产生白光，但这种粉体不能应用于高能量的紫外LED芯片产生白光，因为YAG：Ce3+的光谱中缺乏蓝光波段。本项目通过特有的表面包覆和处理技术，使得YAG：Ce3+的外观和普通YAG：Ce3+没有区别，但在紫外光365nm激发下，不仅呈现出黄光发射，而且具有蓝光发射，通过调控膜层的组成和厚度，匹配与紫外LED芯片时，器件发射出CIE坐标（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉发出蓝光和黄光两种波段，进而复合产生白光，工艺简单，技术领先。
电子科技大学
2017-10-23
一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置
本发明公开一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置，所述方法为：产生飞秒激光光束,将激光光束聚焦于工作气体处，在真空环境下所述激光光束与所述工作气体相互作用产生高次谐波；调整所述激光光束的入射能量或所述工作气体的气压，以改变高次谐波的相位匹配条件，使得高次谐波频率发生红移或蓝移，从而实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。本发明还提供了实现上述方法的装置。实施本发明可实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。
华中科技大学
2021-04-14
物理所实现空气耦合的MHz频段高灵敏度超声波探测
高灵敏度、小型化的超声探测器在诸多方面发挥着重要应用，例如医学诊断、光声成像、无损检测等。目前，商用的超声波探测器主要采用压电换能器，但为了实现较高的灵敏度，往往需要较大的尺寸，其传感器的典型尺寸一般为毫米到厘米。
物理研究所
2022-10-26
基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器和制备方法
本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中
华中科技大学
2021-04-14
基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器和制备方法
本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中
华中科技大学
2021-04-14
一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关
本实用新型涉及电子通信技术，具体涉及一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关，包括发射 端、接收端、天线端和电源；包括与所述电源连接的驱动电路、低通滤波器以及拓扑结构；所述驱动电 路利用二极管 PIN 为核心器件，采用 MOS 管驱动二极管 PIN；所述低通滤波器采用二阶 LC 低通滤波 器；所述拓扑结构是在发射端至天线端与天线端至接收端采用串并拓扑结构形成单刀双掷开关。该收发 开关满足单根天线实现收发切换的要求，插入损耗小且隔离度较高，结
武汉大学
2021-04-14
一种光纤 EFPI 次声波传感器及次声信号探测系统
本发明公开了一种光纤 EFPI 次声波传感器及次声信号探测系 统。本发明与同类型的其他声学探测方法相比，在换能器中采用聚合 物薄膜，并对聚合物薄膜的厚度和直径进行了优化设计，使得传感器 能探测 1～20Hz 的次声波，且灵敏度高达 121mV/Pa。在换能器的聚合 物薄膜内侧中心粘贴铝质薄膜，并对铝质薄膜的厚度和直径进行了优 化设计，不仅大幅提高了换能器的光学反射率，而且使聚合物薄膜的 中心振动保持平稳。本发明与传统
华中科技大学
2021-04-14
《江苏省科学技术奖励办法》发布
为了奖励在本省科学技术进步活动中做出突出贡献的个人和组织，调动科学技术工作者的积极性和创造性，打造具有全球影响力的产业科技创新中心，建设高水平科技强省，服务国家高水平科技自立自强，根据《中华人民共和国科学技术进步法》《国家科学技术奖励条例》《江苏省科学技术进步条例》等法律、法规，结合本省实际，制定本办法。
江苏省科技厅
2024-12-20
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11