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一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置
本发明公开一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置,所述方法为:产生飞秒激光光束,将激光光束聚焦于工作气体处,在真空环境下所述激光光束与所述工作气体相互作用产生高次谐波;调整所述激光光束的入射能量或所述工作气体的气压,以改变高次谐波的相位匹配条件,使得高次谐波频率发生红移或蓝移,从而实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。本发明还提供了实现上述方法的装置。实施本发明可实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于 USB 供电的带 LED 灯的风扇装置
本实用新型提供一种基于 USB 供电的带 LED 灯的风扇装置,包括 USB 供电接口、LED 灯、风扇、 两个隔离二极管 LED1、LED2 和选择开关,USB 端经选择开关后同时与 LED 灯以及风扇连接构成回路, 所述选择开关具有第一位置、第二位置、第三位置、第四位置,所述
武汉大学 2021-04-14
一种用于汽车前照灯的 LED 模块封装方法
本发明公开了一种用于汽车前照灯的 LED 模块封装方法,包括:(a)将中层基板设置有多个芯片焊盘的区域对准于上层基板的通槽结构,由此执行中层和上层基板的贴合;(b)在芯片焊盘上滴涂焊料,并利用焊料的液体表面张力使得芯片与芯片焊盘自动执行对准调整;(c)执行下层基板和中层基板之间的焊接,并完成各个 LED 芯片的电路连接;(d)将陶瓷粉末和硅胶的混合物填充在各个芯片彼此间隔的侧面区域,然后执行加热固化;(e)向上层基板
华中科技大学 2021-04-14
教育照明灯教室照明护眼灯全护眼校园照明
格栅类主推款-格栅防眩 高显指 背亮补光 恒定照度 专业护眼 权威认证 无蓝光频闪危害 项目 星奥全护眼LED教室灯 国家标准GB7793-2010 功率36w 参数 中小学学校教室采光和照明卫生标准 教室照度(E) 417LX 优于国标 ≥300LX 教室照度均匀度(Uo) 0.8 专业照明设计 ≥0.7 黑白照度(E) 639.3LX 优于国标 ≥500LX 黑板照度均匀度(Uo) 0.81 专业照明设计 ≥0.8 眩光(UGR) 15.9 无眩光危害 <19 光频闪(波动深度) ≤3.2% 无光频闪危害 —— 显色指数 ≥90 色彩还原能力强 ≥80 色温(Tc) 4500K/5500k(可定制) 光线柔和 3300K-5500K 使用寿命 质保三年 寿命长 —— 总功率(P) 450W 消耗功率低 —— 年耗电量(Q) 720度 耗电量低 ——
长沙星奥照明有限公司 2021-08-23
全护眼校园照明LED教室护眼灯教育照明灯
                                                                               微晶类主推款-微晶防眩 直下式发光设计 项目 星奥全护眼LED教室灯 国家标准GB7793-2010 功率36w 参数 中小学学校教室采光和照明卫生标准 教室照度(E) 417LX 优于国标 ≥300LX 教室照度均匀度(Uo) 0.8 专业照明设计 ≥0.7 黑白照度(E) 639.3LX 优于国标 ≥500LX 黑板照度均匀度(Uo) 0.81 专业照明设计 ≥0.8 眩光(UGR) 15.9 无眩光危害 <19 光频闪(波动深度) ≤3.2% 无光频闪危害 —— 显色指数 ≥90 色彩还原能力强 ≥80 色温(Tc) 4500K/5500k(可定制) 光线柔和 3300K-5500K 使用寿命 质保三年 寿命长 —— 总功率(P) 450W 消耗功率低 —— 年耗电量(Q) 720度 耗电量低 ——
长沙星奥照明有限公司 2021-08-23
乾立学生宿舍专用护眼灯-全护眼教育照明
深圳鹏翔智明光电科技有限公司 2021-08-23
乾立微晶款护眼教室灯-全护眼教育照明产品
深圳鹏翔智明光电科技有限公司 2021-08-23
伟伦肠镜检查灯灯泡07800-U 6V
产品详细介绍伟伦肠镜检查灯灯泡07800-U 6V6V,0.71A3050K色温75小时额定寿命替代品每个单独吸塑包装,一卡6粒
东莞市毅迈光源照明有限公司 2021-08-23
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层,其中z>y>x,p型AlGaN层和透明导电层,在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学 2021-04-14
可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长n?ZnO纳米线;采用磁控溅射法在p?GaN上溅射一层AlN薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n?ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极;将AlN薄膜/p?GaN紧扣在n?ZnO纳米棒阵列上面形成异质结,构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列,提高ZnO结晶度,提高电学性能,有效消除晶体质量差的问题;引入AlN隔离层,有效较少了结区的剩余电子,增加ZnO区载流子复合效率,实现纯ZnO紫外发光;n?ZnO纳米棒阵列/AlN/p?GaN异质结发光二极管,发光位置在385nm左右,半峰宽为14.5nm。
东南大学 2021-04-11
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