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AMMT-050抗冲撞材料
简    介  AMMT-050抗冲撞材料是由半预聚体、端氨基聚醚、胺扩链剂等原料现场喷涂成型的第三代聚脲弹性体。该技术将新材料、新设备和新工艺有机地结合在一起,是传统施工技术的一次革命性飞跃,是目前国际上最先进的施工技术之一。 特    性  ★ 凝胶时间为10秒钟,立面、顶面连续喷涂不流挂。 ★    优良的物理性能,对各类底材均具有良好的附着力。 ★    对湿气、温度不敏感,热稳定性好。 ★    100%固含量,无VOC,无污染,环境友好。 ★    优良的防撞、耐磨性能,舒适性好,即使表面破损也不会伤人。 ★    耐候性好,在户外长期使用不粉化,不失色。 用    途  AMMT-050抗冲撞材料可用于护舷、浮萍、碰碰船、玻璃钢艇等设施的蒙皮,能起到很好的保护和缓冲作用,还可用来制作或修复水上乐园的滑梯以及其它骑乘设施。
青岛海洋新材料科技有限公司 2021-09-03
CB系列锰锌铁氧体材料
基于春光公司对铁氧体材料的深刻理解,公司主要研发制造锰锌铁氧体粉料CH系列、CP系列、CB三大系列:锰锌铁氧体粉CB系列分为CB45DW、CB50DW、CB38、CB18等
临沂春光磁业有限公司 2021-09-02
CP系列锰锌铁氧体材料
基于春光公司对铁氧体材料的深刻理解,公司主要研发制造锰锌铁氧体粉料CH系列、CP系列、CB三大系列:锰锌铁氧体粉料功率材质形成CP系列分为CP40、CP44 、CP47、 CP90、 CP95 、CP96等6大品种根据功耗、叠加、Bs等分12个品种。
临沂春光磁业有限公司 2021-09-02
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
清华大学集成电路学院任天令团队在柔性声学器件领域取得重要进展
清华大学集成电路学院任天令教授团队报道了一种基于微结构衬底的MXene声学传感器,用于模仿人耳膜的功能来实现声音的探测与识别。
清华大学 2022-04-01
一种基于单分子器件平台的单分子电学检测新方法和新技术
研制了国际首例稳定可逆的单分子光开关器件( Science ,  2016 ,  352 , 1443;  J. Phys. Chem. Lett. ,  2017 ,  8 , 2849);观察到了低温下联苯基团由于σ单键的旋转产生的精细立体电子效应( Nano Lett. ,  2017 ,  17 , 856);研究了分子间主客体相互作用的动力学过程( Sci. Adv .,  2016 ,  2 , e1601113),揭示了羰基和羟胺反应形成酮肟的分子机制( Sci. Adv. ,  2018 ,  4 , eaar2177),证实了利用单分子电学检测方法研究单分子反应动力学的可行性,为实现单分子化学反应的可视化研究迈出了重要的一步。他们利用硅基单分子器件实现了具有单碱基对分辨率的DNA杂交/脱杂交动力学过程的研究( Angew. Chem. Int. Ed. ,  2016 ,  55 , 9036);在单分子水平上揭示了分子马达水解的动力学过程( ACS Nano , 2018 ,  11 , 12789),展现了单分子器件在单分子生物物理研究方面的可靠性。
北京大学 2021-04-11
曲面光学结构的多电荷耦合器件组 自适应成像仪及方法
南京工程学院 2021-04-13
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
一种基于单分子器件平台的单分子电学检测新方法和新技术
利用硅基单分子器件研究了分子马达水解的动力学过程,发现了无标记的电学检测方法观察到的分子马达的转动速度要比荧光标记的方法快一个数量级(ACS Nano 2018, 11, 12789)以苯环为骨架、芴基为核心的共轭分子,并在末端修饰上氨基,通过稳定的酰胺键将带有羰基官能团的功能分子连接在石墨烯电极之间,通过使用自主搭建的高速电学测试平台对化学反应进行了实时监测。大的共轭结构以及酰胺共价键的强耦合保证了分子具有良好的导电性;在化学反应进行的过程中,分子结构的变化将导致分子轨道发生改变,从而影响导电通道,影响器件的电导特性。
北京大学 2021-04-11
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