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微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球技术
已有样品/n该项目所开发的仪器设备可以实现对FNRBCs 准确、高效、快速、低廉的分离与富集，并进行基因组层面的全面分析，为无创性产前诊断技术的发展及相关科学研究的深入提供有力的推动和支撑平台。项目团队在该研究领域进行了长期的研究工作，积累了大量经验，并取得了一定成绩。该成果，方法独特，效果明显并成功用于三体综合症检测。
武汉大学
2021-01-12
超高频RFID标签芯片
射频识别（Radio Frequency Identification-RFID）技术被公认是21世纪最有发展前途的信息技术之一，已广泛应用于生产、零售、物流、交通、医疗、消费、旅游、国防等各个领域。超高频（UHF）RFID技术凭借其无源远距离多标签快速识别的优势，能广泛应用于智能物流、智能交通、 物品质量追溯、公共安全管理、智慧城市等物联网系统，显著提高各行各业的管理效率，降低成本，具有最为广阔的市场规模和发展潜力，已成为RFID及物联网产业下一个爆发式增长点。 本团队在2008年度广东省重大科技专项的支持下，研究突破了低功耗低压射频/模拟/数字电路及SOC架构、高效率整流电路、多标签防碰撞、高稳定时钟电路等共性关键技术，掌握了基于CMOS工艺的高识别灵敏度的超高频RFID标签芯片设计、测试与验证、质量可靠性保障等核心技术，已获得授权发明专利7项、公开的发明专利申请8项，发表论文30多篇。自主设计开发出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的四款超高频RFID标签芯片，通过了赛宝实验室（工信部五所）的测试认证，超高频RFID标签芯片测试性能达到Impinj等国际主流公司同期同类产品技术指标。在此基础上，自主设计开发出具有温度感知功能的超高频RFID标签芯片、具有开关状态数监测的超高频RFID标签芯片、具有多传感器接口的超高频物联网标签芯片等样品。 超高频RFID标签芯片主要技术指标： ？ 技术标准：ISO18000-6B/6C ？ 工作频率：840-960MHz ？ 识别（读取）灵敏度：-15dBm ？ 读写距离：读8 米/写5 米(与天线形式及当地无线电频率规范相关) ？ 识别速率：>100次/秒 ？ 存储容量：256、512、1000bits ？ 前向链路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向链路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作温度：-40 —850C ？ 数据保存时间：10年 ？ 写入次数：100000
电子科技大学
2021-04-10
低功耗医疗健康芯片设计
传统的体外生理信号监测如心电、脑电等基于湿电极在电极皮肤建立稳定且低阻抗的接触,需要凝胶，不易佩戴且容易滋生细菌感染等。使用干电极是可穿戴和医疗健康芯片的必然趋势。但目前的商业芯片在干电极下无法使用，存在诸多性能上的缺陷，诸如功耗、输入阻抗、共模抑制比等方面均无法满足要求。在对国内外相关技术的研究和综述的基础上，我们提出了提出一种基于干电极的信号采集芯片。经流片验证，可以提供足够的空间分辨率，功耗在μW级别。同时该技术采用了实验室积累多年的低功耗集成电路设计技术。以下是两款超低功耗干电极脑电与心电采集芯片及其应用场景。其中脑电芯片可以在耳道采集脑电信号，方便舒适，易于集成，其产业化已经在逐步推行。
电子科技大学
2021-04-10
超高频RFID标签芯片
自主设计开发出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的四款超高频RFID标签芯片，通过了赛宝实验室（工信部五所）的测试认证，超高频RFID标签芯片测试性能达到Impinj等国际主流公司同期同类产品技术指标。在此基础上，自主设计开发出具有温度感知功能的超高频RFID标签芯片、具有开关状态数监测的超高频RFID标签芯片、具有多传感器接口的超高频物联网标签芯片等样品。
电子科技大学
2021-04-10
超高速模数转换芯片
超高速模数转换器是数据采集系统的核心,广泛应用于宽带通信、数据捕获系统、软件无线电、射频消费类电子等领域,是国外长期禁运的核心电子元器件。
电子科技大学
2021-04-10
多功能存储微系统芯片
在后摩尔时代，发挥多功能、异质集成技术的优势和特点，面向存储系统应用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，构成具有多功能的存储微系统芯片。
西安电子科技大学
2022-06-10
快照式光谱成像芯片
利用超表面与图像传感器集成的新方案实现快照式光谱成像芯片，结合计算光谱分析原理及重建算法，研制出了可见光波段、高精度的光谱成像芯片。
清华大学
2021-02-24
一种红外聚光芯片
本发明公开了一种红外聚光芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构，其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的直径大于与其相邻的圆环形导电膜的径向宽
华中科技大学
2021-04-14
碳纳米管芯片技术
芯片是信息科技的基础与推动力。然而，现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限，碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管，碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，碳纳米管技术相较硅基技术具有15代、至少30年以上的优势。此外，Stanford大学的系统层面的模拟表明，碳纳米管技术还有望将常规的二维硅基芯片技术发展成为三维芯片技术，将目前的芯片综合性能提升1000倍以上，从而将物联网、大数据、人工智能等未来技术提升到一个全新高度。
北京大学
2021-02-01
芯片功率器件测试实验平台
芯片功率器件测试平台，以工程教育专业认证为引领参与高校专业建设，以信息化引领构建学习者为中心的教育生态，培养集成电路硬件测试人才。为学生提供丰富的教学资源以及贴近现实的产业环境，支撑集成电路相关课程的教学与实训，且能进行项目开发和师资培训。
安徽青软晶芒微电子科技有限公司
2021-12-16